本发明公开了一种氮化镓薄膜的制备方法和专用设备，它以高纯镓和氮气作源物质，采用双流供气方式，向沉积区输送经过离化的具有化学活性的反应气体，在较低温度（５００－６００℃）下，通过载能镓离化团簇束和Ｎ↑［＋］离子束直接在衬底进行化学反应生成...

新型的硅ＰＮ结光电二极管，它有衬底材料硅，ＰＮ结扩散层，二氧化硅层和电极引线，其特征在于受光面处露有衬底材料硅。能提高硅光电器件对光线、特别是对紫外光的响应度，在４００～２００ｎｍ波段具有比普通硅光电二极管明显增强的紫外响应度，在３６５...

ＣｄＳｅ量子点的制备方法，包括如下步骤：（ａ）将硒粉加入十八碳烯中，使硒的含量为０．０１～０．０５ｍｏｌ／Ｌ，在氩气存在下，加热到２００～２２０℃，保温１０～３０分钟后，冷却至室温，除去不溶物，制得硒的储备液；（ｂ）将ＣｄＯ和硬脂酸加入...

本发明是一种用气体（如Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ↓［２］、Ｎ↓［２］＋Ｈ↓［２］）射频等离子体对ＴｉＯ↓［２］纳米晶进行处理，来提高ＴｉＯ↓［２］光电池光电转换效率的方法，该方法是：将纳米二氧化钛放入射频等离子体发生装置中，抽真空后，至少通入下列气...

本发明公开了一种用纳米颗粒制备纳米晶薄膜的方法，采用粉末涂覆法，即混合球磨、涂覆、烧结，将纳米颗粒粉末与乙醇、乙酰丙酮混合并球磨０．５～５小时，之后再加入乙醇和曲酮Ｔｒｉｔｏｎ　　Ｘ－１００，继续球磨１～１０小时；所述的涂覆过程温度为１...

一种共混膜，包括分子量为１０↑［３］－１０↑［６］的聚偏氟乙烯、分子量为１０↑［３］－１０↑［７］的聚环氧乙烷、粒径为５－１００纳米的无机氧化物、２０～１０∶１摩尔比的氧化还原电对碘化锂／碘。其制法为，将聚偏氟乙烯和聚环氧乙烷混合后，加...

本发明公开了一种低成本简易光刻掩膜的制作方法，其具体制作步骤为，用菲林输出带有设计图样的高分辨率胶片粘贴到石英玻璃上作为初始光刻掩膜，再将用胶片制得的光刻掩膜的图样面紧贴涂有光刻胶的镀铬玻璃，然后利用光刻技术对涂有２～４０ｕｍ厚光刻胶的...

本发明涉及一种光电阴极，包括基片及附着在基片上的阴极层，阴极层由碳和铂通过溅射法制成的膜，膜中碳的含量为３０～１００ｗｔ％。其制备方法为：将沉积在基片上的膜在２０～８００℃进行射频等离子体处理０．５～１０小时；处理功率２０～６００Ｗ。本...

本发明涉及一种硅纳米线同质ｐｎ结二极管及其制备方法，该硅纳米线同质ｐｎ结二极管的ｐｎ结是用硼扩散工艺在ｎ型导电硅片上扩散形成ｐ型导电层，形成平面同质ｐｎ结，再用无电极金属电化学沉积法自组装形成的纳米结构为模板，在该平面ｐｎ结硅片上刻蚀形...

本发明涉及一种基于硅纳米线的异质ｐｎ结二极管及其制备方法，该二极管的特殊之处是其ｐｎ结是在以垂直定向生长的ｐ－型硅纳米线阵列中沉积ｎ型宽带隙氧化物而成的ｐ－硅纳米线／ｎ－宽带隙氧化物异质ｐｎ结。该二极管的制备方法为：先用无电极金属电化学...

本发明公开了一种ｎ－硅纳米线／ｐ－导电有机物异质ｐｎ结二极管及其制备方法，该异质ｐｎ结二极管是由ｎ型硅片上生长出的硅纳米线和硅纳米线间的缝隙中填充的ｐ型导电有机物组成。该异质ｐｎ结二极管的制备方法是首先用无电金属沉积法在ｎ型硅片上生长出...

本发明提供了一种高晶体质量的ＧａＮ绝缘或半绝缘外延层的制备方法，该方法是以Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］、ＳｉＣ或Ｓｉ为衬底，在衬底经高温氮化后，依次于７５０～７８０℃下高温生长ＡｌＮ成核层，于７２０～７３０℃下低温三维生长ＧａＮ成核层，再于７...

本发明公开了一种电致发光二极管的制备方法，先在衬底上生长ＧａＮ缓冲层，然后生长掺有Ｅｕ、Ｅｒ、Ｔｍ三种稀土元素中任意两种或三种的ＧａＮ薄膜，最后用掺锡氧化铟制作透明电极。通过分子束外延、金属有机化学气相沉积方法、离子注入方法、光刻技术实...

太阳能电池用凝胶状聚离子液体电解质，其特征在于它的重量百分比组分为：聚组氨酸酯离子液体９８～９６％，碘单质１～２％，碘化锂１～２％，全部总和为１００％；所述的聚组氨酸酯离子液体单体为［Ｒ↓［１］ＮＨＣＯＯＨＣＨ↓［２］Ｃ↓［３］Ｈ↓［２...

本发明公开了含具有空穴传输的三苯胺单元和具有电子传输噁二唑单元的化合物，其结构通式为右下式，其中Ａｒ为具有空穴传输性能的三苯胺类化合物。本发明的多功能化合物合成方法简单易行，适于广泛应用。由本发明的化合物作为双极载流子传输材料应用于蓝光...

含有咔唑和噁二唑单元的聚合物，其结构式为右式，式中Ｒ↓［１］为１到１０个碳原子的直链或支化烷基，Ｒ↓［２］为１到１０个碳原子的直链或支化烷基；聚合物分子量为５０００－２００００ｇ／ｍｏｌ。本发明的既含具有空穴传输性能的咔唑单元、又含具有...

本发明公开了一类既含具有空穴传输性能的咔唑单元、又含具有电子传输性能的噁二唑单元的双极载流子传输材料以及将其作为电致磷光器件中发光层的主体材料。这种主体材料的结构通式如右所示。其中Ａｒ↓［１］和Ａｒ↓［２］为具有空穴传输性能的咔唑类化合...

一种ＡｌＮ薄膜的制备方法，其独到之处在于：１．１在外延薄膜生长室中，以Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］、ＳｉＣ或Ｓｉ为衬底，于８００～８５０℃温度下对衬底进行氮化１０～３０分钟；１．２．在５００～７６５℃下生长１０～２０ｎｍ的ＡｌＮ缓冲层；１．３...

本实用新型涉及一种用于高灵敏氦质谱检漏仪的聚焦离子源，由检漏口①、发射针腔②、钨针③、纳米针尖④、引出极⑤、聚焦极⑥和电路系统⑦组成，其特征在于钨针的尖端直径只有５～１０μｍ，在钨针尖上还有纳米针尖，钨针置于发射针腔中，纳米针尖加正偏压...

本发明涉及一类超支化结构的发光高分子，具有以下通式：式中Ａｒ为三苯胺、咔唑、芴等芳香基团。本发明以含有三个溴原子的芳香化合物和９，９－二正己基芴－２，７－二（三亚甲基硼酸酯）为原料，以体积比为４～２∶１的四氢呋喃和蒸馏水作为反应溶剂，以...