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西安奕斯伟材料技术有限公司专利技术
西安奕斯伟材料技术有限公司共有39项专利
一种抛光液供给装置、抛光头及抛光设备制造方法及图纸
本发明实施例公开了一种抛光液供给装置、抛光头及抛光设备;所述装置包括:围绕抛光头的头部主体布设于所述抛光头的外壳下部的多个抛光液供给口、为每个所述抛光液供给口提供抛光液输送通道的第一抛光液管道、以及向所述第一抛光液管道提供抛光液的抛光液...
硅片分选机制造技术
本发明涉及一种硅片分选机,包括:分选机本体,所述分选机本体上设置有出料口;用于承载硅片盒的承载台,所述承载台的承载面位于所述出料口处;颗粒检测结构,设置于所述分选机本体内,并用于检测所述分选机本体内部环境的颗粒的参数,所述参数包括所述分...
一种清洗抛光垫的方法及装置制造方法及图纸
本发明实施例公开了一种清洗抛光垫的方法及装置;该方法可以包括:高压清洗喷头按照设定角度向抛光垫上的目标区域喷射去离子水流时,通过在所述抛光垫上方的设定位置所设置的压力传感器感应反射水流的压力值;相应于所述反射水流的压力值大于设定的第一压...
一种单晶炉泄漏引流装置及单晶炉制造方法及图纸
本发明提供一种单晶炉泄漏引流装置及单晶炉,该单晶炉泄漏引流装置包括:设置于坩埚的底部的防漏盘,包括盘底面和围绕盘底面四周边缘设置的防漏边沿,盘底面和防漏边沿围设形成容置腔;连接在防漏盘的中部的筒状管,筒状管包括中空的内管和外管,内管和外...
氧化膜生成方法技术
本发明提供了一种氧化膜生成方法,属于半导体技术领域。氧化膜生成方法,包括:放置步骤,将硅片置于成膜腔体内;升温恒温步骤,向所述成膜腔体内通入氧气,控制所述成膜腔体进入升温阶段预设时间,之后保持在恒温阶段预设时间;重复执行至少两次所述升温...
一种检测设备和单晶炉制造技术
本发明提供一种检测设备和单晶炉。检测设备应用于单晶炉,单晶炉包括炉体、密封炉体的密封件以及设置于炉体上的提拉软轴,提拉软轴的材料包括金属材料,提拉软轴与炉体之间密封且绝缘设置,且提拉软轴的一端延伸至炉体内部,另一端位于炉体的外侧;检测设...
单晶硅棒间隙氧含量的测量方法及装置制造方法及图纸
本发明提供了一种单晶硅棒间隙氧含量的测量方法及装置,属于半导体技术领域。单晶硅棒间隙氧含量的测量方法包括:沿单晶硅棒的长度方向,利用红外线测量待测单晶硅棒预设位置处的间隙氧含量吸收系数;获取待测单晶硅棒预设位置处的校准因子;根据所述校准...
一种硅片打包装置制造方法及图纸
本发明公开了一种硅片打包装置,所述硅片打包装置包括环境保持组件和打包件,所述环境保持组件包括壳体、固定在所述壳体内的仓体、供气件、吸气件和第一输送装置,所述仓体的两端设置有进料口和出料口,所述第一输送装置穿过所述仓体,所述第一输送装置上...
线切割装置及线切割方法制造方法及图纸
本发明涉及一种线切割装置,用于对晶棒进行切割,包括相对设置的两个导线轮,绕设于两个所述导线轮之间的多根切割线,用于固定晶棒的晶棒工件,以及升降结构,所述升降结构用于控制晶棒工件下降以使得晶棒与切割线接触,或者控制晶棒工件上升以使得晶棒与...
一种监测熔体液面位置的方法、系统及计算机存储介质技术方案
本发明实施例公开了一种监测熔体液面位置的方法、系统及计算机存储介质;该方法应用于导流筒底部设置有凹面镜的拉晶炉中,其中,所述凹面镜的镜面朝向熔体液面,所述方法包括:采集所述凹面镜的反射光束在所述熔体液面所形成光斑的第一图像;通过控制石英...
