天津大学青岛海洋技术研究院专利技术

天津大学青岛海洋技术研究院共有216项专利

  • 面向新型二进制图像传感器的图像重建方法,包括采集光信号、产生电信号、产生二进制数据流、采集二进制数据流、配置图像重建参数、选择图像重建模式、处理二进制数据流、完成图像重建并输出重建之后的图像;该图像重建方法及系统与新型二进制图像传感器高...
  • 一种对数光响应大动态范围像素结构,包括光电二极管、复位晶体管、源极跟随器、选择晶体管、对数响应二极管;光电二极管负极连接到电荷-电压转换节点;正极接地,复位晶体管漏极接电源,源极连接到电荷-电压转换节点,栅极接复位信号;源极跟随器漏极接...
  • 一种高量子效率图像传感器像素结构及其制作方法,该像素基于背照式工艺,对钳位光电二极管n型区结构进行优化,形成“袋状”耗尽区,延伸并覆盖硅衬底背面感光区域,扩大耗尽区面积,提高光生电子的收集效率;同时,在钳位光电二极管p+型钳位层上方引入...
  • 一种可变转换增益低噪声像素结构,包括光电二极管(PD)、电荷转移晶体管(TX)、复位晶体管(RST)、信号转换器(CA)、选择晶体管(SEL)、电流源(I)、采样保持电容(C)、电容置位管(SET)、缓冲器(buffer);该像素结构相...
  • 一种用于图像传感器的误差量化10位单斜ADC,由两级比较器和计数器组成;在此ADC中,DDS过程中采用单一斜坡以提高其运行速度,更重要的是,该ADC可以对读出电路中存在非理想因素进行量化并完成DDS操作。因此,可以减少在DDS期间计数器...
  • 一种全局曝光低噪声高速三维传感器锁相像素及读出方式;其主要由NMOS管M1~M3,光电二极管Photo-detector,NMOS管SF1~SF3,NMOS管Msel1~Msel3,尾电流源I1、I2,双输入高速列并行ADC组成;该像素...
  • 一种实现相关双采样的同步复位脉冲输出像素结构,由光电二极管PD、复位开关Sr、比较器、选择开关S1与S2、反馈开关S3、采样电容Cs以及像素控制逻辑组成;PD连接到比较器正相输入端,并通过复位开关Sr连接到复位电压Vpix;比较器的输出...
  • 一种基于生成对抗网络的图像超分辨率算法,具有两个主要模块:生成网络与判别网络,生成网络要将模糊的低分辨率图像作为输入,并输出一个高分辨率的清晰图像。判别网络则要判断输入图像是真实图像还是生成网络生成的图像,生成网络得到判别网络的反馈之后...
  • 一种基于三维卷积神经网络的活体人脸检测算法,为实现活体人脸检测,将训练图片预处理之后,进行人脸定位,再利用三维卷积神经网络学习连续帧图像的时空特征,然后,时空特征通过softmax(s函数)进行分类,从而完成真实人脸和伪装人脸的分类;本...
  • 一种消除8T CMOS图像传感器信号衰减的供电结构,包含6个行驱动模块、6个VDD端口以及6个VSS端口;行控制信号PC、RST和TG的行驱动模块位于像素阵列的左侧,行控制信号S1、S2和SEL的行驱动模块位于像素阵列的右侧;该供电结构...
  • 一种快速的DVS图像传感器列信号的读出方法,像素阵列触发之后,即产生一次“事件流”,将行请求信号送入行仲裁器进行仲裁处理;当行仲裁器选中其中某一行时,“选址读数”模块迅速判断出该行产生事件的像素位置,随后该行中的事件信息依次通过列总线传...
  • 一种基于半浮栅的7T全局快门像素结构,包含一个半浮栅器件M
  • 一种具有条件相关多采样技术的单斜ADC电路结构,由比较器,计数器,锁存器和CCMS控制部分组成;电容器C2的右极板连接至比较器的负输入端;斜坡电压Vramp1,Vramp2分别经由开关SW2和SW2b连接至电容器C1的左极板;电容器C1...
  • 一种基于检测器的脉冲式图像传感器的光流获取方法,由两个镜像对称的子单元组成,每个子单元中,用两个相邻的区间测量光强,其中一个区间经过低通滤波器延迟,可以看做是两个区间在不同时间的关系得到的,输出是两个子单元乘法器的差分信号;计算时,首先...
  • 一种具有非电容容比值敏感性的乘二开关电容放大器,主要由一个运算放大器、一组采样电容C1、一组保持电容C2和七个联动开关S1~S7组成;该放大器通过同一个电容的两次采样使得放大倍数与电容的比值无关,消除了电容失配对增益精度的影响,实现了对...
  • 一种具有低延迟失真特性的低功耗比较器,该比较器采用全差分结构,具有共模节点和虚拟地,有利于减小比较器的延迟失真。该比较器偏置级采用电流镜结构,可以有效的限制通过输入级的电流,限制比较器功耗。该比较器由10个MOSFET晶体管M1~M10...
  • 一种实现像素内相关双采样的高速全局曝光像素结构,包括光电二极管(PD)、复位晶体管(RST)、电荷传输晶体管(TX)、两个源极跟随器(SF1、SF2)、多功能晶体管(PC)、三个MOS开关(S1、S2、S3)、选择晶体管(SEL)、两个...
  • 一种电荷域采样低噪声像素结构,包括光电二极管PD、电荷传输晶体管TX、像素复位管RSTP、信号转换器SC、选择晶体管SEL、采样保持电容Cs、电容复位管RSTC、读出晶体管READ、缓冲器buffer;VDD为电源电压,GND为0电位,...
  • 一种基于半浮栅的4T像素结构,包含一个半浮栅器件M
  • 具有CDS功能的Cyclic ADC结构,主要包括一个1.5bit的比较器即子ADC、一个1.5bit的数模转换电路即子DAC、一个乘二运算放大器和一个RSD编码电路,其中子DAC和乘二运算放大器共同组成了MDAC即乘法DAC,本发明所...