一种测试硅片少子寿命的方法和设备技术

本发明专利技术公开了一种测试硅片少子寿命的方法和设备，所述测试硅片少子寿命的方法包括步骤：S10、对硅片进行热处理，使得硅片正反两面生长均匀的薄氧化膜；S20、对硅片的正反两面进行电荷沉积；S30、按照设定的旋转角度θ旋转硅片；S40、对旋转后的硅片的正反两面进行电荷沉积；S50、重复执行步骤S30、S40，重复次数大于等于1次；S60、获得电荷沉积后的硅片少子寿命。本发明专利技术提供的测试硅片少子寿命的方法和设备能够准确地测定硅片的少子寿命，从而能够准确反应晶圆品质好坏。应晶圆品质好坏。

【技术实现步骤摘要】
一种测试硅片少子寿命的方法和设备


[0001]本专利技术涉及硅片检测
，尤其涉及一种测试硅片少子寿命的方法和测试硅片少子寿命的设备。

技术介绍

[0002]随着集成电路的集成度不断增大，对所需的衬底单晶硅片的质量要求也越来越高，人们常用非平衡态少数载流子寿命(少子寿命)来反映晶圆质量的好坏。通过测试晶圆内部的少子寿命，可以分析出晶圆内部的金属污染和缺陷的分布。硅片的少子寿命是指在大于半导体禁带宽度的能量(1.12eV)激励下，被激发的空穴
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电子对少数载流子复合的平均时间。而金属和缺陷会成为有效的复合中心，当硅片中有较多的金属和缺陷时，会导致少子寿命大幅下降，所以少子寿命的长短能够反应晶圆品质。
[0003]目前，检测硅片少子寿命的方法主要是微波光电导衰退法(Microwave Photo
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Conductance Decay，μ
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PCD)。微波光电导衰退法是利用大于硅禁带宽度的脉冲激光对硅片表面进行照射，产生的空穴
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电子能够增大其光电导率，随着激光的撤除本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种测试硅片少子寿命的方法，其特征在于,包括以下步骤：S10、对硅片进行热处理，使得硅片正反两面生长均匀的薄氧化膜；S20、对硅片的正反两面进行电荷沉积；S30、按照设定的旋转角度θ旋转硅片；S40、对旋转后的硅片的正反两面进行电荷沉积；S50、重复执行步骤S30、S40，重复次数大于等于1次；S60、获得电荷沉积后的硅片少子寿命。2.根据权利要求1所述的测试硅片少子寿命的方法，其特征在于，在S10中，所述对硅片进行热处理包括：S101、将所述硅片放入热处理设备的加热腔中；S102、向所述热处理设备加热腔中通入氧气，并以每秒50℃
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100℃的速度升温至700℃
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950℃；S103、保温3
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25分钟；S104、停止氧气供应，然后向所述热处理设备加热腔中通入氮气，并以每分钟20℃
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90℃的速度降温至70℃
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90℃。3.根据权利要求1所述的测试硅片少子寿命的方法，其特征在于，所述硅片正反两面形成的薄氧化膜的厚度为2
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8nm。4.根据权利要求1所述的测试硅片少子寿命的方法，其特征在于，在S30中，所述硅片的旋转角度θ为20
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40度。5.根据权利要求1所述的测试硅片少子寿命的方法，其特征在于，在S30中，所述旋转硅片包括：S301、通过机械手夹持所述硅片，将所述硅片...

【专利技术属性】
技术研发人员：代斌洲，张翔，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料技术有限公司，
类型：发明
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