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TCL集团股份有限公司专利技术
TCL集团股份有限公司共有3757项专利
复合材料及其制备方法、应用、发光二极管及其制备方法技术
本发明属于纳米材料技术领域,具体涉及一种复合材料及其制备方法、应用、发光二极管及其制备方法。所述复合材料包括二氧化铈纳米颗粒和包覆在所述二氧化铈纳米颗粒表面的二氧化钛层。该复合材料以宽带隙半导体二氧化钛包覆带隙相对较窄的半导体二氧化铈,...
复合材料及其制备方法、应用、发光二极管及其制备方法技术
本发明属于纳米材料技术领域,具体涉及一种复合材料及其制备方法、应用、发光二极管及其制备方法。所述复合材料包括三氧化钼纳米颗粒以及掺杂在所述三氧化钼纳米颗粒中的镁元素和镍元素。该复合材料中Mg-Ni共掺杂后所形成的受主能级提高更多,受主能...
复合材料及其制备方法、应用、发光二极管及其制备方法技术
本发明属于纳米材料技术领域,具体涉及一种复合材料及其制备方法、应用、发光二极管及其制备方法。所述复合材料包括二氧化铈纳米颗粒以及掺杂在所述二氧化铈纳米颗粒中的氮元素和铌元素。N-Nb的共掺杂可使CeO2中电子费米能级移动到导带,使得Ce...
复合材料及其制备方法、应用、发光二极管及其制备方法技术
本发明属于纳米材料技术领域,具体涉及一种复合材料及其制备方法、应用、发光二极管及其制备方法。所述复合材料包括二氧化铈纳米颗粒以及掺杂在所述二氧化铈纳米颗粒中的钼元素。掺杂Mo元素增加了净电子,使CeO2的载流子浓度增加,降低电阻率,从而...
纳米材料及其制备方法、量子点发光二极管及其制备方法技术
本发明提供了一种纳米材料,所述纳米材料包括Alq3纳米材料和掺杂在Alq3晶格中的Er元素。通过在Alq3晶格中掺杂Er元素,有效提高Alq3纳米材料的电子传输性能。纳米材料的电子传输性能。纳米材料的电子传输性能。
纳米材料及其制备方法、量子点发光二极管及其制备方法技术
本发明提供了一种纳米材料,所述纳米材料为核壳结构纳米材料,包括NiO纳米颗粒和包覆在所述NiO纳米颗粒表面的PEDOT壳层。本发明实施例提供的纳米材料核壳结构纳米材料,通过在所述NiO纳米颗粒表面包覆PEDOT壳层,PEDOT壳层发挥载...
发光二极管及其制备方法技术
本发明属于显示技术领域,尤其涉及一种发光二极管及其制备方法。本发明提供的发光二极管包括:相对设置的阳极和阴极,设置在阳极和阴极之间的发光层,设置在阴极和发光层之间的电子传输层,电子传输层包括:二氧化铈层和富勒烯衍生物层,富勒烯衍生物层设...
发光二极管制造技术
本发明属于显示技术领域,尤其涉及一种发光二极管。本发明提供的发光二极管,包括相对设置的阴极和阳极,设置在阴极和阳极之间的发光层,阳极包括依次层叠设置的钼源层、银金属层和氧化钨层,且所述氧化钨层设置在背离所述发光层的一面。解决了现有阳极由...
光子晶体及其制备方法和发光二极管技术
本发明属于发光材料技术领域,具体涉及一种光子晶体及其制备方法和发光二极管。所述光子晶体包括本体结构及多个量子点,所述本体结构由稀土发光材料构成,所述多个量子点分散在所述本体结构的内部,所述量子点能够吸收稀土发光材料产生的部分发射光,所述...
