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本申请公开一种RRAM阵列及其控制方法、半导体器件，RRAM阵列包括m行n列存储晶体管、各个存储晶体管分别对应的电阻和各列存储晶体管分别对应的SL开关晶体管；第i行存储晶体管的漏极分别通过对应的电阻连接第i行位线，第j列存储晶体管的栅极和第...
该专利属于厦门半导体工业技术研发有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门半导体工业技术研发有限公司授权不得商用。

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