本实用新型提供了一种半导体发光元件，其所述外延叠层包括依次堆叠的N型半导体层、有源区、P型半导体层以及贯穿所述有源区的V型凹坑；且，在所述N型半导体层和所述有源区之间还设有静电荷收集层，所述V型凹坑的尖端延伸至所述静电荷收集层，且所述N...

本发明提供了一种半导体发光元件及其制作方法，其所述外延叠层包括依次堆叠的N型半导体层、有源区、P型半导体层以及贯穿所述有源区的V型凹坑；且，在所述N型半导体层和所述有源区之间还设有静电荷收集层，所述V型凹坑的尖端延伸至所述静电荷收集层，...

本申请公开了一种小发光角的MicroLED芯片，通过在MicroLED芯片的全侧壁以及正面包覆全反射镜，并在出光面镀功能层，利用功能层和全反射镜来实现MicroLED发光角度的自由控制，并且工艺容易实现，有效光效高。有效光效高。有效光效高。

本申请提供了一种芯片结构，该芯片结构包括：外延结构，外延结构包括依次层叠的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层和透明导电层，第一型半导体层远离有源层一侧设置的第一电极和第二电极，第一电极与第一型半导体层相连，第二电极与透明导电层相连，...

本申请公开了一种Micro LED芯片，通过在衬底的第一表面依次沉积缓冲层、第一型导电层、有源区、第二型导电层、反射结构、保护层、第一电极、第二电极和非导电DBR反射结构，并将所述非导电DBR反射结构设置于所述第一电极和所述第二电极之间...

本申请公开了一种微型LED芯片，通过在衬底的第一表面依次沉积的缓冲层、非故意掺杂层、第一型导电层、有源区、第二型导电层、反射结构、保护层、以及第一电极和第二电极；其中，所述第一电极与所述第一型导电层形成电连接，所述第二电极与所述第二型导...

本申请实施例提供了一种Micro

本实用新型提供一种RGBMicro

本申请提供一种微电子元器件，包括：位于外延结构靠近衬底一侧的第一电极和第二电极，第一电极与第二区域的第一型半导体层连接，第二电极与第一区域的第二型半导体层连接，相邻的两个芯片结构的第一电极之间通过第一链条结构相互连接，相邻的两个芯片结构...

本发明提供了一种发光芯片的分选方法及分选装置，通过将主BIN进行更细划分为多个子BIN的方式，并根据子BIN对应发光芯片占主BIN对应发光芯片的比例关系，将发光芯片随机分布至方片上，保证了方片上所有区块的亮度和波长差异小，避免显示屏上出...

本实用新型提供了一种高压Mini LED发光器件，仅需要制备连接电极即能够实现大量的子发光元件的串联，无需额外进行打线而避免高压Mini LED发光器件短路的风险，不仅提高了高压Mini LED发光器件的可靠性，还有效降低了高压Mini...

本申请提供了一种芯片结构，包括：衬底，位于衬底一侧的外延结构，外延结构包括第一区域和第二区域，第一区域包括依次层叠的第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层，第二区域包括第一型半导体层，位于第一区域，第二型半导体层远离多量子阱层一侧的...

本申请实施例提供了一种微型发光二极管，依次层叠设置的第一反射层、第一发光结构、透明衬底、第二反射层、第二发光结构、第三反射层和第三发光结构，透明衬底为圆台结构或棱台结构，透明衬底第一表面、第二表面以及倾斜侧壁，第一表面的面积大于第二表面...

本申请公开了一种小发光角的MicroLED芯片及其制作方法，通过在MicroLED芯片的全侧壁以及正面包覆全反射镜，并在出光面镀功能层，利用功能层和全反射镜来实现MicroLED发光角度的自由控制，并且工艺容易实现，有效光效高。有效光效...

本发明提供一种RGBMicro

本申请实施例提供了一种微型发光二极管及其制造方法，依次层叠设置的第一反射层、第一发光结构、透明衬底、第二反射层、第二发光结构、第三反射层和第三发光结构，透明衬底为圆台结构或棱台结构，透明衬底第一表面、第二表面以及倾斜侧壁，第一表面的面积...

本申请实施例提供了一种Micro

本申请公开了一种提高发光效率的LED外延结构及其制作方法，所述LED外延结构包括：衬底、以及在所述衬底一侧表面依次生长的缓冲层、N

本发明提供了一种高压Mini LED发光器件及其制作方法，仅需要制备连接电极即能够实现大量的子发光元件的串联，无需额外进行打线而避免高压Mini LED发光器件短路的风险，不仅提高了高压Mini LED发光器件的可靠性，还有效降低了高压...

本申请公开了一种微型LED芯片及其制作方法，通过在衬底的第一表面依次沉积的缓冲层、非故意掺杂层、第一型导电层、有源区、第二型导电层、反射结构、保护层、以及第一电极和第二电极；其中，所述第一电极与所述第一型导电层形成电连接，所述第二电极与...