一种电极具有开口的LED芯片结构制造技术

本发明专利技术提供一种电极具有开口的LED芯片结构，包括外延结构和设于所述外延结构上的电极，所述电极的顶部靠近所述外延结构设置，所述电极的底部远离所述外延结构设置，所述电极设有至少一个自所述电极的底部向所述电极的顶部延伸的开口。通过在电极所设的开口对多余的焊接剂进行吸附，从而避免焊接过程中出现类球体，因此半导体芯片不会出现因焊接导致的偏移和倾斜的现象，有效提高了出光面的平整度。尤其在显示器及可视化产品上，具有发光方向一致、混色均匀等优点。

A LED chip structure with open electrodes

【技术实现步骤摘要】
一种电极具有开口的LED芯片结构
本专利技术涉及发光半导体
，尤其涉及一种电极具有开口的LED芯片结构。
技术介绍
发光二极管以其寿命长、发光性能好、节能环保等优点而被广泛应用于生活照明、信号灯、室外全色大型显示屏等领域。现有的发光二极管芯片通常由外延结构和电极组成，电极通过锡膏等焊接剂与外部电路焊接。然而，当发光二极管尺寸较小（例如MiniLED和MicroLED），焊接时焊接剂被高温融化成液态，发光二极管的表面张力特别大，多余的焊接剂容易变成凸出的类球体，从而导致发光二极管容易出现偏移、倾斜等问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的为：提供一种电极具有开口的LED芯片结构，使得LED芯片在焊接时不会出现偏移、倾斜等问题。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案为：一种电极具有开口的LED芯片结构，包括外延结构和设于所述外延结构上的电极，所述电极的顶部靠近所述外延结构设置，所述电极的底部远离所述外延结构设置，所述电极设有至少一个自所述电极的底部向所述电极的顶部延伸的开口。优选的，所述开口与所述电极的侧壁具有距离。优选的，所述开口沿平行于所述电极底部方向的切面图形包括圆形和多边形中的至少一种。优选的，所述开口连通所述电极相对的侧壁。优选的，所述开口沿垂直于所述电极底部方向的切面图形包括梯形、三角形、半圆形和椭圆形中的至少一种。优选的，所述开口的横截面积由所述电极的底部向所述电极的顶部方向逐渐缩小。优选的，所述开口的数量为两个以上，两个以上的所述开口均匀且间隔分布。优选的，所述开口具有粗糙的侧壁。优选的，所述开口远离所述电极的底部的一端与所述电极的顶部具有距离。优选的，所述开口自所述电极的底部延伸至所述电极的顶部。从上述描述可知，本专利技术的电极具有开口的LED芯片结构，通过在电极所设的开口对多余的焊接剂进行吸附，从而避免焊接过程中出现类球体，因此半导体芯片不会出现因焊接导致的偏移和倾斜的现象，有效提高了出光面的平整度。尤其在显示器及可视化产品上，具有发光方向一致、混色均匀等优点。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例的电极具有开口的LED芯片结构的示意图；图2-9为本专利技术实施例的电极的结构示意图；图10为本专利技术实施例一的电极具有开口的LED芯片结构的示意图；图11为本专利技术实施例二的电极具有开口的LED芯片结构的示意图；图12为本专利技术实施例四的电极具有开口的LED芯片结构的制备方法对应的结构示意图；图13为本专利技术实施例五的电极具有开口的LED芯片结构的制备方法对应的结构示意图。1、外延结构；2、电极；21、开口；3、光刻胶层。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图1所示，本专利技术实施例提供一种电极具有开口的LED芯片结构，包括外延结构1和设于所述外延结构1上的电极2，所述电极2包括相对设置的底部和顶部，以及连接所述底部和顶部的侧壁。所述LED芯片结构可以是倒装芯片结构、正装芯片结构、垂直芯片结构或其他LED芯片结构。所述电极2包括但不限于圆柱状、方体状、半球体状。所述电极2的顶部靠近所述外延结构1设置，所述电极2的底部远离所述外延结构1设置，其中，所述电极2设有至少一个自所述电极2的底部向所述电极2的顶部延伸的开口21。进一步的，所述开口21与所述电极2的侧壁具有距离，呈孔状，如图2所示为电极的底部示意图。一方面，多余的焊接剂被吸附进入孔状的开口21，使得半导体芯片焊接平整，另一方面，孔状的开口21内的焊接剂固化后作为稳定柱，有效防止半导体芯片偏移，使得芯片准确定位。