本公开提供了一种RRAM电路及其操作方法，RRAM电路包括：m×n个存储单元，每个存储单元包括两个晶体管和两个忆阻器；每个第一MOS开关的一端与第一字线连接，另一端与第二字线连接；同一列的存储单元的两个晶体管的源极连接至同一条第一源极线...

本申请的实施例提供了一种多值RRAM读取电路及其读取方法。该多值RRAM读取电路包括：包括RRAM、晶体管、比较器、编码器以及至少一D触发器；所述晶体管的源极与位线相连接，其栅极与字线连接，其漏极与所述RRAM的一端相连接；所述RRAM...

本申请涉及随机存取存储器技术领域，公开了一种RRAM储存阵列及架构，包括基本储存单元，若干个基本储存单元呈二维矩阵排列；BL位线，BL位线分别配置在二维矩阵的每一行中，二维矩阵的每一行的基本储存单元对应与BL位线电性连接；WL字线，WL...

本发明公开了一种存储器的数据读取电路、方法及存储器，其中，电路包括比较输出单元和电路控制单元，比较输出单元包括伪电流管和锁存对管，比较输出单元用于获取预充信号和数据信号，以根据预充信号控制锁存对管的输出节点电压处于预充电状态或者数据读取...

本公开提供了一种半导体集成电路器件及其制造方法，该半导体集成电路器件包括阻变层，以及分别位于阻变层两侧且相对的底电极和顶电极，其中，底电极包括由至少两种电极材料纵向交替形成的至少两层底电极层，不同电极材料形成的底电极层的横向尺寸不同；阻...

本发明公开一种阻变存储器，包括：衬底和位于衬底上的阻变结构，所述阻变结构包括依次层叠设置的：第一电极、阻变层、氧反应层和第二电极；所述阻变层具有主体部和凸起部，所述凸起部与所述第一电极抵接，所述主体部与所述氧反应层抵接，所述凸起部的宽度...

本申请公开一种RRAM的控制方法、系统和控制端、RRAM，其中RRAM的控制方法包括：向存储单元的读写控制端输入第一控制信号和第二控制信号，以使所述存储单元根据所述第一控制信号执行写入操作；所述第一控制信号包括多个写控制脉冲，所述第二控...

本公开提供了一种半导体结构及其制备方法，其中，所述半导体结构包括：衬底，所述衬底包括多个沿第一方向和第二方向呈阵列排布的有源区；每个所述有源区上形成有一个晶体管单元，所述晶体管单元包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体...

本发明公开了一种阻变存储器、阻变元件、阻变层及其制备方法，其中，所述方法包括采用第一光罩对底电极进行蚀刻，以形成第一凹槽；接着，在蚀刻后的底电极上沉积电介质薄膜，以覆盖底电极，并采用第二光罩对电介质薄膜进行平整处理；然后，采用第三光罩对...

本公开提供了一种半导体结构及其制备方法，其中，半导体结构包括：衬底；多个沿第一方向和第二方向排列的存储单元，每个存储单元包括第一晶体管和与所述第一晶体管连接的第一忆阻器，以及第二晶体管和与所述第二晶体管连接的第二忆阻器；其中，所述第一方...

本发明公开了一种基于RRAM的非易失性触发器数据写入保护方法，其中，非易失性触发器包括锁存单元，锁存单元通过第一晶体管与RRAM的存储单元相连接，锁存单元与第一晶体管之间具有第一节点，第一晶体管与存储单元之间具有第二节点，方法包括：将第...

本公开提供了一种半导体结构及其制备方法，其中，半导体结构包括：衬底，衬底包括多个沿第一方向和第二方向呈阵列排布的有源区，有源区沿第三方向延伸，第一方向、第二方向和第三方向平行于衬底平面，第三方向与第一方向相交，并形成为第一预设角度；每个...

本申请公开一种RRAM阵列及其控制方法、半导体器件，RRAM阵列包括m行n列存储晶体管、各个存储晶体管分别对应的电阻和各列存储晶体管分别对应的SL开关晶体管；第i行存储晶体管的漏极分别通过对应的电阻连接第i行位线，第j列存储晶体管的栅极...

本申请涉及半导体技术领域，公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括半导体衬底；多个阻变器件，所述阻变器件设于所述半导体衬底上，每一所述阻变器件包括依次层叠的下电极、阻变层和上电极；至少两个金属互连层，所述金属互连层设于所述半导体...

本公开提供了一种半导体结构及其制备方法，其中，所述半导体结构包括：衬底；多个阻变器件，位于所述衬底上；每个所述阻变器件包括：下电极，位于所述衬底上，所述下电极内形成有多个第一沟槽；多个第一阻变层，每个所述第一阻变层覆盖所述第一沟槽的内表...

本公开提供了一种半导体结构及其制备方法，其中，所述半导体结构包括：衬底；多个阻变器件，位于所述衬底上，其中，每个所述阻变器件包括：下电极，位于所述衬底上；多个阻变层，分别位于所述下电极的四周，并与所述下电极的侧壁接触；多个上电极，被所述...

本发明公开了一种低功耗MFCC特征提取方法及装置，其中，该方法包括获取语音信号；采用不同的处理模块对语音信号进行预加重、分帧、加窗、快速傅里叶变换、梅尔滤波、对数运算和离散余弦变换处理，以得到语音信号对应的MFCC特征；获取MFCC特征...

本发明公开了一种阻变式存储器的数据写入操作方法及装置，其中，该方法包括：向阻变式存储器施加第一脉冲电压，并将第一次数值加一，以得到当前第一次数值；判断当前第一次数值是否大于第一设定上限值；如果是，则判断当前第二次数值是否大于第二设定上限...

本公开提供了一种芯片测试方法及装置，其中，所述方法包括：提供多个芯片，每个所述芯片包括输入引脚、输出引脚和状态机电路；将每个所述芯片的所述输入引脚连接至同一个输入启动模块，所述输入启动模块输出启动信号至每个所述芯片，以启动所述状态机电路...

本公开提供了一种半导体结构及其制备方法，其中，所述半导体结构包括：衬底；多个阻变器件，位于所述衬底上，每个所述阻变器件包括下电极、阻变层和上电极，其中，所述阻变层覆盖所述下电极的侧壁以及至少部分上表面，以将所述下电极与所述上电极进行隔离...