【技术实现步骤摘要】
本揭示内容是关于一种图案化半导体层的方法。
技术介绍
1、半导体电子元件的材料从硅基材料逐渐发展至有机半导体材料，例如非交联有机高分子、有机小分子、富勒烯衍生物、借由有机分子包覆而得以分散的纳米粒子等。一般而言，良好的半导体电子元件需避免短路及因材料残留而造成的电阻过高等问题，因此如何图案化上述新型态的有机半导体材料并得到所需的图案成为亟需解决的问题。
2、传统的图案化方法包括湿蚀刻及干蚀刻，然而湿蚀刻使用的酸性或碱性溶液无法图案化上述新型态的有机半导体材料，甚至会对有机半导体材料造成伤害，使其失去原有特性。干蚀刻则仰赖真空设备及蚀刻气体的使用，不仅成本高，不便利，亦使工艺过程更复杂。有鉴于此，需要发展新颖的图案化有机半导体材料的方法以克服上述问题。
技术实现思路
1、在一些实施方式中，本揭示内容提供一种图案化半导体层的方法，包括以下操作：形成半导体层于基板上。形成光阻层于半导体层上。图案化光阻层，以在光阻层中形成开口暴露出半导体层的暴露区域。以及以溶液溶解半导体层的暴露区域，以图案化半导体层，其中溶液包括第一有机溶剂及第二有机溶剂，第一有机溶剂对该半导体层的溶解度大于1mg/ml，且第二有机溶剂对半导体层的溶解度小于等于1mg/ml。
2、在一些实施方式中，半导体层包括至少一个第一型分子、至少一个第二型分子、至少一个第三型分子或其组合，其中第一型分子具有以下式(1)至式(11)任一结构：第二型分子具有以下式(12)至式(16)任一结构：以及第三型分子具有以
3、在一些实施方式中，第一有机溶剂包括氯仿、氯苯、邻二氯苯、1,2,4-三氯苯、邻二甲苯、甲苯、四氢化萘、四氢呋喃、二氯甲烷或其组合。
4、在一些实施方式中，第二有机溶剂包括正庚烷、甲醇、2-丙醇、1-丁醇、乙醇、水或其组合。
5、在一些实施方式中，当半导体层包括至少一个第一型分子时，第一有机溶剂包括氯仿、氯苯、邻二氯苯、1,2,4-三氯苯、邻二甲苯、甲苯、四氢化萘、四氢呋喃、二氯甲烷或其组合，以及第二有机溶剂包括正庚烷、甲醇、2-丙醇、1-丁醇、乙醇、水、乙酸乙酯、丙酮或其组合。
6、在一些实施方式中，当半导体层包括至少一个第二型分子时，第一有机溶剂包括氯仿、氯苯、邻二氯苯、1,2,4-三氯苯、邻二甲苯、甲苯、四氢化萘、四氢呋喃、二氯甲烷、乙酸乙酯、丙酮或其组合，以及第二有机溶剂包括正庚烷、甲醇、2-丙醇、1-丁醇、乙醇、水或其组合。
7、在一些实施方式中，当半导体层包括至少一个第三型分子时，第一有机溶剂包括氯仿、氯苯、邻二氯苯、1,2,4-三氯苯、邻二甲苯、甲苯、四氢化萘、四氢呋喃、二氯甲烷、乙酸乙酯或其组合，以及第二有机溶剂包括正庚烷、甲醇、2-丙醇、1-丁醇、乙醇、水、丙酮或其组合。
8、在一些实施方式中，第一有机溶剂与第二有机溶剂的体积比介于5：1至50：1之间。
9、在一些实施方式中，方法更包括在图案化半导体层之后，以第二有机溶剂冲洗图案化的半导体层，以移除第一有机溶剂。
10、在一些实施方式中，方法更包括在形成光阻层之前，形成保护层113于半导体层上。
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1.一种图案化半导体层的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该半导体层包括至少一个第一型分子、至少一个第二型分子、至少一个第三型分子或其组合，其中该第一型分子具有以下式(1)至式(11)任一结构：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，该第一有机溶剂包括氯仿、氯苯、邻二氯苯、1,2,4-三氯苯、邻二甲苯、甲苯、四氢化萘、四氢呋喃、二氯甲烷或其组合。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，该第二有机溶剂包括正庚烷、甲醇、2-丙醇、1-丁醇、乙醇、水或其组合。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当该半导体层包括该至少一个第一型分子时，该第一有机溶剂包括氯仿、氯苯、邻二氯苯、1,2,4-三氯苯、邻二甲苯、甲苯、四氢化萘、四氢呋喃、二氯甲烷或其组合，以及该第二有机溶剂包括正庚烷、甲醇、2-丙醇、1-丁醇、乙醇、水、乙酸乙酯、丙酮或其组合。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当该半导体层包括该至少一个第二型分子时，该第一有机溶剂包括氯仿、氯苯、邻二氯苯、1,2,4-三氯苯、邻
7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当该半导体层包括该至少一个第三型分子时，该第一有机溶剂包括氯仿、氯苯、邻二氯苯、1,2,4-三氯苯、邻二甲苯、甲苯、四氢化萘、四氢呋喃、二氯甲烷、乙酸乙酯或其组合，以及该第二有机溶剂包括正庚烷、甲醇、2-丙醇、1-丁醇、乙醇、水、丙酮或其组合。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一有机溶剂与该第二有机溶剂的体积比介于5：1至50：1之间。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，更包括在图案化该半导体层之后，以该第二有机溶剂冲洗图案化的该半导体层，以移除该第一有机溶剂。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，更包括在形成该光阻层之前，形成一保护层于该半导体层上。
...【技术特征摘要】
1.一种图案化半导体层的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该半导体层包括至少一个第一型分子、至少一个第二型分子、至少一个第三型分子或其组合，其中该第一型分子具有以下式(1)至式(11)任一结构：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，该第一有机溶剂包括氯仿、氯苯、邻二氯苯、1,2,4-三氯苯、邻二甲苯、甲苯、四氢化萘、四氢呋喃、二氯甲烷或其组合。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，该第二有机溶剂包括正庚烷、甲醇、2-丙醇、1-丁醇、乙醇、水或其组合。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当该半导体层包括该至少一个第一型分子时，该第一有机溶剂包括氯仿、氯苯、邻二氯苯、1,2,4-三氯苯、邻二甲苯、甲苯、四氢化萘、四氢呋喃、二氯甲烷或其组合，以及该第二有机溶剂包括正庚烷、甲醇、2-丙醇、1-丁醇、乙醇、水、乙酸乙酯、丙酮或其组合。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当该半导体层包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：张怡鸣，蔡佳桦，苏信远，
申请(专利权)人：天光材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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