电极连接结构及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种电极连接结构及其形成方法

【技术实现步骤摘要】
电极连接结构及其形成方法


[0001]本揭示内容是关于一种电极连接结构及其形成方法
。

技术介绍

[0002]具有主动式矩阵可驱动或读取信号的元件具有诸多应用，例如主动矩阵有机发光二极管
(Active
‑
Matrix Organic Light
‑
Emitting Diode
，
AMOLED)
与影像感测器
(Photodiode Based Image Sensor)。
然而随着光二极管在半导体产业中逐渐微型化，良好的光二极管需避免电极之间因接触造成短路，亦需通过移除电极与外接导线之间连接处的材料，才能避免电极与外接导线之间形成过高电阻而影响电流生成
。
[0003]此外，光二极管材料的选择也从以往基于硅的材料发展至有机半导体材料
、
量子点材料或是钙钛矿材料等
。
相应于材料的转变，光二极管的结构亦改变为由下而上层层堆叠的结构
。
然而此种制造过程使用的光阻类化学品可能与新兴的有机半导体材料
、
量子点材料或是钙钛矿材料等不相容，例如微影制程中使用的极性溶剂可能分解钙钛矿材料，使得基于钙钛矿材料的光二极管图案化困难，难以得到具有良好电极连接结构的光二极管
。
因此，如何得到具有良好电极连接结构且制程方式与现今技术相容的光二极管为必须解决的问题
。

技术实现思路

[0004]本揭示内容是关于一种电极连接结构，在一些实施方式中，电极连接结构包括基板
、
第一电极
、
第二电极
、
半导体层
、
第三电极及导电块
。
第一电极及第二电极位于基板上
。
半导体层位于第一电极及第二电极上
。
第三电极位于半导体层上
。
导电块贯穿半导体层并直接接触第二电极及第三电极，此导电块具有第一上表面与第三电极的第二上表面处于不同平面
。
[0005]在一些实施方式中，导电块更包括延伸部份覆盖第三电极的第二上表面
。
[0006]在一些实施方式中，半导体层包括光活性层
、
载子传递层或其组合，光活性层的材料包括有机半导体
、
量子点
、
钙钛矿或其组合
。
[0007]本揭示内容是关于一种形成电极连接结构之方法，在一些实施方式中，方法包括以下操作：形成第一电极和第二电极于基板上
、
形成半导体层于第一电极和第二电极上
、
形成第三电极于半导体层上
、
形成通孔贯穿第三电极和半导体层以暴露出第二电极，以及沉积直接接触第二电极及第三电极并具有第一上表面与第三电极的第二上表面处于不同平面的导电块于通孔中
。
[0008]在一些实施方式中，形成通孔贯穿第三电极和半导体层以暴露出第二电极包括形成光阻层于第三电极上
、
图案化光阻层以形成开口暴露出第三电极
、
蚀刻开口内的第三电极及第三电极下方的半导体层以形成通孔，以及移除光阻层
。
[0009]在一些实施方式中，形成通孔贯穿第三电极和半导体层以暴露出第二电极包括以激光移除第三电极的部份和半导体层的部份以形成通孔
。
[0010]在一些实施方式中，方法更包括在形成第三电极于半导体层上之前形成遮罩于半导体层的部份上，其中形成通孔贯穿第三电极和半导体层以暴露出第二电极包括以下操作：移除遮罩，其中第三电极具有开口暴露出半导体层的部份；形成图案化光阻层于第三电极上，此图案化光阻层具有开口连通第三电极的开口；蚀刻或剥除第三电极的开口内的半导体层的部份以形成通孔；以及移除光阻层
。
[0011]在一些实施方式中，方法更包括在形成第三电极于半导体层上之前形成遮罩于半导体层的部份上，其中形成通孔贯穿第三电极和半导体层以暴露出第二电极包括以下操作：移除遮罩，其中第三电极具有开口暴露出半导体层的部份；以及以激光移除第三电极的开口内的半导体层的部份以形成通孔
。
[0012]在一些实施方式中，沉积导电块于通孔中包括形成具有开口暴露出通孔的遮罩于第三电极上
、
沉积导电块于通孔中，以及移除遮罩
。
[0013]在一些实施方式中，沉积导电块于通孔中包括形成光阻层于第三电极上和通孔中
、
图案化光阻层以形成开口暴露出通孔
、
沉积导电块于通孔中，以及移除光阻层
。
附图说明
[0014]阅读本揭示内容的附图时，建议从下文叙述了解本揭示的各个面向
。
需注意的是，按照工业的标准做法，各种特征尺寸未依比例绘制
。
为了使讨论更清晰，各种特征尺寸可任意增加或减少
。
[0015]图
1A
至图
1B
是根据本揭示内容一些实施例的电极连接结构剖面图
。
[0016]图
2A
至图
2E
是根据本揭示内容一些实施例形成电极连接结构的中间阶段剖面图
。
[0017]图
3A
至图
3B
是根据本揭示内容一些实施例形成电极连接结构的中间阶段剖面图
。
[0018]图
4A
至图
4E
是根据本揭示内容一些实施例形成电极连接结构的中间阶段剖面图
。
[0019]图
5A
至图
5C
是根据本揭示内容一些实施例形成电极连接结构的中间阶段剖面图
。
[0020]图6是根据本揭示内容一些实施例沉积导电块于通孔中的中间阶段剖面图
。
[0021]图7是根据本揭示内容一些实施例沉积导电块于通孔中的中间阶段剖面图
。
[0022]图
8A
至图
8C
是根据本揭示内容一些实施例沉积导电块于通孔中的中间阶段剖面图
。
[0023]图
9A
至图
9C
是根据本揭示内容一些实施例沉积导电块于通孔中的中间阶段剖面图
。
[0024]【
主要元件符号说明
】
[0025]101:
基板
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
101B:
边缘部份
[0026]103:
第一电极
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
105:
第二电极
[0027]105A:
部份
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
107:
半导体层
[0028]107A:
部份
ꢀꢀ本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种电极连接结构，其特征在于，包括：基板；第一电极及第二电极，位于该基板上；半导体层，位于该第一电极及该第二电极上；第三电极，位于该半导体层上；以及导电块，贯穿该半导体层及该第三电极，直接接触该第二电极及该第三电极，该导电块具有第一上表面与该第三电极的第二上表面处于不同平面
。2.
根据权利要求1所述的电极连接结构，其特征在于，该导电块更包括延伸部份覆盖该第三电极的该第二上表面
。3.
根据权利要求1所述的电极连接结构，其特征在于，该半导体层包括光活性层
、
载子传递层或其组合，该光活性层的材料包括有机半导体
、
量子点
、
钙钛矿或其组合
。4.
一种形成电极连接结构的方法，其特征在于，包括：形成第一电极和第二电极于基板上；形成半导体层于该第一电极和该第二电极上；形成第三电极于该半导体层上；形成通孔贯穿该第三电极和该半导体层以暴露出该第二电极；以及沉积导电块于该通孔中，该导电块直接接触该第二电极及该第三电极，且该导电块的第一上表面与该第三电极的第二上表面处于不同平面
。5.
根据权利要求4所述的方法，其特征在于，形成该通孔贯穿该第三电极和该半导体层以暴露出该第二电极包括：形成光阻层于该第三电极上；图案化该光阻层以形成开口暴露出该第三电极；蚀刻该开口内的该第三电极及该第三电极下方的该半导体层以形成该通孔；以及移除该光阻层
。6.
根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：张怡鸣，
申请(专利权)人：天光材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：