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厦门大学专利技术
厦门大学共有14472项专利
δ掺杂4H-SiC PIN结构紫外光电探测器及其制备方法技术
δ掺杂4H-SiC PIN结构紫外光电探测器及其制备方法,涉及一种半导体光电探测器。提供一种δ掺杂SiC PIN结构紫外光电探测器及制法。在n↑[+]型SiC衬底上外延生长n↑[+]型缓冲层、n-型层l、δ掺杂n型层、n↑[-]型层...
低位错密度锗硅虚衬底的制备方法技术
低位错密度锗硅虚衬底的制备方法,涉及一种制备Ge组分渐变弛豫锗硅合金层的方法,尤其是涉及一种氧化具有硅盖层低Ge组分锗硅层来制备低位错密度、表面平整的Ge组分渐变弛豫锗硅缓冲层的方法。提供一种可实现表面平整、Ge组分可控、成本低、厚度薄...
一种δ掺杂4H-SiC雪崩紫外光电探测器及其制备方法技术
一种δ掺杂4H-SiC雪崩紫外光电探测器及其制备方法,涉及一种紫外光电探测器。提供一种可独立控制倍增区厚度和面电荷浓度以及吸收区长度,消除雪崩器件中量子效率与响应时间的相互制约,优化器件性能的δ掺杂4H-SiC雪崩紫外光电探测器与制备方...
一种白光LED用发射峰可调的荧光粉及其制备方法技术
一种白光LED用发射峰可调的荧光粉及其制备方法,涉及一种荧光粉。提供一种化学性质稳定,发光性能好,可被紫外、紫光或蓝光LED有效激发而发红光,且在紫外激发时另一发射峰从红光到绿光可调的白光LED用发射峰可调荧光粉。其结构式为:A↓[1-...
大功率白光发光二极管的荧光粉涂布方法技术
大功率白光发光二极管的荧光粉涂布方法,涉及一种荧光粉的涂布方法。提供一种荧光粉在芯片上分布均匀,消除光圈的效果较好,LED空间发光色温差明显减小,适合低成本批量生产大功率白光发光二极管的荧光粉新型涂布方法。在二块不锈钢片上分别刻方孔A与...
利用金属过渡层转移GaN衬底的激光剥离方法技术
利用金属过渡层转移GaN衬底的激光剥离方法,涉及一种利用金属过渡层键合硅和氮化镓,结合激光剥离技术将蓝宝石衬底上的GaN转移到Si衬底上的方法。提供一种利用金属过渡层转移GaN衬底的激光剥离方法。在硅衬底上依次溅射Ti和Au,得溅射有T...
一种p-GaN低阻欧姆接触的制备方法技术
一种p-GaN低阻欧姆接触的制备方法,涉及一种p型氮化镓(p-GaN)。提供一种p-GaN低阻欧姆接触的制备方法。将(0001)取向的蓝宝石衬底装入反应室,在H↓[2]气氛下对衬底热处理,降温对衬底氮化处理;降温生长GaN缓冲层,升温使...
无应变InAlGaN/GaN PIN光电探测器制造技术
无应变InAlGaN/GaN PIN光电探测器,涉及一种光电探测器,尤其是涉及一种将光信号转换为电信号的铟铝镓氮/氮化镓(InAlGaN/GaN)PIN光电探测器。提供一种无应变InAlGaN/GaN PIN光电探测器。设有蓝宝石(...
2-2型铁电体-铁氧体多层复合磁电材料及其制备方法技术
2-2型铁电体-铁氧体多层复合磁电材料及其制备方法,涉及一种铁电体-铁氧体多层复合材料。由铁电体和铁氧体组成,铁电体与铁氧体材料通过层状交替排列方式进行复合,其中铁电体材料选择锆钛酸铅PbZr↓[0.52]Ti↓[0.48]O↓[3]陶...
基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管制造技术
基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管,涉及一种异质结光晶体管。提供一种可极大地增加吸收区SiGe层的锗组分和SiGe层厚度,响应度高,响应波长范围宽,可对各区的Ge组分和厚度自由调节,设计灵活性强,主要用于近红外波段入射光探测的基于虚衬底的硅...
