光二极管的结构制造技术

本发明专利技术为一种光二极管的结构，其包含一基板，一第一电极设置于该基板上，一电子传递层设置于该第一电极上，一光活性层设置于该电子传递层上，该光活性层具有一第一能隙值，一滤光层设置于该光活性层上，该滤光层具有一第二能隙值，一第二电极设置于该滤光层上，其中，该第二能隙值大于该第一能隙值，该第二能隙值与该第一能隙值具有一能隙比值，该能隙比值大于1且小于等于3。1且小于等于3。1且小于等于3。

【技术实现步骤摘要】
光二极管的结构


[0001]本专利技术关于一种结构，特别是一种可自体过滤特定波长的光二极管的结构。

技术介绍

[0002]泛见的光传感器Photodetector(PD)主要由一光二极管(Photodiode)构成。在过去主要以Silicon为主流使用的材料。而随着近年来，在更高灵敏度、更长的感应波长范围、更具高性价比的制造成本等需求增加下。
[0003]许多新世代材料统所衍生的光二极管组件亦崭露头角。如有机光传感器(organic photodetector,OPD)、量子点光传感器(quantum dot photodetector,QDPD)、钙钛矿光测器(Perovskite photodetector,PPD)等。
[0004]光传感器属于影像传感器产品中的组件之一，结构上能够有效将光传感器所产生的电流讯号转为数字讯号，一般则需要搭配一读取电路(readout integrated circuit,ROIC)。
[0005]在应用属性分类上，ROIC可分为两大类，互补式金属氧化物半导体(Complementar本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光二极管的结构，其特征在于，其透过一外部光源转换一电流值，其包含：一基板；一第一电极，其设置于该基板上；一电子传递层，其设置于该第一电极上；一光活性层，其设置于该电子传递层上，该光活性层具有一第一能隙值；一滤光层，其设置于该光活性层上，该滤光层具有一第二能隙值；以及一第二电极，其设置于该滤光层上；其中，该第二能隙值大于该第一能隙值，该第二能隙值与该第一能隙值具有一能隙比值，该能隙比值大于1且小于等于3。2.如权利要求1所述的光二极管的结构，其特征在于，其中该基板使用硅基板、聚酰亚胺基板、玻璃基板、聚苯二甲酸乙二酯基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯基板、蓝宝石基板、石英基板或陶瓷基板。3.如权利要求1所述的光二极管的结构，其特征在于，其中该第一电极为一透明电极或一金属电极，其中，该透明电极选自于金属氧化物、导电高分子、石墨烯、奈米碳管、金属奈米线、金属网格，或上述材料任意搭配组合所构成，该金属电极选自于铝、银、金、铜、钨、钼、钛或上述金属材料以不同比例或搭配不同元素制作的复合金属电极。4.如权利要求1所述的光二极管的结构，其特征在于，其中该电子传递层选自于SnO2、ZnO、TiO2、Cs2CO3、Nb2O5、PDMAEMA及PFN
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Br所组成的群组的其中之一。5.如权利要求1所述的光二极管的结构，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：张怡鸣，蔡坤伟，
申请(专利权)人：天光材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：