【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片及其制作方法
本专利技术属于发光二极管领域,更为具体地说,涉及一种LED芯片及其制作方法。
技术介绍
由于发光二极管(LightEmittingDiode,LED)具有亮度高、体积小和耗电量低等优点,因此,发光二极管被视为新一代的照明工具,并且近年来,发光二极管在更多领域也得到了迅速的应用和普及。但是,由于现有的发光二极管的半导体芯片仍然存在着发光效率低的问题,因此,如何提高发光二极管的半导体芯片的发光效率已经成为当今科研领域最重要的课题之一。附图1示出了现有的半导体芯片的结构图,附图2示出了现有的该半导体芯片的俯视图,在图1示出的现有的半导体芯片中,半导体芯片包括衬底1P、生长于该衬底1P上的外延结构2P、生长于该外延结构2P上的电流扩展层3P、生长于该电流扩展层3P上的P型电极6P、生长于该外延结构2P上的N型电极5P以及生长于该电流扩展层3P上的绝缘层4P。附图2示出了现有的半导体芯片中,N型电极5P由N电极焊盘5-1P和N电极扩展条5-2P形成,P型电极6P由P电极焊盘6-1P和P电极扩展条6-2P形成。图1、图2示出的半导体芯片仍然存在着较大的缺陷。具体地说,电极由焊盘和金属电极延伸部分形成,该电极焊盘的电极延伸部分吸收活性层中产生的光,从而使光损耗,且N型电极区域没有发光面积。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供一种LED芯片及其制作方法,能够提高LED芯片发光效率和出光面积。为实现上述目的,本专利技术采用的技术方案如下:一种LED芯片,包括:衬底;设置在所述衬底表面的外延层结构;所述外延层结构包括:依次叠加于所述衬底上的N型半导 ...
【技术保护点】
1.一种LED芯片,其特征在于,包括:衬底;设置在所述衬底表面的外延层结构;所述外延层结构包括:依次叠加于所述衬底上的N型半导体层、有源区、P型半导体层、高掺P型半导体层、高掺隧穿层;所述外延层结构远离所述衬底的一侧表面包括N电极制作区域和P电极制作区域;在所述N电极制作区域的局部表面向所述N型半导体层的延伸方向设有若干凹槽,并显露所述N型半导体层;各所述凹槽呈阵列分布,且相邻两个所述凹槽之间形成凸起;各所述凸起的表面及侧壁设置第一绝缘反射层;各所述凸起、第一绝缘反射层构成发光柱;在所述N型半导体层部分表面设置N型焊盘电极,在所述N型焊盘电极一侧沿所述发光柱的侧壁、表面及所述凹槽底部设置连续的N型电极扩展条,且N型焊盘电极和N型电极扩展条形成电连接,构成N型电极;沉积于所述P电极制作区域的部分表面的第二绝缘反射层,及在所述第二绝缘反射层表面及P电极制作区域的裸露表面蒸镀形成的透明导电层;设置于部分所述透明导电层表面的P型焊盘电极,在所述P型焊盘电极一侧沿所述透明导电层的表面设置P型电极扩展条,且所述P型电极扩展条位于所述第二绝缘反射层正上方;所述P型焊盘电极和P型电极扩展条形成电连接, ...
【技术特征摘要】
1.一种LED芯片,其特征在于,包括:衬底;设置在所述衬底表面的外延层结构;所述外延层结构包括:依次叠加于所述衬底上的N型半导体层、有源区、P型半导体层、高掺P型半导体层、高掺隧穿层;所述外延层结构远离所述衬底的一侧表面包括N电极制作区域和P电极制作区域;在所述N电极制作区域的局部表面向所述N型半导体层的延伸方向设有若干凹槽,并显露所述N型半导体层;各所述凹槽呈阵列分布,且相邻两个所述凹槽之间形成凸起;各所述凸起的表面及侧壁设置第一绝缘反射层;各所述凸起、第一绝缘反射层构成发光柱;在所述N型半导体层部分表面设置N型焊盘电极,在所述N型焊盘电极一侧沿所述发光柱的侧壁、表面及所述凹槽底部设置连续的N型电极扩展条,且N型焊盘电极和N型电极扩展条形成电连接,构成N型电极;沉积于所述P电极制作区域的部分表面的第二绝缘反射层,及在所述第二绝缘反射层表面及P电极制作区域的裸露表面蒸镀形成的透明导电层;设置于部分所述透明导电层表面的P型焊盘电极,在所述P型焊盘电极一侧沿所述透明导电层的表面设置P型电极扩展条,且所述P型电极扩展条位于所述第二绝缘反射层正上方;所述P型焊盘电极和P型电极扩展条形成电连接,构成P型电极。2.根据权利要求1所述的LED芯片,其特征在于:所述透明导电层完全覆盖所述P电极制作区域及第二绝缘反射层。3.根据权利要求1所述的LED芯片,其特征在于:所述N型电极扩展条的水平宽度(L1)≤所述第一绝缘反射层的水平宽度(L2)≤所述发光柱的水平宽度(L3)。4.根据权利要求1所述的LED芯片,其特征在于:所述高掺隧穿层为Si掺杂,且所述Si的掺杂浓度为2*1019/CM3。5.根据权利要求1所述的LED芯片,其特征在于:所述高掺P型半导体层和高掺隧穿层的厚度均不超过10nm。6.根据权利要求1所述的LED芯片,其特征在于:所述第二绝缘反射层的铺设面积≤所述P型电极扩展条的铺设面积。7.根据权利要求1所述的LED芯片,其特征在于:所述第一绝缘反射层、第二绝缘反射层包括绝缘层、反射层;且所述反射层堆叠于所述绝缘层的表面。8.根据权利要求7所述的L...
【专利技术属性】
技术研发人员:李镇勇,林志伟,尤翠萍,罗桂兰,
申请(专利权)人:厦门乾照半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:福建,35
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