光电半导体的结构制造技术

本发明专利技术为一种光电半导体的结构，其包含一基板、一第一电极、一电极接点、一半导体层以及一第二电极，其中，当半导体层内的光活性层吸收光源产生激子后，激子分离为第一载子跟第二载子，第一载子透过半导体层内的第一界面层传递至第一电极，且第二载子透过穿隧效应直接由第二电极传递至电极接点。第二电极传递至电极接点。第二电极传递至电极接点。

【技术实现步骤摘要】
光电半导体的结构


[0001]本专利技术是关于一种结构，特别是一种光电半导体的结构。

技术介绍

[0002]影像传感器以技术分类可分为CMOS Image Sensors(CIS)与TFT
‑
based image Sensors。原理均为利用光传感器Photodetector(PD)，搭配下层CMOS或TFT作为读出电路(ROIC)，光传感器Photodetector(PD)主体多为一光二极管(Photodiode)，传统以硅(Silicon)为主流使用的材料。
[0003]随着近年来，在应用上的诸多需求增加(更高灵敏度、更长的感应波长范围、更具性价比的制造成本，许多新世代材料系统所衍生的光二极管组件亦崭露头角，如有机光传感器(organic photodetector)、量子点光传感器(quantum dot photodetector)、钙钛矿光测器(Perovskite photodetector)等，而在组件结构上，新世代材料的光传感器也有别于传统Silicon的PD，制程上主要均为由下而上层层堆栈而成。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电半导体的结构，其特征在于，其包含：一基板；一第一电极，其设置于该基板上；一电极接点，其设置于该基板上，并设于该第一电极的一侧；一半导体层，其设置于该第一电极及该电极接点的上方，该半导体层包含一第一界面层以及一光活性层，该光活性层覆设于第一界面层上，该第一界面层一侧覆设于该第一电极及该电极接点上；以及一第二电极，其覆设于该半导体层上；其中，当该光活性层吸收一光源产生一激子后，该激子分离为一第一载子跟一第二载子，该第一载子透过该第一界面层传递至该第一电极，进一步，该第二载子透过一穿隧效应直接由该第二电极传递至该电极接点。2.如权利要求1所述的光电半导体的结构，其特征在于，其中该基板为硅基板、聚酰亚胺基版、玻璃基板、聚苯二甲酸乙二酯基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯基板、蓝宝石基板、石英基板或陶瓷基板，该第一电极为金属氧化物、金属或合金。3.如权利要求1所述的光电半导体的结构，其特征在于，其中该电极接点为金属氧化物、金属或合金。4.如权利要求1所述的光电半导体的结构，其特征在于，其中该半导体层布满于该第一电极及该电极接点的周围。5.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：张怡鸣，吴昭霖，孙梓菀，
申请(专利权)人：天光材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：