本发明公开了一种分子束外延衬底处理装置及分子束外延衬底处理方法，分子束外延衬底处理装置包括通过管道连接的进样室、等离子处理腔、湿法处理腔以及生长室；进样室、等离子处理腔、湿法处理腔以及生长室与管道之间分别设置有第一阀门；进样室、等离子处...

本发明公开了一种光电传感芯片的制作方法以及光电传感芯片，该制作方法包括：在N型衬底上外延生长过渡层；在过渡层上外延生长缓冲层；在缓冲层上外延生长下波导层；在下波导层上外延生长多量子阱层；在多量子阱层上外延生长上波导层；在上波导层上外延生...

本发明公开了一种线列光电焦平面探测器及其制作方法，该线列光电焦平面探测器包括光敏芯片和读出电路；读出电路的上表面设有多行第一金属电极，各行中的第一金属电极沿行方向等间距平行排列，且相邻行中的第一金属电极沿行方向错位设置；光敏芯片包括至少...

本发明公开了一种用于红外探测器的杜瓦组件、红外探测器杜瓦装置及其制造方法。杜瓦组件包括：杜瓦外壳，杜瓦外壳包括外壳顶部；杜瓦内胆，置于杜瓦外壳内，杜瓦外壳的内侧与杜瓦内胆之间具有间隙，杜瓦内胆具有内胆本体和瓶颈部，瓶颈部位于内胆本体的上...

本发明公开了一种探测器缺陷像元的检测系统、方法及介质，其中检测探测器缺陷像元的系统，包括辐照源、衰减片架与衰减片；辐照源的辐照端与探测器的探测端对应放置；衰减片架位于辐照源与探测器之间；辐照源用于辐射光子供探测器探测，辐照源的辐照端为辐...

本发明公开了一种短波红外探测器及其控制方法，所述短波红外探测器包括光敏芯片

本发明公开了一种焦平面探测器检测装置及检测方法，焦平面探测器检测装置包括壳体

本发明公开了一种灰尘吹扫装置及方法，该装置包括：等离子气体生成装置以及吹扫装置；吹扫装置设置有第一进气口

本发明公开了一种用于红外焦平面晶片的处理装置，包括真空吸盘

本发明公开了一种高铟组分

本发明公开了一种铟柱制备装置、制备方法、系统、电子设备及存储介质，其中，铟柱制备装置的加热组件、工件台和深冷盘管设于腔体内；工件台与第一制冷模块连接；深冷盘管与第二制冷模块连接；腔体底部用于放置铟源材料；加热组件用于加热铟源材料；工件台...

本发明公开了一种InGaAs探测器及其制造方法，该InGaAs探测器包括衬底、生长于衬底上的外延结构和与外延结构连接的金属电极，外延结构具有刻蚀的台阶部，台阶部的上表面和外延结构的侧面覆盖介质钝化层，金属电极贯穿介质钝化层；外延结构包括...

本实用新型公开了一种高铟组分InGaAs材料少子寿命的测试结构。该测试结构包括衬底、底面层、待测试层和表面层；待测试层位于底面层和表面层中间；其中，衬底为半绝缘InP衬底；底面层为不掺杂高铟组分InXAs底面层；待测试层为待测试高铟组分...

本实用新型公开了一种分子束外延衬底处理装置，分子束外延衬底处理装置包括通过管道连接的进样室、等离子处理腔、湿法处理腔以及生长室；进样室、等离子处理腔、湿法处理腔以及生长室与管道之间分别设置有第一阀门；进样室、等离子处理腔、湿法处理腔以及...

本实用新型公开了一种灰尘吹扫装置，该装置包括：等离子气体生成装置以及吹扫装置；吹扫装置设置有第一进气口、第一排出口、第二进气口、第二排出口、部件装夹结构以及吹扫腔室；第一进气口、第一排出口、第二进气口以及第二排出口均与吹扫腔室连通，部件...

本实用新型公开了一种光电传感芯片，该光电传感芯片包括：N型衬底、多量子阱结构、金属电极以及电隔离沟；多量子阱结构从N型衬底上外延生长，其中，多量子阱结构由下到上具体包括过渡层、缓冲层、下波导层、多量子阱层、上波导层以及接触层；电隔离沟分...

本实用新型提供一种短波红外探测器，所述短波红外探测器包括光敏芯片、读出电路和微透镜阵列模组；所述光敏芯片包括M组光敏像元，且至少存在两组列方向尺寸相同、行方向尺寸不同的光敏像元，每组所述光敏像元均与所述读出电路电连接，其中，M≥2且取正...

本实用新型公开了一种用于红外探测器的杜瓦组件、红外探测器杜瓦装置。杜瓦组件包括：杜瓦外壳，杜瓦外壳包括外壳顶部；杜瓦内胆，置于杜瓦外壳内，杜瓦外壳的内侧与杜瓦内胆之间具有间隙，杜瓦内胆具有内胆本体和瓶颈部，瓶颈部位于内胆本体的上方，瓶颈...

本实用新型公开了一种探测器缺陷像元的检测系统，其中检测探测器缺陷像元的系统，包括辐照源、衰减片架与衰减片；辐照源的辐照端与探测器的探测端对应放置；衰减片架位于辐照源与探测器之间；辐照源用于辐射光子供探测器探测，辐照源的辐照端为辐照源向外...

本实用新型公开了一种焦平面探测器检测装置，焦平面探测器检测装置包括壳体、放置单元、第一遮挡单元、辐射源、接收单元，壳体具有第一侧壁，第一侧壁上开设有通孔；放置单元用于放置焦平面探测器，并驱动焦平面探测器进入壳体并能够运动至第一位置；第一...