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本发明为一种光电半导体的结构，其包含一基板、一第一电极、一电极接点、一半导体层以及一第二电极，其中，当半导体层内的光活性层吸收光源产生激子后，激子分离为第一载子跟第二载子，第一载子透过半导体层内的第一界面层传递至第一电极，且第二载子透过穿隧...
该专利属于天光材料科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天光材料科技股份有限公司授权不得商用。

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