制造高灵敏度光敏三极管的方法技术

一种利用高电阻率Ｎ型硅单晶制造高灵敏度光敏三极管的方法．对原有的工艺流程和工艺条件做了改进，消除了原有工艺制出的光敏三极管存在的一种在光照下电流电压关系出现负阻区域，随后电流激剧增大的开通现象．从而，可以制出高灵敏度大电流的光敏三极管，提高制管成品率，提高使用可靠性，比用外延片制造高灵敏度光敏三级管，成本低对近红外光（例如波长为０．９微米的光）的分光灵敏度高．本方法适用于电阻率５欧姆．厘米以上的Ｎ型硅单晶．（*该技术在2005年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体光敏器件的制造方法。 在本专利技术作出以前，用高电阻率N型硅单晶(例如，用电阻率为100欧姆·厘米左右的N型硅单晶)制造光敏三极管的平面工艺主要流程是第一步，氧化;第二步，光刻出待扩硼的区域;第三步，扩硼及氧化;第四步，光刻出待扩磷的区域;第五步，背面磨片;第六步，扩磷及氧化;第七步，光刻出电极引出窗口;第八步，正面蒸铝;第九步，光刻出铝电极;第十步，背面蒸金;第十一步，合金化(温度范围为480℃至550℃);第十二步，用银浆烧结管芯到管座上(温度为400℃);第十三步，超声压焊引线;第十四步，封帽。 按上述流程制得的光敏三极管，当在标准测试条件(色温2856°K的钨灯，照度1000勒克司，工作电压10伏)下测量光电流，常有光敏三极管发生电流电压关系出现负阻区域，随后电流激剧增大的开通现象(见附图1)，发生这一现象后电流的大小不再与光照度有关，而由该测试电路中的总串连电阻和工作电压决定，而且，在去掉光照后，这种开通状态继续保持。 灵敏度较高的管子，特别容易发生上述现象。灵敏度虽不是较高的管子，也有可能在更大照度的光照下(这时光电流更大)发生上述现象。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造高灵敏度光敏三极管的方法，它的工艺流程包括，第一步，氧化，第二步，光刻出待扩硼的区域，第三步，扩硼及氧化，本专利技术的特征在于，第四步，背面磨片，第五步，背面扩磷，厚度在３微米以上，第六步，光刻出待正面扩磷的区域，第七步，正面扩磷及氧化，第八步，光刻出电极引出窗口，第九步，正面蒸铝，第十步，光刻出铝电极，第十一步，背面蒸金，第十二步，合金化，温度范围为４８０℃至５５０℃，第十三步，用银浆烧结管芯到底座上，烧结温度４００℃，第十四步，超声压焊引线，第十五步，封帽。

【技术特征摘要】
1、一种制造高灵敏度光敏三极管的方法，它的工艺流程包括，第一步，氧化，第二步，光刻出待扩硼的区域，第三步，扩硼及氧化，本发明的特征在于，第四步，背面磨片，第五步，背面扩磷，厚度在3微米以上，第六步，光刻出待正面扩磷的区域，第七步，正面扩磷及氧化，第八步，光刻出电极引出窗口，第九步，正面蒸铝，第十...

【专利技术属性】
技术研发人员：张君和，
申请(专利权)人：武汉大学，
类型：发明
国别省市：42[中国|湖北]