图案化半导体层的方法技术

一种图案化半导体层的方法包括以下操作：形成第一电极及第二电极于基板上；形成具有第一部份位于第二电极的部份上及第二部份位于基板的边缘部份上的图案化高分子层于基板上；沉积半导体层于图案化高分子层

【技术实现步骤摘要】
图案化半导体层的方法


[0001]本揭示内容是关于一种图案化半导体层的方法
。

技术介绍

[0002]具有主动式矩阵可驱动或读取信号的元件具有诸多应用，例如主动矩阵有机发光二极管
(Active
‑
Matrix Organic Light
‑
Emitting Diode
，
AMOLED)
与影像感测器
(Photodiode Based Image Sensor)。
随着光二极管在半导体产业逐渐微型化，良好的光二极管需通过移除电极与外接导线之间连接处的材料，才能避免电极与外接导线之间形成过高电阻，进而影响电流生成
。
而且光二极管周围的材料也需移除，以形成良好的封装，维持功能元件的稳定性
。
因此，光二极管的制程中材料的移除是否干净以及是否位于适当位置移除就显得至关重要
。
[0003]除此之外，光二极管的材料选择也从以往基于硅的材料发展至有机半导体材料
、
量子点材料或是钙钛矿材料等
。
相应于材料的转变，光二极管的结构亦改变为由下而上层层堆叠的结构
。
此种结构在制造过程所使用的光阻类化学品可能与新兴的有机半导体材料
、
量子点材料或是钙钛矿材料等不相容，例如微影制程中使用的化学物质可能分解有机半导体材料
、
量子点
、
钙钛矿材料，使得基于钙钛矿材料的光二极管图案化困难，难以得到良好
、
不因材料残留而造成过高电阻的电极与外接导线的连接，或是良好
、
不因材料残留而造成功能元件受损的封装
。

技术实现思路

[0004]本揭示内容是关于一种图案化半导体层的方法，在一些实施方式中方法包括以下操作：形成第一电极及第二电极于基板上；形成具有第一部份位于第二电极的部份上及第二部份位于基板的边缘部份上的图案化高分子层于基板上；沉积半导体层于图案化高分子层
、
基板及第一电极上；移除图案化高分子层的第一部份及位于第一部份上的半导体层，以在半导体层中形成通孔暴露出第二电极的部份；以及沉积导电块于半导体层上及通孔中
。
[0005]在一些实施方式中，方法更包括在移除图案化高分子层的第一部份及位于第一部份上的半导体层时，同时移除图案化高分子层的第二部份及位于第二部份上的半导体层，以暴露出基板的边缘部份
。
[0006]在一些实施方式中，方法更包括在沉积导电块于半导体层上及通孔中之后，移除图案化高分子层的第二部份及位于第二部份上的半导体层，以暴露出基板的边缘部份
。
[0007]在一些实施方式中，半导体层包括光活性层
、
载子传递层及其组合，光活性层的材料包括有机半导体
、
量子点
、
钙钛矿或其组合
。
[0008]在一些实施方式中，图案化高分子层包括环氧树酯
、
聚酰亚胺
、
压克力或其组合
。
[0009]在一些实施方式中，图案化高分子层的第二部份在俯视下具有位于基板的边缘部份上的连续形状
。
[0010]在一些实施方式中，方法更包括在形成图案化高分子层于基板上之前，形成离型
层于基板上，以及在移除图案化高分子层的第一部份及位于第一部份上的半导体层时，同时移除第一部份下的离型层
。
[0011]在一些实施方式中，方法更包括移除图案化高分子层的第二部份
、
第二部份上的半导体层及第二部份下的离型层，以暴露出基板的边缘部份
。
[0012]在一些实施方式中，方法更包括沉积导电块于半导体层上及通孔中之后，移除图案化高分子层的第二部份
、
第二部份上的半导体层及第二部份下的离型层，以暴露出基板的边缘部份
。
[0013]在一些实施方式中，离型层包括包括水溶性高分子
、
含氟有机分子或其组合
。
附图说明
[0014]阅读本揭示内容的附图时，建议从下文叙述了解本揭示的各个面向
。
需注意的是，按照工业的标准做法，各种特征尺寸未依比例绘制
。
为了使讨论更清晰，各种特征尺寸可任意增加或减少
。
[0015]图1是根据本揭示内容一些实施例所形成的光二极管结构的剖面图
。
[0016]图2是根据本揭示内容一些实施例图案化半导体层以形成光二极管结构的方法流程图
。
[0017]图3是根据本揭示内容一些包括离形层的实施例图案化半导体层以形成光二极管结构的方法流程图
。
[0018]图4至图6是根据本揭示内容一些实施例图案化半导体层以形成光二极管结构的中间阶段剖面图
。
[0019]图7是根据本揭示内容一些实施例图案化半导体层以形成光二极管结构的中间阶段俯视图
。
[0020]图
8A
至图
8B
是根据本揭示内容一些实施例图案化半导体层以形成光二极管结构的中间阶段剖面图
。
[0021]图
9A
至图
9C
是根据本揭示内容一些实施例图案化半导体层以形成光二极管结构的中间阶段剖面图
。
[0022]图
10
至图
12
是根据本揭示内容一些包括离形层的实施例图案化半导体层以形成光二极管结构的中间阶段剖面图
。
[0023]图
13
是根据本揭示内容一些包括离形层的实施例图案化半导体层以形成光二极管结构的中间阶段俯视图
。
[0024]图
14A
至图
14B
是根据本揭示内容一些包括离形层的实施例图案化半导体层以形成光二极管结构的中间阶段剖面图
。
[0025]图
15A
至图
15C
是根据本揭示内容一些包括离形层的实施例图案化半导体层以形成光二极管结构的中间阶段剖面图
。
[0026]【
主要元件符号说明
】
[0027]101:
基板
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
101B:
边缘部份
[0028]103:
第一电极
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
105:
第二电极
[0029]105A:
部份
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
107:
半导体层
[0030]109:
导电块
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
111:
封装层
[0031]113:
图案本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种图案化半导体层的方法，其特征在于，包括：形成第一电极及第二电极于基板上；形成图案化高分子层于该基板上，该图案化高分子层具有第一部份位于该第二电极的一部份上，以及第二部份位于该基板的边缘部份上；沉积半导体层于该图案化高分子层
、
该基板及该第一电极上；移除该图案化高分子层的该第一部份及位于该第一部份上的该半导体层，以在该半导体层中形成通孔暴露出该第二电极的该部份；以及沉积导电块于该半导体层上及该通孔中
。2.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，更包括：在移除该图案化高分子层的该第一部份及位于该第一部份上的该半导体层时，同时移除该图案化高分子层的该第二部份及位于该第二部份上的该半导体层，以暴露出该基板的该边缘部份
。3.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，更包括：在沉积该导电块于该半导体层上及该通孔中之后，移除该图案化高分子层的该第二部份及位于该第二部份上的该半导体层，以暴露出该基板的该边缘部份
。4.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该半导体层包括光活性层
、
载子传递层或其组合，该光活性层的材料包括有机半导体
、
量子点
、
钙钛矿或其组合
。5.
...

【专利技术属性】
技术研发人员：张怡鸣，
申请(专利权)人：天光材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：