本发明涉及一种提高锂离子电池正极材料ＬｉＦｅＰＯ↓［４］／Ｃ振实密度的方法：ＦｅＰＯ↓［４］.ｘＨ↓［２］Ｏ（ｘ＝２或４）与ＬｉＯＨ.Ｈ↓［２］Ｏ（或Ｌｉ↓［２］ＣＯ↓［３］、ＣＨ↓［３］ＣＯＯＬｉ.２Ｈ↓［２］Ｏ）和聚乙二醇为原料，添...

本发明涉及一种在用作碱性蓄电池正极活性材料的粉末状氢氧化镍颗粒表面均匀紧密牢固地包覆一层起改进导电性能作用的ＣｏＯＯＨ的方法。该方法是在中性水溶液中，以过氧化氢作为氧化剂，通过溶液中的二价态可溶性钴盐与固体氢氧化镍颗粒表面的离子交换作用...

本发明公开了一种ｎ－氧化锌纳米线／ｐ－氧化镍异质ｐｎ结二极管，至少包括ｐｎ结和欧姆接触电极，所述ｐｎ结由ｎ型ＺｎＯ薄膜种子层或者掺杂ＺｎＯ薄膜种子层上生长出的ｎ型ＺｎＯ纳米线；在ＺｎＯ纳米线上镀ＮｉＯ材料而得到的异质ｐｎ结。本发明首先用...

本发明公开了一种具有双极载流子传输性能的电致磷光主体材料，该主体材料为含具有空穴传输性能的三苯胺单元和具有电子传输性能的噁二唑单元的化合物，其结构通式为右式，本发明的化合物合成方法简单，适于广泛应用。本发明将该类化合物作为具有双极载流子...

本实用新型公开了一种敏紫外硅光敏三极管，它适用于检测从紫外（１９０ｎｍ）到近红外（１１００ｎｍ）的入射辐线．它采用栅状或网状基区结构，主要以集电区作为直接受光面，大大地提高了集电结对紫外光谱区光生载流子的收集效率，实现了从紫外到近红外的...

本实用新型公开了一种光敏器件，它是一种光谱响应逼近人眼白昼视觉曲线［即视见函数Ｖ（λ）］的硅光敏晶闸管（又称光敏可控硅）。这是把玻璃的Ｖ（λ）滤光器安装在通常的光敏晶闸管的透光窗口上而制得的。从而使通常应用于开关电路的这类器件，在作光照...

一种改进的紫外增强反型层型光电二极管，其主要结构是用两个封闭而互不相连的环状Ｎ＋［＋］扩散区，把工作区的反型层区域包围起来，把与工作区相连的Ｎ＋［＋］区通过负载电阻再与电源正极相连，另一个Ｎ＋［＋］区则直接与电源正极相连，Ｐ区与电源负极...

本实用新型公开了一种光敏器件，它是具有一个器件多种功能特点的产品。可根据应用场合或要求的不同，选择使用器件的引出端子而分别具有光敏二极管、光敏三极管和光控晶闸管三种功能。

本实用新型公开了一种光敏器件，特别是具有ＮＰＮＭ结构的光敏晶闸管，它具有生产简易，成品率高，工时短等优点。

本实用新型公开了一种光敏器件，它是一种能分多个档次大幅度改变光电灵敏度的硅光敏管。可根据应用场合的不同，使用器件的不同引出端子，而使光敏管的光电灵敏度发生数十倍至百万倍或更大的变化。同时，利用引出端子可以通过外接电路而对响应速度、光电线...

本发明是一种两色分波硅彩色传感器，它利用反偏ＰＮ结和重掺杂硅衬底作为内部光学滤色器，实现了光谱剪裁和分波，克服了双结硅光电二极管光谱响应曲线的重迭问题．这种两色分波硅彩色传感器，可以取代传统的由二块滤色片和二个光敏元件组成的测色探头，使...

光敏ＰＮ结侧向注入电器件的间接耦合方法属于硅光敏管技术．以平面工艺制作的硅光敏器件，是把二极管、三极管等电器件直接做在接受入射光的ＰＮ结（简称光敏ＰＮ结）上的，这种方式称为光敏ＰＮ结与电器件的直接耦合．由于光敏ＰＮ结的面积较大，导至光敏...

一种利用高电阻率Ｎ型硅单晶制造高灵敏度光敏三极管的方法．对原有的工艺流程和工艺条件做了改进，消除了原有工艺制出的光敏三极管存在的一种在光照下电流电压关系出现负阻区域，随后电流激剧增大的开通现象．从而，可以制出高灵敏度大电流的光敏三极管，...

本发明一种改进的半导体硅光敏器件．，它利用ＰＮ结对光生少数载流子的侧向收集作用，把光敏三极管的集电区设计成网状结构，使接受人射光的光敏面与集电极结面分开，从而达到了保持光敏面不变而又减小了集电结电容的目的．若把发射区设计成细条结构以及选...

本发明公开了一种制备生物分子固态薄膜的方法。它包括提取与纯化生物光敏分子，固体基片的表面处理，生物光敏分子在固体基片表面固着成膜三个步骤。本发明所提供的方法简便，制得的生物分子固态薄膜机械强度高，光电效应良好，性能稳定。

本发明公开了一种内调制的间接耦合光电探测器，不外加斩波器的情况下，能够把恒定的微弱光转换为调制的光电信号，达到提高信噪比的目的。本发明提供的探测器具有设备简单、价格低廉和使用方便等优点。

一种改进的制造紫外增强反型层型光电二极管的方法，把反型层结构与用Ｎ＋［＋扩散环把工作区以外的漏电流引走不使其进入工作区电流回路的方法结合起来，使得不仅紫外增强效果好，而且漏电流小，击穿电压高，性能稳定，制造工艺简单，成品率高。

本发明革新了硅平面工艺中的磷扩散工艺，它用很低的温度淀积磷源，然后在适当高温下，在氧和氮气氛中对硅片进行氧化，完成杂质的再分布。这样不仅工艺简单、重复性好，而且能形成性能优良的ＰＮ结，提高了产品的成品率。

本发明公开了一种单片集成，混合集成或组装的光致负阻器件。它是利用间接耦合光电探测结构的光致负阻效应而发明的一种新型光电器件。能够用于高速光电开关和光控振荡。

本发明是使Ｐ型含氮ＣＺ－Ｓｉ单晶片经过二个不同的热处理工艺过程生成ＰＮ结的技术。让Ｐ型含氮ＣＺ－Ｓｉ单晶片在３００－５００℃温度下退结的表面位置处，利用各种高温表面瞬时退火技术进行高温表面瞬时退火，使此表面所在区域重新回复原来的Ｐ型导电...