可选的，所述开口21沿平行于所述电极2的底部方向的切面图形可以是三角形、方形、六边形等多边形，或圆形，或其他具有封闭区域的图形，如图3所示为开口分别为方形、三角形、五边形和六边形的电极底部示意图。所述开口21还可以是前述图形的组合。进一步的，所述开口21连通所述电极2相对的侧壁，呈槽状。如图4所示。其中图4左图为圆柱状电极2的底部示意图，图4右图为方体状电极2的底部示意图。开口21做成槽状，除了能够使半导体焊接时不会产生偏移和倾斜外，还具有制作工艺简单的优点。可选的，槽状的所述开口21沿垂直于所述电极2底部方向的切面图形包括梯形、三角形、半圆形和椭圆形中的一种或多种组合，其中，所述开口21靠近所述电极2顶部的横截面积小于所述开口21靠近所述电极2底部的横截面积，如图5所示为开口分别为梯形、三角形和椭圆形的电极侧壁示意图。进一步的，所述开口21的横截面积由所述电极2的底部向所述电极2的顶部方向逐渐缩小，即开口21的侧壁呈倾斜状。从而增大了焊接剂与电极2的接触面积，提高了焊接剂与电极2的相互抓力，而且靠近电极2底部的开口21尺寸较大，更便于吸附设于电极2底部的焊接剂。进一步的，所述开口21的数量为两个以上，两个以上的所述开口21均匀且间隔分布，如图6左图所示为设有多个孔状开口的电极底部示意图，如图6右图所示为设有多个槽状开口的电极侧壁示意图。通过设置多个均匀且间隔分布的开口21，焊接剂可被均匀吸附，LED芯片结构的受力均匀，进一步提高了LED芯片结构焊接的平整性，且多个开口21内的焊接剂固化后共同作用于LED芯片结构，更大程度上确保了LED芯片结构不会产生偏移。所述开口21为连通所述电极2相对的侧壁设置时，多个所述开口21可相互平行，均匀间隔分布如7左图所示，也可交叉分布，如图7所示右图所示，为提高焊接剂的吸附均匀性，所述开口21交叉分布后将电极2划分为多个面积相同的区域。进一步的，所述开口21具有粗糙的侧壁。粗糙侧壁设置，焊接剂与电极2的接触面进一步增大，从而进一步提高了焊接剂的吸附性以及焊接的稳固性，尤其是在小尺寸半导体芯片的应用上，效果更为显著。进一步的，所述开口21远离所述电极2的底部的一端与所述电极2的顶部具有距离，如图8所示。进一步的，所述开口21自所述电极2的底部延伸至所述电极2的顶部，如图9所示。从上述可知，所述开口21可贯穿电极2与外延结构1连通，也可不贯穿电极2。开口21贯穿电极2，该结构设置在工艺上相对较为简单。开口21不贯穿电极2，即开口21底部与外延结构1具有距离，从而焊接剂进入开口21后与开口21内壁充分接触，不易产生空洞，提高了焊接的稳固性。如图10所示，本专利技术的实施例一为：一种电极具有开口的LED芯片结构，包括外延结构1和设于所述外延结构1上的电极2，所述电极2包括相对设置的底部和顶部，以及连接所述底部和顶部的侧壁。所述电极2的顶部靠近所述外延结构1设置，所述电极2的底部远离所述外延结构1设置。所述电极2设有两个以上的自所述电极的底部向所述电极的顶部延伸的开口21，所述开口21呈圆形孔状，所述开口21与所述电极2的侧壁距离设置，两个以上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电极具有开口的LED芯片结构，其特征在于，包括外延结构和设于所述外延结构上的电极，所述电极的顶部靠近所述外延结构设置，所述电极的底部远离所述外延结构设置，所述电极设有至少一个自所述电极的底部向所述电极的顶部延伸的开口。

【技术特征摘要】
1.一种电极具有开口的LED芯片结构，其特征在于，包括外延结构和设于所述外延结构上的电极，所述电极的顶部靠近所述外延结构设置，所述电极的底部远离所述外延结构设置，所述电极设有至少一个自所述电极的底部向所述电极的顶部延伸的开口。2.根据权利要求1所述的电极具有开口的LED芯片结构，其特征在于，所述开口与所述电极的侧壁具有距离。3.根据权利要求2所述的电极具有开口的LED芯片结构，其特征在于，所述开口沿平行于所述电极底部方向的切面图形包括圆形和多边形中的至少一种。4.根据权利要求1所述的电极具有开口的LED芯片结构，其特征在于，所述开口连通所述电极相对的侧壁。5.根据权利要求4所述的电极具有开口的LED芯片结构，其特征在于，所述开口沿垂直于所述电...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨勇志，叶佩青，吕永建，苏丽娣，林锋杰，
申请(专利权)人：厦门乾照半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35