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一种利用高电阻率Ｎ型硅单晶制造高灵敏度光敏三极管的方法．对原有的工艺流程和工艺条件做了改进，消除了原有工艺制出的光敏三极管存在的一种在光照下电流电压关系出现负阻区域，随后电流激剧增大的开通现象．从而，可以制出高灵敏度大电流的光敏三极管，提高...
该专利属于武汉大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉大学授权不得商用。

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