一种设定分步曝光机挡板的方法包括如下步骤：由所述挡板在晶片上形成第一图形，并由掩模原版的镀铬图形在晶片上形成第二图形；比较所述第一和第二图形；根据所述第一和第二图形间的差别测定挡板的设定误差。

一种设有母游标和子游标用来测量掩模原版旋转误差的掩模原版，该母游标设于掩模原版的某部位，该部位对应于使用该掩模原版的曝光设备所装透镜的中心部分。至少一对子游标分别沿着通过母游标的水平线由母游标隔开并均匀排布在掩模原版区域。该掩模原版能有...

一种用于测量曝光装置分辨率的光掩模，所述光掩模包括两个被覆图形，每一个图形有许多相同副图形并且对称于其中心轴线，其中心轴线，两个图形的配置方式是，相面对的相应副图形间的间隙可顺序增宽或变窄，或者包括许多由一些连接膜把它们相互连接起来的同...

本发明在此公开了一种可精确检测掩膜版偏转误差的掩膜版。 掩膜版由一个形成在单元区右端外侧的第一主游标，一个形成在单元区左端外侧的第一副游标，一个形成在单元区上端外侧的第二主标游标及一个形成在单元区下端外侧的第二副游标构成。 ...

公开一种移相掩模的制作方法。为了制造移相掩模，在石英基片的遮光部分上形成蚀刻凹槽，然后在蚀刻凹槽的中心位置形成铬。该移相掩模不使用移相材料而产生移相效果，由此提高光的对比度。

本发明涉及一种相移掩模，目的是修正位于掩模周围部分的不透光图形，由此补偿掩模周围部分当光通过掩模后光强相对减小引起的光强偏差。本发明保证光刻胶膜的图形临界尺寸的均匀度，这样就保证了半导体元器件的可靠性和生产效率。

本发明公开了一种半色调式相移掩模，它包括一个透明衬底，其上依次叠层有一个相移图形和一个铬图形，两图形具有一个窗口，所述窗口暴露出所述透明衬底的一个预定区域，所述铬图形在靠近窗口处有一个台阶，该台阶的厚度仅可以透过大约５～５０％的在所述半...

一种移相掩模，能够实现透光膜和遮光膜之间边界的相位变化，由此防止形成不希望的图形，及制造移相掩模的方法。该移相器具有位于透射光膜和遮光膜之间边界的倾斜边缘部分。该方法包括腐蚀移相器的步骤，如此，使形成的移相器在透光膜和遮光膜之间有一个倾...

一种形成光刻胶图形的方法，光刻胶图形是在形成各光刻胶图形的曝光时间是在考虑了反射因数的变化而预先确定的条件下形成的。根据下列公式计算曝光时间： Ｚ＝Ｘ＋｛（γ－α）.（Ｙ－Ｘ）／（β－α）｝ 其中，Ｔ为基准厚度，Ｔ′为极限厚...

一种光掩模，包括显影速度测量图形，该图形具有多个位于限定在光掩模中部预定区域的两相同部分之一上的按阵列方式配置的突起形图形点，以及多个位于预定区域另一部分上按阵列方式配置的凹坑形图形点。任一个图形区部分上的图形点都用与光掩模同样的材料制...

本发明公开一种用于半导体器件光刻工艺的曝光掩模。该曝光掩模由透明衬底上的多个分离的光栅图形和各个分离的辅助图形组成，每个辅助图形位于两个光栅图形之间，亦位于用公知的曝光掩模在质低布图构形上形成光敏膜图形预料出现颈缩效应的区域。

一种用来在一限于邻近待刻图层上形成的凹陷的区域上形成正光刻胶膜图形的光掩摸，包括在石英衬底上形成的铬图形及在该石英衬底上形成的设在邻近铬图形的与待构图层的凹陷相重合部位的多个斑点图形，该斑点图形适于减弱入射到石英衬底的与待刻图层的凹陷相...

本发明公开一种用于制造半导体器件的光掩模的制造方法，能够形成与光掩模的铬图形宽度相同的光致抗蚀胶图形，通过减少低质图形提高器件产量，通过在与铬图形隔离区两侧间隔一定距离的区域形成仿真图形，防止由于曝光时曝光量的差异导致的邻近效应造成形成...

通过在产品模片图样四边上形成划线，并且在划线的四角上形成微调图样，制造光掩模。微调图样由正方形区域和正方形带状区域构成。采用光掩模对互相重叠并以预定曝光次数曝光的微调图样显影，全面得到各类误差值，即曝光机的刻线旋转误差，Ｘ轴和Ｙ轴步进误...

一种形成光致抗蚀图形的方法，它包括下列步骤：在底层上涂覆化学增强的光致抗蚀薄膜；在该化学增强的光致抗蚀薄膜上形成硅单体层；通过一个掩模使该单体层曝光，以选择性地聚合该硅单体；通过显影处理去除该单体层的未曝光区域；以及对剩余的聚合区域进行...

一种相移掩模，在相应于大圆晶片的划片线区域内具有微调型或盒套式图形，容许大圆晶体工艺处理期间精确检测光屏蔽图形和相移膜图形之间的交叠程度，从而使产品的合格率和可靠性得以改进很多。

本发明揭示了一种分步曝光机的光控制装置。本发明的光控制装置有双层结构，由至少两块以上用于打开设计在掩模版上的电路图形的光栏和能够局部遮盖住电路图形的辅助光栏组成。辅助光栏被安装在至少两块以上光栏的其中一块的上面或下面，并能够根据来自光栏...

披露一种用于在生产集成电路中使一块晶片成象的系统和方法。在一聚光透镜与一投影透镜之间使用多个原版，以便把集成电路掩模图形投影到一块晶片上面。各个原版上的掩模图形的透明区尺寸彼此分别不同，以防止由于在光线穿过各个原版和投影透镜时光径改变而...

一种能够改善将要形成的光刻胶膜图形的构型的相移掩模，由此获得微图形的容易形成以制造高集成的半导体器件，以及一种用于形成该相移掩模的方法。该相移掩模包括：透明基片、在透明基片上形成的遮光膜图形、具有交替布置的分别有所需尺寸的线和空的遮光膜...

一种制造曝光掩模的方法，包括下列步骤，利用按照设计规则制成的具有光掩蔽模图形的初始曝光掩模，在基片上形成图形，把利用工艺缺陷检测装置测量基片上图形的尺寸所获得的数据，传送到数据比较装置，比较该数据和光掩蔽模图形的大小，由此检测出与光掩蔽...