一种微电子元器件制造技术

本申请提供一种微电子元器件，包括：位于外延结构靠近衬底一侧的第一电极和第二电极，第一电极与第二区域的第一型半导体层连接，第二电极与第一区域的第二型半导体层连接，相邻的两个芯片结构的第一电极之间通过第一链条结构相互连接，相邻的两个芯片结构的第二电极通过第二链条结构相互连接，一端连接第一链条结构的第一电极引线，第一电极引线的另一端连接第一测试电极，一端连接第二链条结构的第二电极引线，第二电极引线的另一端连接第二测试电极。从而通过链条结构将相邻的电极之间进行连接，使相邻的电极之间共用一条电极引线，在能对微电子元器件进行电性测量的同时，采用并联排布的方式减少了电极走线，提高了芯片的空间利用率。间利用率。间利用率。

【技术实现步骤摘要】
一种微电子元器件


[0001]本申请涉及芯片领域，特别涉及一种微电子元器件。

技术介绍

[0002]微电子元器件是利用微电子工艺技术实现的微型化电子系统芯片和器件，为了实现微电子元器件的巨量转移，目前很多厂商通过微印章转印技术，利用范德华力将微电子元器件转移到电路板上，该结构多为倒装结构，微电子元器件处于悬空状态，与支撑衬底脱离，微电子元器件通过锚锭结构与衬底进行绑定，通过机械力拉断锚锭结构实现微元件的巨量转移。然而异质衬底结构电极均朝下，没法进行电性测量，若电性异常元件被转印后，还需进行修复，费用成本较高。
[0003]为了实现对微电子元器件的电性测量，可以采用金属作为微元件的链条层，链条层分别与元件正负电极连接，在锚上布置电路走线，金属链条层与电路走线进行连接，将测量点引到片源边缘位置，对元件进行多颗测试，这样会导致电路走线过多，微电子元器件空间的利用率不高。
[0004]因此，如何在对微电子元器件进行电性测量的同时，提高微电子元器件空间的利用率，是本领域需要解决的技术问题。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本申请的目的在于提供一种微电子元器件，可以在对微电子元器件进行电性测量的同时，提高微电子元器件空间的利用率。
[0006]为实现上述目的，本申请有如下技术方案：
[0007]第一方面，本申请实施例提供了一种微电子元器件，包括：
[0008]衬底；
[0009]位于所述衬底一侧的发光结构；
[0010]所述发光结构包括通过沟槽相互隔离的至少两个芯片结构；
[0011]所述芯片结构包括外延结构，所述外延结构包括第一区域和第二区域；
[0012]所述第一区域的所述外延结构包括依次层叠的第一型半导体层、量子阱发光层和第二型半导体层，所述第二区域的所述外延结构包括所述第一型半导体层；
[0013]位于所述外延结构靠近所述衬底一侧的第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第二区域的所述第一型半导体层连接，所述第二电极与所述第一区域的所述第二型半导体层连接；所述第一电极和所述第二电极之间绝缘设置；
[0014]相邻的两个所述芯片结构的所述第一电极之间通过第一链条结构相互连接，相邻的两个所述芯片结构的所述第二电极通过第二链条结构相互连接；
[0015]一端连接所述第一链条结构的第一电极引线，所述第一电极引线的另一端连接第一测试电极；
[0016]一端连接所述第二链条结构的第二电极引线，所述第二电极引线的另一端连接第
二测试电极。
[0017]在一种可能的实现方式中，还包括：
[0018]位于所述衬底和所述发光结构之间的键合层；
[0019]所述键合层嵌入所述沟槽形成支撑柱，且所述键合层与所述芯片结构之间具有空气间隙。
[0020]在一种可能的实现方式中，包括：
[0021]所述第一电极引线和所述第二电极引线位于所述键合层远离所述衬底的一侧；
[0022]所述第一测试电极和所述第二测试电极位于所述衬底的同一面。
[0023]在一种可能的实现方式中，还包括：
[0024]与所述第一链条结构接触的贯穿所述键合层和所述衬底的通孔；
[0025]所述第一测试电极位于所述衬底远离所述键合层的一侧；
[0026]所述第一电极引线设置于所述通孔中；
[0027]所述第二电极引线位于所述键合层远离所述衬底的一侧。
[0028]在一种可能的实现方式中，还包括：
[0029]位于所述外延结构，和，所述第一电极和所述第二电极除与所述第一型半导体层和所述第二型半导体层接触部分以外区域之间，以及位于所述外延结构侧壁的保护层。
[0030]在一种可能的实现方式中，包括：
[0031]所述第一链条结构和所述第二链条结构位于所述键合层远离所述衬底的一侧。
