厦门未来显示技术研究院有限公司专利技术

厦门未来显示技术研究院有限公司共有26项专利

  • 本申请公开了一种提高发光效率的LED外延结构及其制作方法,所述LED外延结构包括:衬底、以及在所述衬底一侧表面依次生长的缓冲层、N
  • 本发明提供了一种高压Mini LED发光器件及其制作方法,仅需要制备连接电极即能够实现大量的子发光元件的串联,无需额外进行打线而避免高压Mini LED发光器件短路的风险,不仅提高了高压Mini LED发光器件的可靠性,还有效降低了高压...
  • 本申请公开了一种微型LED芯片及其制作方法,通过在衬底的第一表面依次沉积的缓冲层、非故意掺杂层、第一型导电层、有源区、第二型导电层、反射结构、保护层、以及第一电极和第二电极;其中,所述第一电极与所述第一型导电层形成电连接,所述第二电极与...
  • 本申请公开了一种红光MicroLED外延结构及其制作方法,所述外延结构包括:衬底、以及在所述衬底一侧表面依次沉积的缓冲层、电流扩展层、多量子阱结构、LQB层、空穴注入层、P
  • 本申请公开了一种Micro LED芯片及其制作方法,通过在衬底的第一表面依次沉积缓冲层、第一型导电层、有源区、第二型导电层、反射结构、保护层、第一电极、第二电极和非导电DBR反射结构,并将所述非导电DBR反射结构设置于所述第一电极和所述...
  • 本申请提供了一种芯片结构及其制造方法,该芯片结构包括:外延结构,外延结构包括依次层叠的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层和透明导电层,第一型半导体层远离有源层一侧设置的第一电极和第二电极,第一电极与第一型半导体层相连,第二电极与透明...