一种氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法，涉及一种发光二极管。提供一种出光效率高、晶体质量好的氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法。设有衬底、ＧａＮ缓冲层、第１掺硅ＧａＮ层、介质层、第２掺硅ＧａＮ层，ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多量子阱、...

Ｐ型硅表面微结构的电化学加工方法，涉及一种硅表面的加工。提供一种低成本、加工步骤简单且无需掩模光刻等复杂工艺，并可一次性在Ｐ型硅表面直接刻蚀加工微结构的新型电化学加工方法。包括以下步骤：将原始母版上的微结构转移至琼脂糖表面后浸泡于电解液...

制备发光二极管光子晶体的装置，涉及一种发光二极管，尤其是涉及一种用全息技术在发光二极管中制备二维光子晶体的装置。提供一种成本低、速度快，用全息的方法制备光子晶体掩膜层的装置。设有激光器，扩束滤波器设于激光器输出光轴上，准直透镜设于扩束滤...

４Ｈ－ＳｉＣ雪崩光电探测器，涉及一种光电探测器。提供一种在低击穿电压下具有高的内部增益，对可见光与红外光不敏感，可直接对紫外光、微弱信号和单光子信号进行检测的４Ｈ－ＳｉＣ雪崩光电探测器。设有ｎ↑［＋］型４Ｈ－ＳｉＣ衬底，衬底上从下到上生...

硅片单面漂浮腐蚀装置，涉及一种用于硅片单面大面积均匀腐蚀的装置。提供一种结构简单、使用方便，不用涂敷或生长保护膜就可实现硅片单面大面积均匀腐蚀的硅片单面漂浮腐蚀装置。设有漂浮体、真空吸附件和密封垫圈，漂浮体为中空桶形体，漂浮体底部设有开...

涉及一种半导体器件或其部件的制造或处理，尤其是一种利用密封真空腔体和加力键合的硅与硅真空键合装置。设有上盖、底座和真空密封圈；真空密封圈设于上盖与底座之间；在上盖中由下表面至上盖外设管道，在底座中由上表面至底座外设管道，在上盖或底座中由...

磷化镓发光二极管电极制备工艺，本发明涉及发光二极管电极制备工艺。它提出一种具有多组分电极结构的材料配方，借助多层真空镀膜，控制镀膜厚度，优选合金热处理的工艺条件，降低合金热处理的温度，获得较低的比接触电阻，线性好、斜率大的伏安特性，在半...

以碳酸季铵盐为沉淀剂，化学沉淀法制取ＬｎＢａ－［２］Ｃｕ－［３］Ｏ－［７－ｘ］金属氧化物超导材料的前驱物。沉淀剂由季铵氢氧化物与ＣＯ－［２］作用而得，并调整至主要含ＣＯ－［３］＋［＝］，而仅部分含有ＯＨ＋［－］或ＨＣＯ－［３］＋［－］，...

ｎＧａＡｓ／ＩｎＰ ＰＩＮ光电探测器，其特征在于为ｉ－ＩｎＰ顶层／ｉ－Ｉｎ↓［０．５３］Ｇａ↓［０．４７］Ａｓ光敏层／ｉ－ＩｎＰ缓冲层／Ｎ↑［＋］－ＩｎＰ衬底四层双异质结材料结构，即设有Ｎ↑［＋］－ＩｎＰ衬底，在Ｎ↑［＋］－ＩｎＰ衬底...

涉及一种利用密封真空腔体和加力键合的硅与硅真空键合装置及键合方法。设有上盖、底座和密封圈，密封圈设于上盖与底座之间，在上盖和底座中设管道，在上盖或底座中由真空腔内至外部设真空腔管道。键合方法为在键合装置的密封真空键合腔体中灌入氧气或氮气...

激光诱导下的氮化镓Ｐ型有效掺杂制备方法，其特征在于其工艺步骤为：　　　　１）、用溅射或者蒸发的方法在ＧａＮ样品表面淀积一层２００～３００ｎｍ厚的金属锌薄层；　　　　２）、将Ｚｎ／ＧａＮ样品预加热到２００～３００℃；　　　　３）、用固体激...

在发光二极管中制备光子晶体的方法及其装置，涉及一种发光二极管，提供一种成本低、速度快，用全息的方法制备光子晶体掩膜层的方法及其装置。设有激光器，扩束滤波器设于激光器输出光轴上，准直透镜设于扩束滤波器输出光轴上，衍射光学元件设有３个相同的...

ＣＭＯＳ硅双光电探测器，涉及一种光电集成电路，尤其是涉及一种ＣＭＯＳ硅光电探测器。提供一种与商业ＣＭＯＳ工业完全兼容的ＣＭＯＳ硅双光电探测器及其制备方法。设有Ｐ型硅衬底、Ｎ阱、Ｐ阱、Ｐ型重掺杂硅、Ｎ型重掺杂硅、金属铝、场氧层、ＳｉＯ↓［...

一种波导共振增强型光电探测器，涉及一种光电探测器，尤其是涉及一种波导共振增强型光电探测器。提供一种可实现对入射光的有效限制和共振增强效应，提高器件的量子效率，同时使器件具有波长选择特性的一种波导共振增强型光电探测器，主要用于对近红外波段...

集成电路反剥离光刻方法，涉及一种集成电路光刻方法，尤其是涉及一种采用改进的反剥离工艺的集成电路光刻方法。提供一种改进的集成电路反剥离光刻方法。其步骤为在硅片表面先后涂增粘剂层和反转光刻胶层后烘胶，烘胶后在硅片表面再次涂反转光刻胶层，前烘...

一种开管锌扩散方法，涉及一种化合物半导体外延片扩散方法，尤其是涉及一种以掺在有机硅胶中的锌一类金属作为扩散源，在开管通氮气氛围将锌一类杂质扩散到砷化镓化合物半导体外延片中的方法。提供一种新的开管锌扩散工艺。步骤为将锌粉掺入有机硅胶中得含...

氮化镓基蓝光发光二极管，涉及一种发光管，尤其是涉及一种高效率的氮化镓基蓝光发光二极管。提供一种发光效率较高、使用寿命较长的氮化镓基蓝光发光二极管。从下至上设有蓝宝石衬底、Ｎ－ＧａＮ层、有源层、Ｐ－ＧａＮ层和电流扩展层，在电流扩展层的上表...

树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的Ｐ、Ｎ电极，涉及一种发光二极管芯片，尤其是涉及一种树叶脉络形大功率ＧａＮ基ＬＥＤ芯片的Ｐ、Ｎ电极。提供一种不仅能使芯片的电流较均匀地扩展，而且对散热和减小光线的全反射也有一定帮助的树叶脉络形大功率...

减少ＩＣＰ刻蚀ＳｉＣ表面损伤的方法，涉及一种碳化硅表面刻蚀，尤其是涉及一种采用感应耦合等离子体技术实现碳化硅材料刻蚀过程中一种减少ＩＣＰ刻蚀ＳｉＣ表面损伤的新方法。提供一种新的减少ＩＣＰ刻蚀ＳｉＣ表面损伤的方法。其步骤为在ＳｉＣ表面上涂...

４Ｈ－ＳｉＣ雪崩光电探测器及其制备方法，涉及一种光电探测器。提供一种在低击穿电压下具有高的内部增益，对可见光与红外光不敏感，可以直接对紫外光、微弱信号和单光子信号进行检测的４Ｈ－ＳｉＣ雪崩光电探测器及其制备方法。光电探测器设有ｎ↑［＋］...