本实用新型提供了一种发光二极管，通过所述多功能层的电流阻挡区、通孔及其排列规律的设置，首先、具有斜侧壁的通孔结合所述金属反射镜使得出光角度明显提高；其次、所述金属反射镜通过所述通孔与第二导电层形成欧姆接触，所述通孔的排列规律：沿所述电流...

本实用新型提供一种电极具有开口的LED芯片结构，包括外延结构和设于所述外延结构上的电极，所述电极的顶部靠近所述外延结构设置，所述电极的底部远离所述外延结构设置，所述电极设有至少一个自所述电极的底部向所述电极的顶部延伸的开口。通过在电极所...

本发明提供一种具有高反射率复合膜的LED芯片及其制作方法，通过在外延层背离电极的一侧设置高反射率复合膜，且高反射率复合膜覆盖外延层外围区域以及与电极位置对应的区域，即未设置第一反射层的区域，所述高反射率复合膜包括第一透明绝缘层、第二透明...

本发明提供了一种大功率发光二极管及其制作方法，通过超晶格导电层配合第一电流扩展层应用，同时，超晶格导电层采用依次堆叠的第一超晶格层、第一超晶格隔离层、第二超晶格层的周期单元；且所述第一超晶格层包括掺杂型材料层，所述第二超晶格层包括非掺杂...

本实用新型提供了一种垂直面射型的激光结构，该垂直面射型的激光结构中，其出光方向为P面出光，散热方向与出光方向相反，以使散热不再通过衬底结构，有助于高效率散热；并且，P电极和N电极位于同侧，通过设置N型焊垫和所述P型焊垫，不再需要电极打线...

本发明提供了一种Micro‑LED芯片、显示设备及Micro‑LED芯片的制作方法，包括载板，与载板连接的若干发光单元，各发光单元包括在载板表面依次设置的电极组、隔离层、第三LED堆叠、第二LED堆叠、第一LED堆叠；第二LED堆叠通过...

本发明提供一种VCSEL激光器及其制作方法，通过设置绝缘介质层、第一氧化层和第二氧化层对电流进行限制，被绝缘介质层环绕的透明导电层和第一欧姆接触层构成第一导电通道，第一氧化层具有第二导电通道，第二氧化层具有第三导电通道，且出光孔、第三导...

本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过设置其外延层结构包括：依次叠加于所述衬底上的N型半导体层、有源区、P型半导体层、高掺P型半导体层、高掺隧穿层；首先，通过在外延层结构的N电极制作区域形成若干发光柱，增加LED芯片的发光面积；其...

本实用新型提供一种高密度VCSEL阵列结构，包括依次层叠设置的衬底、第一DBR层、有源层、氧化层、第二DBR层和欧姆接触层，所述欧姆接触层远离所述第二DBR层的表面设有多个相互独立的出光区域，各所述出光区域的周围分别设有由所述欧姆接触层...

本实用新型提供一种低氧化应力的VCSEL芯片，芯片包括依次层叠设置的衬底、第一DBR层、有源层、氧化限制层、第二DBR层、欧姆接触层和电极，所述氧化限制层包括依次层叠设置的Al0.9Ga0.1As外延层、AlXGa1‑XAs外延层和Al...

本实用新型提供一种VCSEL阵列结构，包括依次层叠设置的衬底、第一DBR层、有源层、氧化层、蚀刻截止层、第二DBR层、欧姆接触层和电极，还包括至少一个沟槽，所述沟槽自所述电极延伸至所述第二DBR层，至少一个的所述沟槽隔离出两个以上的裸露...

本发明提供一种VCSEL芯片制备方法，针对N型DBR层，通过先关Al源和Ga源，仅通AsH3生长60‑300秒，对表面进行处理，留下晶体质量较好的外延层，使得界面更清晰；并通过先通入3‑180秒的SiH4，在外延层表面形成一定的聚合物，...

本实用新型提供一种具有ODR的倒装VCSEL芯片，包括：导电层；设置于所述导电层上的金属反射层；分别设置于所述金属反射层远离所述导电层一侧的欧姆接触层和绝缘层，所述绝缘层环绕所述欧姆接触层分布；设置于所述欧姆接触层和所述绝缘层远离所述金...

本发明提供了一种垂直面射型的激光结构及制作方法，该垂直面射型的激光结构中，将所述氧化层的未氧化区域、所述P型欧姆接触层和所述凹槽结构，在垂直于所述衬底的方向上，同心设置，并且，所述凹槽结构的宽度大于所述未氧化区域的宽度，所述未氧化区域的...

本发明提供了一种垂直面射型的激光结构及制作方法，该垂直面射型的激光结构中，其出光方向为P面出光，散热方向与出光方向相反，以使散热不再通过衬底结构，有助于高效率散热；并且，P电极和N电极位于同侧，通过设置N型焊垫和所述P型焊垫，不再需要电...

本发明提供了一种发光二极管及其制作方法，本发明提供的发光二极管及其制作方法，通过所述多功能层的电流阻挡区、通孔及其排列规律的设置，首先、具有斜侧壁的通孔结合所述金属反射镜使得出光角度明显提高；其次、所述金属反射镜通过所述通孔与第二导电层...

本发明提供一种电极具有开口的LED芯片结构，包括外延结构和设于所述外延结构上的电极，所述电极的顶部靠近所述外延结构设置，所述电极的底部远离所述外延结构设置，所述电极设有至少一个自所述电极的底部向所述电极的顶部延伸的开口。通过在电极所设的...

本申请实施例提供了一种高频垂直腔面发射激光器芯片及激光器，其中，该高频垂直腔面发射激光器芯片包括：衬底、依次形成于衬底上的N型层、发光层、电流限制层、P型层和P型电极层，衬底背面形成有N型电极层；N型层和P型层均包括多层反射层；发光层、...

本申请公开了一种太阳能电池及其制作方法，该太阳能电池除包括太阳能电池外延结构、电极结构和封装基板外，还包括位于所述太阳能电池外延结构朝向所述封装基板一侧的透明结构以及位于所述透明结构背离所述太阳能电池外延结构一侧的反射结构，从而可以利用...

本申请实施例提供了一种多层限流的垂直腔面发射激光器芯片及激光器，其中，该垂直腔面发射激光器芯片包括：衬底、依次形成于所述衬底上的N型层、发光层、电流限制层、P型层和P型电极层；所述衬底背面形成有N型电极层；所述电流限制层包括形成于所述发...