一种芯片结构制造技术

本申请提供了一种芯片结构，该芯片结构包括：外延结构，外延结构包括依次层叠的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层和透明导电层，第一型半导体层远离有源层一侧设置的第一电极和第二电极，第一电极与第一型半导体层相连，第二电极与透明导电层相连，在平行于第一型半导体层表面的方向上，第一电极和第二电极之间设置有绝缘结构，以使第一电极和第二电极绝缘。从而通过设置绝缘结构，可以降低芯片电极短路风险，提高芯片的可靠性。提高芯片的可靠性。提高芯片的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片结构


[0001]本申请涉及半导体
，特别涉及一种芯片结构。

技术介绍

[0002]随着发光二极管的快速发展，LED(light emitting diode，发光二极管)的应用日新月异，特别是LED在显示技术的发展。随着LED显示屏的分辨率越做越高，LED芯片的间距越来越小，芯片尺寸也越来越小。
[0003]随着芯片尺寸的变小，LED的间距也越来越小，LED电极的打线和键合变得不容易，造成短路风险较大，影响LED的发光效率和可靠性。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请的目的在于提供一种芯片结构，可以降低电离短路风险，提升芯片可靠性。
[0005]提供该
技术实现思路
部分以便以简要的形式介绍构思，这些构思将在后面的具体实施方式部分被详细描述。该
技术实现思路
部分并不旨在标识要求保护的技术方案的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求的保护的技术方案的范围。
[0006]为实现上述目的，本申请有如下技术方案：
[0007]第一方面，本申请实施例提供了一种芯片结构，包括：
[0008]外延结构，所述外延结构包括依次层叠的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层和透明导电层；
[0009]所述第一型半导体层远离所述有源层一侧设置的第一电极和第二电极；
[0010]所述第一电极与第一型半导体层相连，所述第二电极与透明导电层相连；
[0011]在平行于所述第一型半导体层表面的方向上，所述第一电极和所述第二电极之间设置有绝缘结构，以使所述第一电极和所述第二电极绝缘。
[0012]在一种可能的实现方式中，所述绝缘结构包括层叠设置的第一透明基板、反射镜和总绝缘层。
[0013]在一种可能的实现方式中，所述绝缘结构包括层叠设置的第二透明基板和绝缘布拉格反射层。
[0014]在一种可能的实现方式中，所述绝缘结构包括第三基板。
[0015]在一种可能的实现方式中，所述第一电极与第一型半导体层相连，所述第二电极与透明导电层相连，包括：
[0016]所述第一电极通过第一导电通道与所述第一型半导体层相连；
[0017]所述第二电极通过第二导电通道与所述透明导电层相连。
[0018]所述第一导电通道和/或第二导电通道的侧壁设置有隔离层。
[0019]在一种可能的实现方式中，所述第一透明基板、所述第二透明基板和所述第三基板位于所述第一电极远离所述第二电极的一侧，且位于所述第二电极远离所述第一电极的
一侧。
[0020]在一种可能的实现方式中，位于所述第一电极远离所述第二电极的一侧，且位于所述第二电极远离所述第一电极的一侧的所述第一透明基板、所述第二透明基板和所述第三基板的远离所述第一型半导体层一侧的表面超出所述第一电极和所述第二电极的远离所述第一型半导体层一侧的表面。
[0021]在一种可能的实现方式中，所述总绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层；
[0022]在垂直于所述第一型半导体层表面的方向上，所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层远离所述反射镜的一侧；
[0023]在平行于所述第一型半导体层表面的方向上，所述第一绝缘层位于所述第一导电通道和所述第二导电通道之间；
[0024]所述第二绝缘层远离所述第一型半导体层一侧的表面超出所述第一电极和所述第二电极的远离所述第一型半导体层一侧的表面。
[0025]在一种可能的实现方式中，所述绝缘布拉格反射层远离所述第一型半导体层一侧的表面超出所述第一电极和所述第二电极的远离所述第一型半导体层一侧的表面。
[0026]在一种可能的实现方式中，所述第三基板远离所述第一型半导体层一侧的表面超出所述第一电极和所述第二电极的远离所述第一型半导体层一侧的表面。
[0027]与现有技术相比，本申请实施例具有以下有益效果：
