单晶炉磁场强度测量装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种单晶炉磁场强度测量装置和方法，所述单晶炉磁场强度测量装置，包括测量支架、位移传感器、安装座、位置调整机构，探杆上设置有霍尔传感器，所述位置调整机构能够带动所述探杆围绕Z轴旋转、沿着Z轴移动和沿着X轴移动，所述Z轴与单晶炉超导磁场的中心轴平行或重合，所述X轴垂直相交于Z轴，所述位移传感器能够检测所述探杆围绕Z轴的旋转角度θ、沿着Z轴移动量s1和沿着X轴的移动量s2，所述霍尔传感器能够检测(θ，s1，s2)位置的磁场强度h。本发明专利技术提供的单晶炉磁场强度测量装置和方法可以方便地连续测量在空间中各点的磁场强度，具有定位准确、测量精度高、便携性好等优点。优点。优点。

【技术实现步骤摘要】
单晶炉磁场强度测量装置和方法


[0001]本专利技术涉及单晶硅生产
，尤其涉及一种单晶炉磁场强度测量装置和方法，用于单晶炉超导磁场的测量。

技术介绍

[0002]单晶硅的提拉、制造一般是通过CZ法(切克劳斯基法)来实现。CZ法又称直拉单晶法，是指在生产单晶炉的石英坩埚内放入多晶硅原料，利用石墨加热器加热熔融多晶硅原料，然后使用籽晶以低速旋转提拉，从而生长出单晶硅。由于CZ法在晶体生长期间，熔体存在热对流，使微量的杂质分布不均，影响晶体的生长质量，因此现有技术中出现了MCZ法(施加磁场的切克劳斯基法)。
[0003]MCZ法是在传统的CZ法基础上外加一磁场，在磁场中使用直拉法生长单晶时，当加上适当的磁场强度，由于磁力线的作用，能有效抑制熔硅的热对流，从石英坩埚熔入硅单晶中的氧含量也可以得到控制，当磁场强度在2000高斯以上时，MCZ单晶中的氧浓度比一般CZ单晶的氧浓度约低一个数量级。同时由于外加磁场使熔硅的粘度增大，阻碍了熔硅的流动，从而大大减弱了由于机械振动所引起的熔硅液面抖动，因热对流被抑制，使熔硅的温度变化小，由于生长条件稳定本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶炉磁场强度测量装置，其特征在于,包括测量支架、位移传感器、固定安装在所述测量支架上的安装座(1)、安装在所述安装座(1)上的位置调整机构，在所述位置调整机构上安装有探杆(2)，所述探杆(2)上设置有霍尔传感器，所述位置调整机构能够带动所述探杆(2)围绕Z轴旋转、沿着Z轴移动和沿着X轴移动，所述Z轴与单晶炉超导磁场的中心轴平行或重合，所述X轴垂直相交于Z轴，所述位移传感器能够检测所述探杆(2)围绕Z轴的旋转角度θ、沿着Z轴移动量s1和沿着X轴的移动量s2，所述霍尔传感器能够检测(θ，s1，s2)位置的磁场强度h。2.根据权利要求1所述的单晶炉磁场强度测量装置，其特征在于，所述位置调整机构包括可转动地安装在所述安装座(1)上的竖直连接杆(3)、可滑动地安装在所述竖直连接杆(3)上的水平连接杆(4)，所述水平连接杆(4)垂直于所述竖直连接杆(3)，所述探杆(2)可滑动地安装在所述水平连接杆(4)上，所述竖直连接杆(3)的中心线与所述Z轴重合，所述水平连接杆(4)的中心线与所述X轴重合，所述竖直连接杆(3)能够在第一驱动件的驱动下围绕所述竖直连接杆(3)的中心线旋转，所述水平连接杆(4)能够在第二驱动件的驱动下沿着所述竖直连接杆(3)的中心线上下移动，所述探杆(2)能够在第三驱动件的驱动下沿着所述水平连接杆(4)的中心线往复移动。3.根据权利要求2所述的单晶炉磁场强度测量装置，其特征在于，所述安装座(1)上安装有电源，所述电源用于给所述位移传感器、霍尔传感器、第一驱动件、第二驱动件和第三驱动件供电。4.根据权利要求3所述的单晶炉磁场强度测量装置，其特征在于，所述第二驱动件和第三驱动件通过滑触线或者导电滑环供电和传输信号。5.根据权利要求3所述的单晶炉磁场强度测量装置，其特征在于，所述安装座(1)上安装有无线信号传输装置，所述无线信号传输装置用于传输所述位移传感器和霍尔传感器检测到的信息、以及第一驱动件、第二驱动件和第三驱动件的控制信号。6.根据权利要求1
‑
5中任意一项所述的单晶炉磁场强度测量装置，其特征在于，所述测量支架包括底架(5)和支撑架(6)，所述底架(5)的形状为圆环形，所述支撑架(6)的形状为开口向下的U形，所述支撑架(6)位于所述底架(5)的上端，所述支撑架(6)的两个自由...

【专利技术属性】
技术研发人员：张千千，张鹏举，陈凡，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：