多晶硅清洗回收预处理单元、清洗机及清洗方法技术
本发明公开了一种多晶硅清洗回收预处理单元、清洗机及清洗方法,所述多晶硅清洗回收预处理单元包括上端开口的壳体、进水管、溢流槽、固废收集管、固废收集箱、风淋板和提升机构,所述进水管安装在所述壳体下端,所述壳体内腔中的清洗液能够从壳体中溢出到...
一种测试硅片少子寿命的方法和设备技术
本发明公开了一种测试硅片少子寿命的方法和设备,所述测试硅片少子寿命的方法包括步骤:S10、对硅片进行热处理,使得硅片正反两面生长均匀的薄氧化膜;S20、对硅片的正反两面进行电荷沉积;S30、按照设定的旋转角度θ旋转硅片;S40、对旋转后...
一种用于相对于待检测晶圆调节检测光源的位置的装置制造方法及图纸
本发明实施例公开了一种用于相对于待检测晶圆调节检测光源的位置的装置,所述装置包括:固定部件;可动部件,所述检测光源固定地设置在所述可动部件上以便与所述可动部件一起移动来靠近或远离所述晶圆;可旋转地设置在所述固定部件和所述可动部件中的一者...
单晶炉磁场强度测量装置和方法制造方法及图纸
本发明公开了一种单晶炉磁场强度测量装置和方法,所述单晶炉磁场强度测量装置,包括测量支架、位移传感器、安装座、位置调整机构,探杆上设置有霍尔传感器,所述位置调整机构能够带动所述探杆围绕Z轴旋转、沿着Z轴移动和沿着X轴移动,所述Z轴与单晶炉...
绕线装置及绕线方法制造方法及图纸
本发明涉及一种绕线装置,包括放线结构、导向结构和收线结构,所述收线结构包括收线轴、导轮和伸缩部,所述伸缩部控制所述导轮在所述收线轴的轴向方向往复运动,以在所述收线轴上进行绕线;所述收线结构还包括检测部,用于检测所述收线轴上的待绕线位置的...
一种绕线装置及绕线方法制造方法及图纸
本公开提供一种绕线装置及绕线方法,该绕线装置包括:支撑件,两个主轴的一端固定在支撑件上;绕线轨道,设置在支撑件上,环绕两个主轴外围一圈的闭合环状轨道;绕线轮,钢线的始端设置在绕线轮上,绕线轮以可移动方式设置在绕线轨道上;供线轴,钢线的末...
硅片边缘抛光装置、抛光鼓及抛光方法制造方法及图纸
本发明公开了一种硅片边缘抛光装置、抛光鼓及方法,所述硅片边缘抛光装置包括转动件、中部转动连接在所述转动件上的连杆、安装在所述连杆的一端并且能够与硅片的边缘接触的抛光垫、设置在所述连杆另一端的配重和用于监测所述抛光垫对硅片压力的压力传感器...
一种取样装置制造方法及图纸
本发明提供一种取样装置,包括:箱体,箱体内限定有第一腔室和第二腔室,第一腔室与第二腔室连通;取样结构,取样结构设置于第一腔室中;机械臂,机械臂上设有夹爪,夹爪在第一腔室与第二腔室中可移动;清洗结构,清洗结构设在第二腔室中。在本发明的取样...
抛光液供给装置制造方法及图纸
本发明提供了一种抛光液供给装置,属于半导体技术领域。抛光液供给装置,包括:第一容器,用以盛放二氧化硅溶液;第二容器,用以盛放有机聚合物溶液;第三双层容器,用以盛放有机聚合物溶液与二氧化硅溶液的混合液;所述第三双层容器包括不透光的外层容器...
抛光液供给装置制造方法及图纸
本发明提供了一种抛光液供给装置,属于半导体技术领域。抛光液供给装置,包括:第一容器,用以盛放二氧化硅溶液;第二容器,用以盛放有机聚合物溶液;透光的第三容器,用以盛放有机聚合物溶液与二氧化硅溶液的混合液;所述第一容器的出液口、所述第二容器...
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