本公开提供了一种半导体结构及其制备方法，其中，所述半导体结构包括：衬底；多个阻变器件，位于所述衬底上，每个所述阻变器件包括下电极、阻变层和上电极，其中，所述下电极内形成有一个凹槽，以形成为凹字形结构，所述阻变层覆盖所述凹槽的侧壁和底部，...

本公开提供了一种存储阵列的调整电路及其操作方法

本申请公开了一种数据处理方法

本公开提供了一种存储阵列的电压调整电路及操作方法

本公开提供了一种半导体结构及其制备方法，其中，所述半导体结构包括：衬底；位于所述衬底上的多个沿第一方向和第二方向阵列排布的阻变器件，所述第一方向和所述第二方向为平行于所述衬底平面的方向，且所述第一方向和所述第二方向相交；其中，所述阻变器...

本申请的实施例提供了一种基于

本公开提供了一种存储器装置的操作方法

本申请公开了一种存内计算误差补偿的方法及装置，其中，该方法包括：对阵列输入阻态电流分布结果进行分析预处理，以判断是否需要进行误差补偿；如果需要进行误差补偿，则根据分析预处理结果产生需要补偿的电流值；获取阵列输出电流累积，并根据所述需要补...

本发明公开了一种低功耗实时语音识别电路，包括数据转换单元

本发明公开了一种PUF电路及其响应生成方法，其中PUF电路包括存储阵列单元、脉冲产生单元、驱动控制单元和读写及计数单元，存储阵列单元包括多个存储单元；脉冲产生单元与存储阵列单元相连接；驱动控制单元分别与存储阵列单元和脉冲产生单元相连接，...

本公开提供一种阻变式存储器，包括：沿垂直方向由下而上依次层叠设置的底电极、阻变层和顶电极组成的阻变结构；全包覆所述阻变结构侧壁的保护层；包覆所述保护层侧壁的外围电极，所述外围电极用于在水平方向上向所述阻变层施加电场；与所述外围电极连接的...

本申请公开了一种可变电阻式存储器的初始化方法、装置及电子设备，该方法包括：向可变电阻式存储器中输入多个第一电压的脉冲，直至可变电阻式存储器中存储单元由高阻态突变至低阻态；向可变电阻式存储器中依次输入多个第二电压、多个第三电压

本公开提供了一种存储器阵列，其特征在于，所述存储器阵列包括至少一个主阵列和至少一个伪阵列：所述主阵列与伪阵列相邻设置；所述伪阵列的至少一个阻变存储单元与相邻的主阵列的阻变存储单元共用同一位线；所述伪阵列的至少一个阻变存储单元的尺寸大于相...

本申请公开了一种半导体集成电路器件及其制造方法，该半导体集成电路器件通过刻蚀控制第一电极的轮廓使得第一电极的厚度递增或递减，从而可通过施加不同的电压，在第一电极和第二电极之间的阻变层中，有序地形成导电丝，实现线性或特定的阻变特性，进而应...

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，衬底中具有多个第一通孔，第一通孔的第一面位于衬底的下表面，用于连接第一金属层，通孔的第二面位于衬底的上表面，器件包括：第一介电层，覆盖于衬底上表面；竖直孔洞，位于第一介电层中，与第一通孔一一对应，...

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，鳍片垂直于衬底的上表面，阻变结构位于鳍片的侧壁，由底电极的垂直部分、阻变层的垂直部分和顶电极的垂直部分组成，阻变区域即为底电极的垂直部分和顶电极的垂直部分重合的区域。该阻变区域的大小是按照垂直方向...

本发明公开了一种存算转换电路，包括移位加法单元、电容阵列单元、比较单元和SAR控制逻辑单元，通过移位加法单元对输入的模拟信号进行移位加权相加处理，以得到处理后的第一电压信号；容阵列单元对外部输入的参考电压信号进行处理，以得到处理后的第二...

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：在金属衬底的存储区域依次沉积第一阻挡层和第一介电层；在存储区域的第一阻挡层和第一介电层中刻蚀出第一通孔，在第一通孔中沉积下电极，进行平坦化处理以使下电极的上表面和第一介电层的上表面平齐；在存...

本申请公开了一种半导体集成电路器件及其制造方法，该半导体集成电路器件通过在进行形成侧壁层的刻蚀时，控制刻蚀次数和每次刻蚀的深度，使得侧壁层在确保覆盖住阻变层的基础上，尽量使侧壁层顶部低于所述上电极的顶部和/或使所述侧壁层的底部高于所述下...

本发明涉及数据处理领域，具体涉及一种基于RRAM器件的存算一体电路及存算一体数据处理方法，所述基于RRAM器件的存算一体电路包括多个级联的存算一体单元，所述存算一体单元包括：RRAM存储阵列，用于对多个仿真电压信号进行仿真运算，得到模拟...