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本发明公开了一种测试硅片少子寿命的方法和设备，所述测试硅片少子寿命的方法包括步骤：S10、对硅片进行热处理，使得硅片正反两面生长均匀的薄氧化膜；S20、对硅片的正反两面进行电荷沉积；S30、按照设定的旋转角度θ旋转硅片；S40、对旋转后的硅...
该专利属于西安奕斯伟材料技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安奕斯伟材料技术有限公司授权不得商用。

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