[0032]在一种可能的实现方式中，还包括：
[0033]位于所述第二电极和所述第二型导电层之间的透明导电层。
[0034]在一种可能的实现方式中，所述第一电极和所述第二电极包括反射电极。
[0035]在一种可能的实现方式中，所述保护层的材料包括绝缘材料。
[0036]在一种可能的实现方式中，所述第一链条结构和所述第二链条结构的材料包括金属导电材料。
[0037]与现有技术相比，本申请实施例具有以下有益效果：
[0038]本申请实施例提供了一种微电子元器件，包括：衬底，位于衬底一侧的发光结构，发光结构包括通过沟槽相互隔离的至少两个芯片结构，芯片结构包括外延结构，外延结构包括第一区域和第二区域，第一区域的外延结构包括依次层叠的第一型半导体层、量子阱发光层和第二型半导体层，第二区域的外延结构包括第一型半导体层，位于外延结构靠近衬底一侧的第一电极和第二电极，第一电极与第二区域的第一型半导体层连接，第二电极与第一区域的第二型半导体层连接，第一电极和第二电极之间绝缘设置，相邻的两个芯片结构的第一电极之间通过第一链条结构相互连接，相邻的两个所述芯片结构的第二电极通过第二链条结构相互连接，一端连接第一链条结构的第一电极引线，第一电极引线的另一端连接第一测试电极，一端连接第二链条结构的第二电极引线，第二电极引线的另一端连接第二测试电极。从而通过链条结构将相邻的电极之间进行连接，使相邻的电极之间共用一条电极引线，在能对微电子元器件进行电性测量的同时，采用并联排布的方式减少了电极走线，提高了芯片的空间利用率。
附图说明
[0039]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0040]结合附图并参考以下具体实施方式，本公开各实施例的上述和其他特征、优点及方面将变得更加明显。贯穿附图中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的元素。应当理解附图是示意性的，原件和元素不一定按照比例绘制。
[0041]图1示出了经申请人研究发现的一种微电子元器件的剖视图；
[0042]图2示出了经申请人研究发现的又一种微电子元器件的剖视图；
[0043]图3示出了图2所述的微电子元器件的局部俯视图；
[0044]图4示出了本申请实施例提供的一种微电子元器件的剖视图；
[0045]图5示出了图4所述的微电子元器件的局部俯视图；
[0046]图6示出了图4所述的微电子元器件的全局俯视图；
[0047]图7示出了本申请实施例提供的又一种微电子元器件的剖视图；
[0048]图8示出了图7所述的微电子元器件一面的局部俯视图；
[0049]图9示出了图7所述的微电子元器件另一面的局部俯视图；
[0050]图10示出了图7所述的微电子元器件的全局俯视图。
具体实施方式
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微电子元器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底一侧的发光结构；所述发光结构包括通过沟槽相互隔离的至少两个芯片结构；所述芯片结构包括外延结构，所述外延结构包括第一区域和第二区域；所述第一区域的所述外延结构包括依次层叠的第一型半导体层、量子阱发光层和第二型半导体层，所述第二区域的所述外延结构包括所述第一型半导体层；位于所述外延结构靠近所述衬底一侧的第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第二区域的所述第一型半导体层连接，所述第二电极与所述第一区域的所述第二型半导体层连接；所述第一电极和所述第二电极之间绝缘设置；相邻的两个所述芯片结构的所述第一电极之间通过第一链条结构相互连接，相邻的两个所述芯片结构的所述第二电极通过第二链条结构相互连接；一端连接所述第一链条结构的第一电极引线，所述第一电极引线的另一端连接第一测试电极；一端连接所述第二链条结构的第二电极引线，所述第二电极引线的另一端连接第二测试电极。2.根据权利要求1所述的微电子元器件，其特征在于，还包括：位于所述衬底和所述发光结构之间的键合层；所述键合层嵌入所述沟槽形成支撑柱，且所述键合层与所述芯片结构之间具有...

【专利技术属性】
技术研发人员：江方，冯妍雪，柯志杰，艾国齐，
申请(专利权)人：厦门未来显示技术研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：