[0028]本申请实施例提供了一种芯片结构，该芯片结构包括：外延结构，外延结构包括依次层叠的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层和透明导电层，第一型半导体层远离有源层一侧设置的第一电极和第二电极，第一电极与第一型半导体层相连，第二电极与透明导电层相连，在平行于第一型半导体层表面的方向上，第一电极和第二电极之间设置有绝缘结构，以使第一电极和所述第二电极绝缘。从而通过设置绝缘结构，可以降低芯片电极短路风险，提高芯片的可靠性。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0030]结合附图并参考以下具体实施方式，本公开各实施例的上述和其他特征、优点及方面将变得更加明显。贯穿附图中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的元素。应当理解附图是示意性的，原件和元素不一定按照比例绘制。
[0031]图1示出了申请人经研究发现的一种芯片结构的示意图；
[0032]图2示出了本申请实施例提供的一种芯片结构的示意图；
[0033]图3示出了本申请实施例提供的又一种芯片结构的示意图；
[0034]图4示出了本申请实施例提供的另一种芯片结构的示意图。
具体实施方式
[0035]为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请
的具体实施方式做详细的说明。
[0036]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，但是本申请还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似推广，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
[0037]正如
技术介绍
中的描述，经申请人研究发现，随着发光二极管的快速发展，LED的应用日新月异，特别是LED在显示技术的发展。随着LED显示屏的分辨率越做越高，LED芯片的间距越来越小，芯片尺寸也越来越小，随着芯片尺寸变小和芯片间距变小，LED的电极及打线变成技术难点。目前常规芯片都采用倒装芯片电极结构结合键合技术。
[0038]倒装芯片电极结构，虽然出光效率高，但在小尺寸芯片下，且在LED间距越来越小，打线和键合都变得不容易的情况下，短路风险加大，使得LED发光效率及可靠性降低。
[0039]申请人研究发现一种倒装芯片的结构如图1所示，包括依次层叠的透明衬底9，缓冲层8，第一型半导体层7、有源层6、第二型半导体层5、反射镜4和保护层3，第一电极1和第二电极2位于保护层3远离反射镜4的一侧，第一电极1通过第一导电通道10连接第一型半导体层7，第二电极2通过第二导电通道12连接第二型半导体层5，且在第一导电通道10的侧壁设置有绝缘层，由于芯片尺寸较小，导致邻近的第一电极1和第二电极2的短路风险增高。
[0040]其中，第一型半导体层7和第二型半导体层5可以分别为N型半导体层和P型半导体层，或，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片结构，其特征在于，包括：外延结构，所述外延结构包括依次层叠的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层和透明导电层；所述第一型半导体层远离所述有源层一侧设置的第一电极和第二电极；所述第一电极与所述第一型半导体层相连，所述第二电极与所述透明导电层相连；在平行于所述第一型半导体层表面的方向上，所述第一电极和所述第二电极之间设置有绝缘结构，以使所述第一电极和所述第二电极绝缘。2.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述绝缘结构包括层叠设置的第一透明基板、反射镜和总绝缘层。3.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述绝缘结构包括层叠设置的第二透明基板和绝缘布拉格反射层。4.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述绝缘结构包括第三基板。5.根据权利要求2所述的芯片结构，其特征在于，所述第一电极与所述第一型半导体层相连，所述第二电极与所述透明导电层相连，包括：所述第一电极通过第一导电通道与所述第一型半导体层相连；所述第二电极通过第二导电通道与所述透明导电层相连；所述第一导电通道和/或第二导电通道的侧壁设置有隔离层。6.根据权利要求2所述的芯片结构，其特征在于，包括：所述第一透明基板位于所述第一电极远离所述第二电极的一侧，且位于所述第二电极远离所述第一电极的一侧。7.根据权利要求3所述的芯片结构，其特征在于，包括：所述第二透明基板位于所述第一电极远离所述第二电极的一侧，且位于所述第二电极远离所述第一电极的一侧。8.根据权利要求4所述的芯片结构，其特征在于，包括：所述第三基板位于所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：林志伟，陈凯轩，柯志杰，蔡建九，刘英策，艾国齐，
申请(专利权)人：厦门未来显示技术研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：