RRAM阵列及其控制方法、半导体器件技术

本申请公开一种RRAM阵列及其控制方法、半导体器件，RRAM阵列包括m行n列存储晶体管、各个存储晶体管分别对应的电阻和各列存储晶体管分别对应的SL开关晶体管；第i行存储晶体管的漏极分别通过对应的电阻连接第i行位线，第j列存储晶体管的栅极和第j个SL开关晶体管的栅极分别连接第j列字线，第j列存储晶体管的源极分别连接第j个SL开关晶体管的源极，各个所述SL开关晶体管的漏极连接源极线，1≤i≤m，1≤j≤n；所述源极线接入第一电位，各行位线中的第一类位线接入第二电位，以减小连接第一类位线的各存储晶体管源极和漏极之间的电压差。本申请能够改善至少部分存储晶体管的源漏端漏电状况，使对应存储晶体管避免面临高Vds导致的击穿风险。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及电路，具体涉及一种rram阵列及其控制方法、半导体器件。

技术介绍

1、电阻式记忆体(resistive random-access memory，rram)是一种新型的非挥发性记忆体，其具有读写速度快、结构简单、单元面积小、密度高等优势，因而得到广泛关注和应用。专利技术人对rram阵列进行研究发现，现在的阵列主要是采用2t2r的结构，例如参考图1所示，bl(位线)和sl(源极线)平行横向走线，wl(字线)纵向走线。这类阵列操作的缺点就是对单个rram单元进行操作，此时另一个晶体管就容易面临高vds(漏源电压)导致的击穿风险，且rram阵列中还存在着drain(漏)端和gate(栅)端漏电问题。

技术实现思路

1、鉴于此，本申请提供一种rram阵列及其控制方法、半导体器件，以解决传统的rram阵列中，rram单元容易面临击穿风险，且还存在着drain端和gate端漏电的问题。

2、本申请提供一种rram阵列，所述rram阵列包括m行n列存储晶体管、各个存储晶体管分别对应的电阻和各列存储晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种RRAM阵列，其特征在于，所述RRAM阵列包括m行n列存储晶体管、各个存储晶体管分别对应的电阻和各列存储晶体管分别对应的SL开关晶体管；

2.根据权利要求1所述的RRAM阵列，其特征在于，所述第一类位线包括所在行的存储晶体管均处于空闲状态的位线。

3.根据权利要求1所述的RRAM阵列，其特征在于，所述第二电位在根据所述第一电位所确定的设定范围内。

4.根据权利要求3所述的RRAM阵列，其特征在于，所述第二电位等于所述第一电位。

5.根据权利要求4所述的RRAM阵列，其特征在于，第二类位线接入第三电位，以使所述第二类位线所在行的非空闲...

【技术特征摘要】

1.一种rram阵列，其特征在于，所述rram阵列包括m行n列存储晶体管、各个存储晶体管分别对应的电阻和各列存储晶体管分别对应的sl开关晶体管；

2.根据权利要求1所述的rram阵列，其特征在于，所述第一类位线包括所在行的存储晶体管均处于空闲状态的位线。

3.根据权利要求1所述的rram阵列，其特征在于，所述第二电位在根据所述第一电位所确定的设定范围内。

4.根据权利要求3所述的rram阵列，其特征在于，所述第二电位等于所述第一电位。

5.根据权利要求4所述的rram阵列，其特征在于，第二类位线接入第三电位，以使所述第二类位线所在行的非空闲晶体管正常作业；所述第二类位线包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文明，潘天龙，刘美冬，尹家宇，
申请(专利权)人：厦门半导体工业技术研发有限公司，
类型：发明
国别省市：