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天光材料科技股份有限公司专利技术
天光材料科技股份有限公司共有31项专利
有机半导体化合物及包含其的有机光电元件制造技术
本发明为一种有机半导体化合物及包含其的有机光电元件,该有机半导体化合物具有一新颖的化学结构设计,以此有机半导体化合物制备有机光电元件时,能够使用环境友善的非卤素溶剂,且在近红外光波段拥有良好的光响应度及侦测度。
嵌段式共轭高分子材料及应用该高分子材料的主动层材料及有机光电组件制造技术
一种有机光电组件,其包含第一电极、主动层以及第二电极。主动层中的主动层材料包含有式一结构的嵌段式共轭高分子材料:其中第一高分子为具有高能隙的p型高分子,且第一高分子包含有交替排列的第一电子供体及第一电子受体。第二高分子为具有低能隙的p型...
有机半导体聚合物及包含其的有机光电元件制造技术
本发明是关于一种有机半导体聚合物及包含其的有机光电元件,该有机半导体聚合物具有一新颖的化学结构设计,使得该化合物具有良好的红外光范围响应值,适用于有机光电元件,如OPD、OFET或OPV等,于使用时可提供更佳的吸光波长范围和光响应表现。
具有乙烯基的近红外光有机小分子及应用该小分子的主动层材料及有机光电组件制造技术
一种有机光电组件,其包含第一电极、主动层以及第二电极。主动层的主动层材料包含有式一结构的具有乙烯基的近红外光有机小分子:其中o、p独立地选自0~2中任一整数,且o+p>0。Ar1为具有单边稠结构的吸电子基。Ar2为含有酮类及吸电子...
图案化半导体层的方法技术
提供一种图案化半导体层的方法,包括以下操作:形成半导体层于基板上。形成光阻层于半导体层上。图案化光阻层以在光阻层中形成开口暴露出半导体层的暴露区域。以及以溶液溶解半导体层的暴露区域以图案化半导体层,其中溶液包括第一有机溶剂及第二有机溶剂...
电极连接结构及其形成方法技术
本发明提供一种电极连接结构及其形成方法
图案化半导体层的方法技术
一种图案化半导体层的方法包括以下操作:形成第一电极及第二电极于基板上;形成具有第一部份位于第二电极的部份上及第二部份位于基板的边缘部份上的图案化高分子层于基板上;沉积半导体层于图案化高分子层
光电半导体的结构制造技术
本发明为一种光电半导体的结构,其包含一基板、一第一电极、一电极接点、一半导体层以及一第二电极,其中,当半导体层内的光活性层吸收光源产生激子后,激子分离为第一载子跟第二载子,第一载子透过半导体层内的第一界面层传递至第一电极,且第二载子透过...
有机半导体化合物及包含其的有机光电元件制造技术
本发明是关于一种有机半导体化合物及包含其的有机光电元件,该有机半导体化合物具有一新颖的化学结构设计,使得该化合物具有良好的红外光范围响应值,适用于有机光电元件,如OPD、OPV或OFET等,于使用时可提供更佳的吸光波长范围和更好的光电响...
光二极管的结构制造技术
本发明为一种光二极管的结构,其包含一基板,一第一电极设置于该基板上,一电子传递层设置于该第一电极上,一光活性层设置于该电子传递层上,该光活性层包含一P型半导体层及一N型半导体层,该P型半导体层及该N型半导体层具有一组成比例,该组成比例介...
有机半导体化合物及包含其的有机光电元件制造技术
本发明是关于一种有机半导体化合物及包含其的有机光电元件,该有机半导体化合物具有一新颖的化学结构设计,使得该化合物具有良好的红外光范围响应值,适用于有机光电元件,如OPD、OFET或OPV等,于使用时可提供更佳的吸光波长范围和外部量子效率...
有机半导体化合物及包含其的有机光电元件制造技术
本发明是关于一种有机半导体化合物及包含其的有机光电元件,该有机半导体化合物具有一新颖的化学结构设计,使得该化合物具有良好的红外光范围响应值,适用于有机光电元件,如OPD或OFET等,于使用时可提供更佳的吸光波长范围和更低的干扰率。范围和...
光二极管的结构制造技术
本发明为一种光二极管的结构,其包含一基板,一第一电极设置于该基板上,一电子传递层设置于该第一电极上,一光活性层设置于该电子传递层上,该光活性层具有一第一能隙值,一滤光层设置于该光活性层上,该滤光层具有一第二能隙值,一第二电极设置于该滤光...
共轭高分子材料及应用其的有机光电组件制造技术
一种有机光电组件,其主动层包含有式一结构的共轭高分子材料:其中X1与X2独立地选自下列群组中的一种:N、CH和
低能隙小分子材料及应用其的有机光电组件制造技术
一种有机光电组件,包含第一电极、第一载子传递层、主动层、第二载子传递层以及第二电极。第一电极为透明电极。主动层包含有式一结构的低能隙小分子材料:其中o、m、n、p、x及y独立地选自0~2中的任一整数。Ar0、Ar1与Ar2为推电子基。A...
有机半导体装置制造方法及图纸
本发明是关于一种有机半导体装置,其包含一第一电极、一电子传输层、一主动层、一电洞传输层以及一第二电极,其中该主动层包含一电子供体、一或多个电子受体,且该电子供体的HOMO能阶与该电洞传输层所使用的PEDOT:PSS或其衍生物的能阶间的阶...
光电二极管制造技术
本发明涉及一种如光电(OPV)电池或光电检测器(OPD)的光电二极管,于光敏层与电极之间,包含用于改善电极及/或光敏层功函数的电洞选择层(HSL),其中HSL包含含氟聚合物与选择性的导电聚合物,且涉及包含此类含氟聚合物及导电聚合物的组合...
有机半导体制造技术
本发明涉及含有卤代4,8
半导体混合材料及其应用制造技术
本发明提供一种半导体混合材料,包含电子供体、第一电子受体以及第二电子受体。第一电子供体为共轭高分子。第一电子受体的能量间隙小于1.4eV。第二电子受体的分子堆叠性、π-π
有机半导体组合物制造技术
本发明涉及一种包含n型有机半导体(OSC)聚合物和p型OSCs的新型组合物,涉及其作为有机半导体于有机电子(OE)装置中或用于制备有机电子(OE)装置的用途,尤其是有机光伏(OPV)装置、基于钙钛矿的太阳能电池(PSC)装置、有机光电探...
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