公开了一种开关变换器的开关时间产生电路及开关时间控制方法。根据输出信号的变化信息产生调节信号，并根据调节信号以改变恒定时间控制信号的产生时刻，以实现在负载跳变时，能更加快速地调节开关变换器中功率管的开关时间长度，从而减小输出信号的过冲或...

本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，该制造方法包括：在第一掺杂类型的衬底中形成具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型的第一阱区，第一阱区围绕衬底的第一区域；在第一区域中形成具有第二掺杂类型的源区与漏区；以及在衬底中形成具有第二掺杂类型...

公开了一种控制方法、控制器及开关变换器，通过在超音频模式下控制整流开关在每个开关周期导通第一时间后触发功率开关导通第二时间，并根据与输出电压相关的调节信号调节所述第一时间以使得开关变换器的开关周期保持在设定周期，由此，可以避免开关变换器...

本发明一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述横向扩散金属氧化物半导体器通过在漂移区下方形成设置与漂移区掺杂类型相反的减小表面场效应层来辅助耗尽漂移区，以提高半导体器件的耐压性能，且还使得所述减小表面场效应层与所述漂移区之间的...

本申请公开了一种电流源电路以及应用其的LED驱动电路。本发明实施例的技术方案根据具有占空比信息的第一控制信号对跨导放大器的输出端电流进行分流，或者根据所述第一控制信号控制跨导放大器的至少一个输入端的输入信号在不同电压信号之间切换，以调节...

本发明公开了一种电路模块及控制方法，通过在可控硅调光器TRIAC开启后，且当可控硅调光器TRIAC的导通相角小于一定相角阈值时，导通泄放电路以产生泄放电流，泄放电流即可用于加长可控硅调光器TRIAC的导通时间，从而避免可控硅调光器TRI...

公开了一种功率变换器及其控制电路和控制方法。本发明实施例的技术方案通过使得第一控制器和第二控制器不共地以隔离第一晶体管和第二晶体管的驱动信号，从而控制第一晶体管和第二晶体管交替导通和关断以实现功率变换，且电路结构简单，易于实现，具有较低...

公开了一种轮胎压力监测装置和系统，本实用新型实施例的技术方案通过两轴磁传感器在两个测量轴方向上检测的磁场强度的变化量来作为磁场强度变化的判断依据，从而可以不受安装角度的限制，较为精确地获取轮胎的转动状态，并基于此精确的控制轮胎压力监测装...

本发明公开了一种光学感测系统、光学感测组件及其制造方法。所述光学感测组件，包括发光元件，包封所述发光元件的第一结构体，所述第一结构体的表面设置有出光面，光感测元件，包封所述光感测元件的第二结构体，所述第二结构体的表面设置有收光面，所述发...

本实用新型涉及封装结构以及LED照明模组，包括：第一封装体，用以封装功率器件，控制芯片和无源元件；电感元件；连接体，用以将所述电感元件的电极相应的连接至相应的所述功率器件的电极；封装料，用于包封所述第一封装体、所述电感元件和所述连接体；...

本发明提供了一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法及半导体器件，使体区在栅介质层和栅极导体形成之前形成，从而有利于减小所述半导体器件的沟道长度，降低导通电阻，且使漂移区既用作耐压区，又作为阻碍体区横向扩散的扩散抑制区，可进一步减小所...

本发明提供了一种横向扩散金属氧化物半导体器件和其制造方法，在所述横向扩散金属氧化物半导体器件中，将位于第一介质层和耐压层上方的导体层分为至少部分位于所述第一介质层的第一导体，以及至少部分位于所述耐压层上的第二导体，且使得所述第一导体和第...

本发明提供了一种横向扩散金属氧化物半导体结构和其形成方法，其中，将位于第一介质层和耐压层上方的导体层分为至少部分位于所述第一介质层的第一导体，以及至少部分位于所述耐压层上的第二导体，且使得所述第一导体和第二导体空间隔离，所述第一导体和第...

本发明公开了一种开关型变换器及其控制电路，所述开关型变换器包括超音频控制电路，通过在轻载或空载模式下控制开关型变换器的整流开关的第一导通时间随占空比以及开关频率连续可调，使得补偿信号在较小的范围内变化，并引入了反馈信号调节整流开关的第一...

本发明公开了一种用于降低THD的控制方法和系统，该方法包括：获取功率变换器的开关管一开关周期内的第一导通时间区间的第一平均电感电流和该开关周期内的剩余时间区间的第二平均电感电流；判断第一平均电感电流是否大于第二平均电感电流；若是，则增加...

本发明公开了一种电容阵列权重校准的方法，该方法包括获得第L位以前的所有位上的校准后的电容的权重，其中，L为大于等于2的自然数；获得第L位以前的所有位上的比特值，所述比特值根据电荷守恒定律获得；将所述L位之前的每一位上的电容的权重与对应位...

本发明提供了一种接触孔的清洗方法以及形成半导体器件接触的方法，通过采用先干后湿的清洗工艺来彻底清除接触孔中的残留氧化物和/或自然氧化物，且不损伤接触孔底部和造成接触孔形貌的改变，因此，金属插塞与接触区之间的接触性能较好，所述半导体器件具...

本发明公开了一种LDMOS晶体管，包括临近漏端的场氧化层和沿长度方向与所述场氧化层相邻的至少一个漏氧化层，其中，所述漏氧化层的厚度小于所述场氧化层的厚度，当所述漏氧化层的个数大于1时，从所述漏端到所述沟道方向所述漏氧化层的厚度递减；还包...

公开了一种多输入单输出的直流变换器和控制方法。可以将输入模块中的开关管用一个双向开关管替代，既能防止各输入源之间直接短接，又可以减小系统的损耗，提高了系统的效率。且本发明提出的多输入单输出的直流变换器可以根据不同的环境以及应用需要分别对...

本发明提供了一种半导体器件，包括半导体衬底、位于所述半导体衬底上的至少一个第一二极管，所述第一二极管包括位于所述衬底第一区域上方的第一本征多晶半导体区、位于所述第一本征多晶半导体区中且具有第一掺杂类型的第一掺杂区、位于所述第一本征多晶半...