【技术实现步骤摘要】
应用于功率转换器的封装结构
本技术涉及半导体
，更具体地，涉及一种应用于功率转换器的封装结构。
技术介绍
功率变换器是一种将输入电压转换为恒定的输出电压或者输出电流的转换电路。根据输入电压和输出电压之间的大小关系，功率变换器可以设置为不同的功率拓扑结构，例如降压型，升压型或者升降压型。相同的是，功率变换器包括主功率开关和整流开关，以及电感和输出电容。四个基本器件之间不同的连接方式来获得不同的功率级拓扑结构。控制和驱动电路控制主功率开关工作在高频状态，根据输出电压的反馈信息，控制主功率开关的导通占空比，从而在输出端获得恒定的输出电压。电子技术的发展，使得对小型化和集成化的要求越来越高。通过现有的制造工艺，可以将主功率开关、整流开关和控制和驱动电路分别制造，然后通过封装工艺将主功率开关、整流开关和控制和驱动电路封装于一颗芯片中。这样的方式，不可避免的芯片面积会比较大。另一种方式为将主功率开关、整流开关和控制和驱动电路全部集成，这样可以减小芯片的面积，但是对制造工艺的要求非常高。
技术实现思路
有鉴于...
【技术保护点】
1.一种应用于功率转换器的封装结构，包括：/n第一晶片，至少包括第一功率晶体管和第一控制和驱动电路；/n第二晶片，至少包括第二功率晶体管；/n连接装置，用以在所述封装结构内部，通过所述连接装置将所述第一功率晶体管和第二功率晶体管依次串联耦接在所述封装结构的引线框架的高电平引脚和低电平引脚之间；/n所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管的公共连接点通过低互连电阻的金属连接结构耦接至所述引线框架的输出引脚。/n
【技术特征摘要】
1.一种应用于功率转换器的封装结构，包括：
第一晶片，至少包括第一功率晶体管和第一控制和驱动电路；
第二晶片，至少包括第二功率晶体管；
连接装置，用以在所述封装结构内部，通过所述连接装置将所述第一功率晶体管和第二功率晶体管依次串联耦接在所述封装结构的引线框架的高电平引脚和低电平引脚之间；
所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管的公共连接点通过低互连电阻的金属连接结构耦接至所述引线框架的输出引脚。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第二功率晶体管被配置为具有垂直电流流向的功率器件。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一功率晶体管与所述高电平引脚之间的连接，所述第二功率晶体管与所述低电平引脚之间的连接，通过低互连电阻的金属连接结构或者通过堆叠式的直接连接方式来实现。
4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，低互连电阻的金属连接结构被配置为片状的金属夹结构或者重布线金属结构。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一功率晶体管的控制电极和第一功率电极和第二功率电极位于所述第一晶片的同一表面。
6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第二功率晶体管的第一功率电极和所述第二功率电极位于所述第二晶片的不同表面。
7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述第一晶片和第二晶片并行排列。
8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述连接装置包括金属夹结构，以通过焊接层与所述第一功率晶体管的第二功率电极和所述第二功率晶体管的第一功率电极电耦接，并连接至引线框架的相应引脚。
9.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述连接装置包括金属重布线结构，所述第一功率晶体管的第二电极和所述第二功率晶体管的第一电极，通过焊接工艺，与所述金属重布线层连接，并经由所述金属重布线结构连接至引线框架的相应引脚。
10.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第一功率晶体管的第一功率电极和第二功率电极的电位区域位于所述第一晶片的相对两侧区域，所述第一功率晶体管的第二功率电极的电位区域位于靠近第二晶片的一侧。
11.根据权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述连接装置包括低互连电阻的金属连接结构，以在所述封装结构内部将所述第二功率晶体管的第一功率电极和所述第一功率晶体管的第二功率电极进行连接，以容纳大电流和降低互连电阻。
12.根据权利要求11所述的封装结构，其特征在于，所述低互连电阻的金属连接结构包括与所述第一功率晶体管的第二功率电极相连的第一部分和与所述第二功率晶体管的第一功率电极相连的第二部分，所述第一部分和第二部分相接触。
13.根据权利要求12所述的封装结构，其特征在于，所述第一部分被配置为图案化的重布线金属结构，以将所述第一功率晶体管的第二功率电极引出。
14.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：方迟清，叶佳明，赵晨，
申请(专利权)人：矽力杰半导体技术杭州有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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