量子点光电探测器及其制备方法技术
本发明属于光电探测器技术领域,尤其涉及一种量子点光电探测器,包括相对设置的N型半导体层和P型半导体层,以及设置在所述N型半导体层和所述P型半导体层之间的量子点层,所述P型半导体层包括复合金属氧化物,所述复合金属氧化物的分子式为A
油墨及量子点薄膜和量子点发光二极管制造技术
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种油墨及量子点薄膜和量子点发光二极管。所述油墨包括有机溶剂和分散在所述有机溶剂中的量子点和嵌段共聚物,所述嵌段共聚物的分子通式为巯基-聚苯乙烯-A-R;其中,A为说明书中式I的嵌段链,R为脂肪族基团或芳...
油墨及其应用和量子点薄膜的制备方法技术
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种油墨及其应用和量子点薄膜的制备方法。所述油墨包括溶剂和分散在所述溶剂中的量子点,所述溶剂包括具有如说明书式I所示的第一有机溶剂;其中,式I中,R1选自烷基、取代的烷基、环烷基、取代的环烷基中的至少一种...
一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管技术
本发明公开一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管,所述纳米材料包括:ZnO纳米颗粒,所述ZnO纳米颗粒中掺杂有In元素和S元素。本发明提供了一种施主(In)和受主(S)共掺杂ZnO纳米颗粒的纳米材料作为器件的电子传输层材料,通过引入...
一种油溶性量子点的后处理方法技术
本发明公开一种油溶性量子点的后处理方法,包括步骤:提供含有阳离子前驱体的油溶性量子点混合液;将所述油溶性量子点混合液与非极性溶剂进行混合处理,得到第一混合溶液;向第一混合溶液中加入有机胺进行反应,得到第二混合溶液;向第二混合溶液中加入极...
纳米材料及其制备方法和发光二极管技术
本发明属于显示技术领域,尤其涉及一种纳米材料及其制备方法和发光二极管。本发明提供的纳米材料包括:量子点和表面配体,表面配体连接量子点,且表面配体含有琥珀酸酯磺酸根离子。该纳米材料分散性好,稳定性高,具有良好的发光性能。发光性能。发光性能。
量子点复合材料及其制备方法、量子点发光二极管技术
本发明提供了一种量子点复合材料,包括量子点、热致延迟荧光材料以及单壁碳纳米角,其中,所述单壁碳纳米角和所述量子点结合在所述热致延迟荧光材料表面。本发明提供的量子点复合材料提高了量子点的发光效率。合材料提高了量子点的发光效率。合材料提高了...
一种复合材料、量子点发光二极管及其制备方法技术
本发明公开一种复合材料、量子点发光二极管及其制备方法,所述复合材料的制备方法包括:提供含有锌盐、硫源的混合溶液;向所述混合溶液中加入黑磷量子点材料,进行第一反应处理,获得所述复合材料。本发明通过合成含有硫化锌的复合材料的方法,在硫化锌合...
量子点发光二极管的制备方法技术
本发明属于显示技术领域,尤其涉及一种量子点发光二极管的制备方法。本发明提供的制备方法包括以下制备载流子传输层的步骤:提供基质,基质上形成有:量子点发光层;提供配体溶液,配体溶液包含:铵盐、有机胺、酯类化合物和酚类化合物中的至少一种;将配...
复合电极和发光二极管制造技术
本发明属于显示领域,尤其涉及一种复合电极和发光二极管。本发明提供的复合电极包括:相对设置的第一钼源层和第二钼源层,以及设置在第一钼源层和第二钼源层之间的金属层。本发明还提供了一种发光二极管,以上述复合电极作为底电极,具有良好的导电性能和...
一种发光二极管、发光二极管的外延结构及其制备方法技术
本申请适用于半导体器件技术领域,提供了一种发光二极管、发光二极管的外延结构及其制备方法,所述外延结构包括依序叠加的衬底、N型层、有源区以及P型层,通过在所述有源区内形成极化处理后的铁电材料,从而在有源区中产生电场,以补偿有源区中的极化电...
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