用于红外焦平面晶片的处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于红外焦平面晶片的处理装置，包括真空吸盘

【技术实现步骤摘要】
用于红外焦平面晶片的处理装置


[0001]本专利技术涉及红外
，特别涉及一种用于红外焦平面晶片的处理装置
。

技术介绍

[0002]红外焦平面探测器通常由红外光敏芯片
、
互连层和读出电路三部分组成，依据光敏芯片中光敏元的排列方式可分为线列和面阵两种结构，可分别用于扫描和凝视型红外系统
。
红外焦平面的出现给红外系统带来了革命性的变化：简化甚至取消了光机扫描系统；因光敏元数量的增加，系统的分辨率
、
灵敏度
、
响应速度
、
可靠性等性能指标得到大大提高
。
因此，红外焦平面探测器在航天遥感
、
微光夜视
、
军事侦察
、
空间天文等领域有重要需求，并且受到了高度重视和大力发展
。
目前，红外焦平面探测器正朝着大规模
、
高灵敏度的方向发展
。
[0003]红外焦平面探测器需要将分立的光敏芯片和读出电路一一对应连接在一起构成焦平面器件，互连方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种用于红外焦平面晶片的处理装置，其特征在于，所述处理装置包括真空吸盘
、
抛光装置和测量装置，所述真空吸盘位于所述抛光装置上；所述真空吸盘用于真空吸附贴附有研磨胶膜层的红外焦平面晶片；所述抛光装置用于对吸附在所述真空吸盘上的贴附有研磨胶膜层的红外焦平面晶片进行减薄抛光处理；所述测量装置用于在保持减薄抛光处理后的红外焦平面晶片真空吸附的状态下测量所述红外焦平面晶片的平面度；并在判断出所述平面度大于预设平面度时，调整减薄抛光参数以使得所述红外焦平面晶片的平面度小于等于所述预设平面度
。2.
如权利要求1所述的红外焦平面晶片的处理装置，其特征在于，所述处理装置还包括旋涂装置
、
热烘装置
、
贴胶膜装置
、
去胶膜装置和清洗装置；所述旋涂装置用于在所述红外焦平面晶片的正面旋涂光刻胶；所述热烘装置用于对旋涂光刻胶的红外焦平面晶片进行热烘处理；所述贴胶膜装置用于在热烘处理后的红外焦平面晶片上贴附研磨胶膜层；所述去胶膜装置用于去除红外焦平面晶片上贴附的研磨胶膜层；所述清洗装置用于清洗所述红外焦平面晶片上的光刻胶
。3.
如权利要求1所述的红外焦平面晶片的处理装置，其特征在于，所述抛光装置用于按照粗抛条件对吸附在所述真空吸盘上的贴附有研磨胶膜层的红外焦平面晶片进行减薄粗抛光处理；所述抛光装置还用于按照精抛条件对减薄粗抛光处理后的贴附有研磨胶膜层的红外焦平面晶片进行减薄精抛光处理
。4.
如权利要求1所述的红外焦平面晶片的处理装置，其特征在于，所述真空吸盘包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚君挺，关智勇，姚元江，庄春泉，刘大福，
申请(专利权)人：无锡中科德芯感知科技有限公司，
类型：发明
国别省市：