一种光敏感金属纳米材料的制备方法技术
一种光敏感金属纳米材料的制备方法,涉及一种金属纳米材料。提供一种操作简单,可以避免现有的方法中存在的光敏感配体合成复杂等缺点,所得的纳米颗粒光敏感性能好,具有可逆性等优点的光敏感金属纳米材料的制备方法。将氯金酸水溶液加热至沸腾后加入柠檬...
一种Si基微纳发光材料的制备方法技术
一种Si基微纳发光材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤: 1)在硅衬底上外延生长Si/Si↓[1-x]Ge↓[x]或Si↓[m]/Ge↓[n]多层薄膜材料,其中0<x<1;m,n表示对应材料的原子层数,m≤30,n≤15; ...
镓极性氮化镓缓冲层的生长方法技术
镓极性氮化镓缓冲层的生长方法,涉及一种氮化镓缓冲层,尤其是涉及一种采用四步骤生长氮化镓缓冲层的方法。提供一种位错较少的单纯镓极性氮化镓缓冲层的生长方法。在蓝宝石衬底上高温生长第一层氮化镓缓冲层,高温生长的温度为1030~1050℃;在纯...
多晶硅太阳能电池织构层的制备方法技术
多晶硅太阳能电池织构层的制备方法,其特征在于包括以下步骤: 1)多晶硅硅片的预处理; 2)在预处理后的多晶硅硅片表面的光刻胶材料上进行全息记录,制作二维周期性微结构; 3)以光刻胶为结构模版,采用酸性腐蚀液将结构制作到...
N型硅表面区域选择性电化学沉积铜微结构的制备方法技术
N型硅表面区域选择性电化学沉积铜微结构的制备方法,涉及一种硅表面的微加工技术。提供一种低成本、加工步骤简单、加工速度快且无需掩模光刻等复杂工艺,并可一次性在n型硅表面直接生长金属微结构的N型硅表面区域选择性电化学沉积铜微结构的制备方法。...
一种电子标签的封装方法技术
一种电子标签的封装方法,涉及一种电子标签,尤其是涉及一种电子标签的封装方法。提供一种工艺简化、操作性强、产品性能可靠和生产效率高的电子标签的封装方法。制作含芯片的金属箔片模块;在芯片外侧涂覆绝缘胶层,将芯片固定在金属箔片上,绝缘胶层同时...
电子标签芯片的封装方法技术
电子标签芯片的封装方法,涉及一种电子标签芯片,尤其是涉及一种电子标签芯片的封装方法。提供一种外形尺寸较大的芯片模块,可以很容易与天线进行焊接或绑定,从而形成有效的电子标签嵌入层的电子标签芯片的封装方法。将芯片与金属箔片进行电气连接;将芯...
光纤位移反馈闭环控制二维柔性铰链工作台制造技术
光纤位移反馈闭环控制二维柔性铰链工作台,涉及一种柔性铰链工作台。设有二维柔性铰链平台、横向压电陶瓷驱动器、纵向压电陶瓷驱动器、横向光纤位移传感器和纵向光纤位移传感器;二维柔性铰链平台上设有横向安装孔和纵向安装孔,以及横向光纤安装道和纵向...
一种高功率密度激光溅射电离飞行时间质谱仪及其应用制造技术
一种高功率密度激光溅射电离飞行时间质谱仪及其应用,涉及一种质谱仪。提供一种高功率密度激光溅射电离飞行时间质谱仪及其应用。设有真空腔体、激光光源、激光聚焦透镜、采样锥、离子传输装置、截取锥和飞行时间质量分析器;激光光源和激光聚焦透镜设于真...
一种X射线象增强器制造技术
X光光电阴极、象增强器和成象仪,本发明涉及真空光电成象器件和X射线成象探测装置。它提供一种对医用X射线波段敏感的X射线光电阴极,并相应实现一种直接转换方式工作的X射线象增强器以及用该器件制成的小型便携低强度X射线成象仪。该器件包括上述光...
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