铟柱制备装置、制备方法、系统、电子设备及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种铟柱制备装置、制备方法、系统、电子设备及存储介质，其中，铟柱制备装置的加热组件、工件台和深冷盘管设于腔体内；工件台与第一制冷模块连接；深冷盘管与第二制冷模块连接；腔体底部用于放置铟源材料；加热组件用于加热铟源材料；工件台用于放置镀有铟柱下金属的焦平面芯片；第一制冷模块用于将工件台降温至第一温度；第二制冷模块用于将深冷盘管降温至第二温度，以使深冷盘管吸附水汽。本发明专利技术分别通过第一制冷模块、第二制冷模块使深冷盘管的温度小于露点温度，工件台上放置的焦平面芯片的温度大于露点温度，深冷盘管吸附水汽，而焦平面芯片不吸附水汽，从而使得铟薄膜更牢固地粘附在焦平面芯片上。铟薄膜更牢固地粘附在焦平面芯片上。铟薄膜更牢固地粘附在焦平面芯片上。

【技术实现步骤摘要】
铟柱制备装置、制备方法、系统、电子设备及存储介质


[0001]本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种铟柱制备装置、制备方法、系统、电子设备及存储介质。

技术介绍

[0002]当前的红外焦平面探测器芯片均采用铟柱互连技术与读出电路实现集成，但现有的铟柱制备工艺中往往存在以下两个问题：一、铟源蒸发的铟原子温度较高，使得沉积过程中红外焦平面探测器芯片表面温度高于156℃，造成在沉积后期与红外焦平面探测器芯片相连的铟柱表面的铟薄膜熔化呈糊状，导致后期剥离困难，损坏铟柱；二、铟薄膜沉积初期芯片表面暴露在一定的水汽中，造成铟柱根部与红外焦平面探测器芯片粘附性差，导致铟柱从根部脱落。铟薄膜不易剥离、铟柱根部与红外焦平面探测器芯片粘附性差导致倒焊互连的连通率低、焦平面盲元率提高。

