本发明提供了一种微米级发光二极管，该微米级发光二极管包括第一半导体层，位于第一半导体层一侧的发光层，发光层用于产生光，位于发光层背离第一半导体层一侧的第二半导体层；其中第一半导体层背离第二半导体层的一侧为出光侧，在第一半导体层背离第二半...

本发明提供了一种具有叠层的Micro‑LED芯片及其制作方法，包括衬底及依次层叠于所述衬底表面的第一蓝光外延层、绿光外延层、长波通膜层、红光量子点层以及第二蓝光外延层；其中，所述第一蓝光外延层用于提供所述蓝光，所述绿光外延层用于提供所述...

本发明提供了一种垂直式微米级发光二极管芯片，该垂直式微米级发光二极管芯片的第一电极和第二电极，即正电极和负电极设计制作分别于二种半导体层的两侧，与传统的复晶式微米级发光二极管的正负电极位于同一侧存在明显的区别，本发明中电极的设计方案可以...

本实用新型提供了一种半导体发光元件，其所述外延叠层包括依次堆叠的N型半导体层、有源区、P型半导体层以及贯穿所述有源区的V型凹坑；且，在所述N型半导体层和所述有源区之间还设有静电荷收集层，所述V型凹坑的尖端延伸至所述静电荷收集层，且所述N...

本发明提供了一种半导体发光元件及其制作方法，其所述外延叠层包括依次堆叠的N型半导体层、有源区、P型半导体层以及贯穿所述有源区的V型凹坑；且，在所述N型半导体层和所述有源区之间还设有静电荷收集层，所述V型凹坑的尖端延伸至所述静电荷收集层，...

本申请公开了一种小发光角的MicroLED芯片，通过在MicroLED芯片的全侧壁以及正面包覆全反射镜，并在出光面镀功能层，利用功能层和全反射镜来实现MicroLED发光角度的自由控制，并且工艺容易实现，有效光效高。有效光效高。有效光效高。

本申请提供了一种芯片结构，该芯片结构包括：外延结构，外延结构包括依次层叠的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层和透明导电层，第一型半导体层远离有源层一侧设置的第一电极和第二电极，第一电极与第一型半导体层相连，第二电极与透明导电层相连，...

本申请公开了一种Micro LED芯片，通过在衬底的第一表面依次沉积缓冲层、第一型导电层、有源区、第二型导电层、反射结构、保护层、第一电极、第二电极和非导电DBR反射结构，并将所述非导电DBR反射结构设置于所述第一电极和所述第二电极之间...

本申请公开了一种微型LED芯片，通过在衬底的第一表面依次沉积的缓冲层、非故意掺杂层、第一型导电层、有源区、第二型导电层、反射结构、保护层、以及第一电极和第二电极；其中，所述第一电极与所述第一型导电层形成电连接，所述第二电极与所述第二型导...

本申请实施例提供了一种Micro

本实用新型提供一种RGBMicro

本申请提供一种微电子元器件，包括：位于外延结构靠近衬底一侧的第一电极和第二电极，第一电极与第二区域的第一型半导体层连接，第二电极与第一区域的第二型半导体层连接，相邻的两个芯片结构的第一电极之间通过第一链条结构相互连接，相邻的两个芯片结构...

本发明提供了一种发光芯片的分选方法及分选装置，通过将主BIN进行更细划分为多个子BIN的方式，并根据子BIN对应发光芯片占主BIN对应发光芯片的比例关系，将发光芯片随机分布至方片上，保证了方片上所有区块的亮度和波长差异小，避免显示屏上出...

本实用新型提供了一种高压Mini LED发光器件，仅需要制备连接电极即能够实现大量的子发光元件的串联，无需额外进行打线而避免高压Mini LED发光器件短路的风险，不仅提高了高压Mini LED发光器件的可靠性，还有效降低了高压Mini...

本申请提供了一种芯片结构，包括：衬底，位于衬底一侧的外延结构，外延结构包括第一区域和第二区域，第一区域包括依次层叠的第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层，第二区域包括第一型半导体层，位于第一区域，第二型半导体层远离多量子阱层一侧的...

本申请实施例提供了一种微型发光二极管，依次层叠设置的第一反射层、第一发光结构、透明衬底、第二反射层、第二发光结构、第三反射层和第三发光结构，透明衬底为圆台结构或棱台结构，透明衬底第一表面、第二表面以及倾斜侧壁，第一表面的面积大于第二表面...

本申请公开了一种小发光角的MicroLED芯片及其制作方法，通过在MicroLED芯片的全侧壁以及正面包覆全反射镜，并在出光面镀功能层，利用功能层和全反射镜来实现MicroLED发光角度的自由控制，并且工艺容易实现，有效光效高。有效光效...

本发明提供一种RGBMicro

本申请实施例提供了一种微型发光二极管及其制造方法，依次层叠设置的第一反射层、第一发光结构、透明衬底、第二反射层、第二发光结构、第三反射层和第三发光结构，透明衬底为圆台结构或棱台结构，透明衬底第一表面、第二表面以及倾斜侧壁，第一表面的面积...

本申请实施例提供了一种Micro