技术实现思路

[0003]本专利技术要解决的技术问题是为了克服现有技术中存在铟薄膜不易剥离、铟柱根部与红外焦平面探测器芯片粘附性差导致倒焊互连的连通率低、焦平面盲元率提高的缺陷，提供一种铟柱制备装置、制备方法、系统、电子设备及存储介质。
[0004]本专利技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题：
[0005]本专利技术提供一种铟柱制备装置，所述铟柱制备装置包括腔体、加热组件、工件台、深冷盘管、第一制冷模块和第二制冷模块；
[0006]所述加热组件、工件台和所述深冷盘管设于所述腔体内；所述工件台与所述第一制冷模块连接；所述深冷盘管与所述第二制冷模块连接；
[0007]所述腔体底部用于放置铟源材料；/>[0008]所述加热组件用于加热所述铟源材料，以使所述铟源材料蒸发成铟原子；
[0009]所述工件台用于放置镀有铟柱下金属的焦平面芯片，所述铟原子经过所述深冷盘管移动至所述焦平面芯片表面，并形成铟薄膜，所述铟薄膜沉积至所述焦平面芯片表面；
[0010]所述第一制冷模块用于将所述工件台降温至第一温度；所述第二制冷模块用于将所述深冷盘管降温至第二温度，以使所述深冷盘管吸附水汽；其中，所述第一温度大于露点温度，所述第二温度小于所述露点温度。
[0011]优选地，所述焦平面芯片上设有光刻图形，所述光刻图形位于所述铟柱下金属的上方，并在所述焦平面芯片表面设有部分光刻胶。
[0012]优选地，所述第一制冷模块还用于将所述工件台降温至第三温度，以防止沉积至所述焦平面芯片表面的铟薄膜融化，其中，所述第三温度大于所述露点温度且小于所述第一温度。
[0013]优选地，所述铟柱制备装置还包括真空模块，所述真空模块与所述腔体连接；所述真空模块用于降低所述腔体内的气压。
[0014]优选地，所述真空模块包括机械泵和分子泵，所述机械泵用于将所述腔体内的气压降低至第一气压，以触发所述第一制冷模块和所述第二制冷模块开始工作；所述分子泵用于将所述腔体内的气压降低至第二气压，以触发所述焦平面芯片表面开始沉积所述铟薄膜；其中，所述第一气压大于所述第二气压。
[0015]优选地，所述第一制冷模块包括低温循环机；
[0016]和/或，
[0017]所述第二制冷模块包括低温水汽捕集泵；
[0018]和/或，
[0019]所述深冷盘管包括铜线圈。
[0020]本专利技术还提供一种铟柱制备方法，应用于如上述的铟柱制备装置，所述铟柱制备方法包括：
[0021]通过第一制冷模块，将工件台降温至第一温度，以使所述工件台上放置的镀有铟柱下金属的焦平面芯片降温至所述第一温度；通过所述第二制冷模块，将深冷盘管降温至第二温度，以使所述深冷盘管吸附水汽；其中，所述第一温度大于露点温度，所述第二温度小于所述露点温度；
[0022]通过加热组件加热腔体底部的铟源材料，以使所述铟源材料蒸发成铟原子，所述铟原子经过所述深冷盘管移动至所述焦平面芯片表面，并形成铟薄膜，所述铟薄膜沉积至所述焦平面芯片表面。
[0023]优选地，当铟柱制备装置包括真空模块时，所述通过第一制冷模块，将工件台降温至第一温度，以使所述工件台上放置的镀有铟柱下金属的焦平面芯片降温至所述第一温度；通过所述第二制冷模块，将深冷盘管降温至第二温度，以使所述深冷盘管吸附水汽的步骤包括：
[0024]通过真空模块将所述腔体内的气压降低至5
×
10
‑2Pa，并通过所述第一制冷模块将工件台上的焦平面芯片降温至17℃～19℃，通过所述第二制冷模块将所述深冷盘管降温至
‑
136℃～
‑
134℃，以使所述深冷盘管吸附水汽，露点温度大于所述深冷盘管的温度，所述露点温度为
‑
120℃；
[0025]所述通过加热组件加热腔体底部的铟源材料，以使所述铟源材料蒸发成铟原子，所述铟原子经过所述深冷盘管移动至所述焦平面芯片表面，并形成铟薄膜，所述铟薄膜沉积至所述焦平面芯片表面的步骤包括：
[0026]通过真空模块将所述腔体内的气压降低至1.9
×
10
‑4Pa～2
×
10
‑4Pa，并通过所述加热组件将所述腔体底部放置的铟源材料蒸发至所述焦平面芯片的表面，并在所述焦平面芯片的表面形成铟薄膜；
[0027]当所述铟薄膜沉积至45nm～55nm时，通过所述第一制冷模块将所述焦平面芯片降温至
‑
31℃～
‑
29℃，直至所述铟薄膜沉积至5.4μm～5.6μm，以避免沉积至所述焦平面芯片表面的铟薄膜融化；
[0028]剥离所述焦平面芯片表面设有的部分光刻胶，及所述光刻胶上的铟薄膜，以使在剥离所述光刻胶及所述光刻胶上的铟薄膜后的所述焦平面芯片的表面，形成铟柱阵列。
[0029]本专利技术还提供一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并用于在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述的铟柱制备方法。
[0030]本专利技术还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述的铟柱制备方法。
[0031]在符合本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本专利技术各较佳实例。
[0032]本专利技术的积极进步效果在于：
[0033]本专利技术分别通过第一制冷模块、第二制冷模块使深冷盘管的温度小于露点温度，工件台上放置的焦平面芯片的温度大于露点温度，深冷盘管吸附水汽，而焦平面芯片不吸附水汽，从而使得铟薄膜更牢固地粘附在焦平面芯片上。
附图说明
[0034]图1为本专利技术实施例1的铟柱制备装置的结构示意图；
[0035]图2为本专利技术实施例1的铟柱制备装置的剥离前铟柱示意图；
[0036]图3为本专利技术实施例1的铟柱制备装置的剥离后铟柱阵列俯视图；
[0037]图4为本专利技术实施例2的铟柱制备方法的第一流程图；
[0038]图5为本专利技术实施例2的铟柱制备方法的第二流程图；
[0039]图6为本专利技术实施例3的电子设备的结构示意图。
具体实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铟柱制备装置，其特征在于，所述铟柱制备装置包括腔体、加热组件、工件台、深冷盘管、第一制冷模块和第二制冷模块；所述加热组件、工件台和所述深冷盘管设于所述腔体内；所述工件台与所述第一制冷模块连接；所述深冷盘管与所述第二制冷模块连接；所述腔体底部用于放置铟源材料；所述加热组件用于加热所述铟源材料，以使所述铟源材料蒸发成铟原子；所述工件台用于放置镀有铟柱下金属的焦平面芯片，所述铟原子经过所述深冷盘管移动至所述焦平面芯片表面，并形成铟薄膜，所述铟薄膜沉积至所述焦平面芯片表面；所述第一制冷模块用于将所述工件台降温至第一温度；所述第二制冷模块用于将所述深冷盘管降温至第二温度，以使所述深冷盘管吸附水汽；其中，所述第一温度大于露点温度，所述第二温度小于所述露点温度。2.如权利要求1所述的铟柱制备装置，其特征在于，所述焦平面芯片上设有光刻图形，所述光刻图形位于所述铟柱下金属的上方，并在所述焦平面芯片表面设有部分光刻胶。3.如权利要求1所述的铟柱制备装置，其特征在于，所述第一制冷模块还用于将所述工件台降温至第三温度，以防止沉积至所述焦平面芯片表面的铟薄膜融化，其中，所述第三温度大于所述露点温度且小于所述第一温度。4.如权利要求2所述的铟柱制备装置，其特征在于，所述铟柱制备装置还包括真空模块，所述真空模块与所述腔体连接；所述真空模块用于降低所述腔体内的气压。5.如权利要求4所述的铟柱制备装置，其特征在于，所述真空模块包括机械泵和分子泵，所述机械泵用于将所述腔体内的气压降低至第一气压，以触发所述第一制冷模块和所述第二制冷模块开始工作；所述分子泵用于将所述腔体内的气压降低至第二气压，以触发所述焦平面芯片表面开始沉积所述铟薄膜；其中，所述第一气压大于所述第二气压。6.如权利要求1所述的铟柱制备装置，其特征在于，所述第一制冷模块包括低温循环机；和/或，所述第二制冷模块包括低温水汽捕集泵；和/或，所述深冷盘管包括铜线圈。7.一种铟柱制备方法，其特征在于，应用于如权利要求1
‑
6任一项所述的铟柱制备装置，所述铟柱制备方法包括：通过第一制冷模块，将工件台降温至第一温度，以使所述工件台上放置的镀有铟柱下金属的焦平面芯片降温至所述第一温度；通过所述第二制冷模块，将深冷盘管降温至第二温度，以使所述深冷盘管吸附水汽；其中，所述第一温度大于露点温度，所述第二温度小于所述露点温度；...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄春泉，龚君挺，刘大福，李雪，
申请(专利权)人：无锡中科德芯感知科技有限公司，
类型：发明
国别省市：