发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术属于显示技术领域，尤其涉及一种发光二极管及其制备方法。本发明专利技术提供的发光二极管包括：相对设置的阳极和阴极，设置在阳极和阴极之间的发光层，设置在阴极和发光层之间的电子传输层，电子传输层包括：二氧化铈层和富勒烯衍生物层，富勒烯衍生物层设置于二氧化铈层背离发光层的表面；其中，富勒烯衍生物层的材料为[6,6]-苯基-C61-丁酸异甲酯和/或[6,6]-苯基-C61-丁酸，提高了发光二极管的发光效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管及其制备方法


[0001]本专利技术属于显示
，尤其涉及一种发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)是一种电致发光器件，由于具有特有的光学尺寸依赖性、发光峰窄、发光效率高、色纯度高等优点，在固态照明、平板显示等领域具有广泛的应用前景，受到了学术界以及产业界的广泛关注。
[0003]目前，QLED主要包括：相对设置的阳极和阴极，设置在阳极和阴极之间的量子点发光层，设置在阴极和发光层之间的电子传输层。其发光原理主要为：在外界电场的驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入，然后在发光层复合形成激子发光。其中，电子传输层的电子迁移效率和能级结构直接决定了电子注入效率，对QLED的发光效率起着至关重要的作用，寻找一种合适的电子传输层以提高QLED的发光效率成为了本领域技术人员的研究焦点。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的在于提供一种发光二极管，以提高发光二极管的发光效率。
[0005]本专利技术的另一目的在于提供上述发光二极管的制备方法。
[0006]为实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案如下：
[0007]一种发光二极管，包括：相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的发光层，设置在所述阴极和所述发光层之间的电子传输层，所述电子传输层包括：二氧化铈层和富勒烯衍生物层，所述富勒烯衍生物层设置于所述二氧化铈层背离所述发光层的表面；<br/>[0008]其中，所述富勒烯衍生物层的材料包括[6,6]-苯基-C61-丁酸异甲酯和/或[6,6]-苯基-C61-丁酸。
[0009]本专利技术提供的发光二极管，其电子传输层包括二氧化铈层和富勒烯衍生物层，且富勒烯衍生物层设置于二氧化铈层背离发光层的表面，富勒烯衍生物层的材料为[6,6]-苯基-C61-丁酸异甲酯(PCBM)和/或[6,6]-苯基-C61-丁酸(PCBA)。在二氧化铈层的表面引入富勒烯衍生物层，PCBM和PCBA的导带位置低于CeO2，且PCBM和PCBA的导带位置与CeO2的费米能级位置接近，当CeO2层与富勒烯衍生物层间有很好的电接触时，富勒烯衍生物层的能级可被拉平，电子由阴极通过富勒烯衍生物层能更好地传输到CeO2的导带，降低了电子注入势垒，减少了接触电阻，促进电子从阴极注入电子传输层；与此同时，富勒烯衍生物具有共轭笼状碳分子结构，具有优异的电子容纳能力，电子迁移性能高，将富勒烯衍生物层与二氧化铈层复合形成电子传输层，可显著提高发光二极管中的电子传输效率，提升发光二极管的发光效率。
[0010]相应的，一种发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
[0011]获取基片，所述基片包括：阳极和设置在所述阳极上的发光层；
[0012]在所述发光层上沉积二氧化铈层以及在所述二氧化铈层上沉积富勒烯衍生物层，形成电子传输层；所述富勒烯衍生物层的材料包括[6,6]-苯基-C61-丁酸异甲酯和/或[6,6]-苯基-C61-丁酸；
[0013]在所述富勒烯衍生物层上沉积阴极；
[0014]或，所述发光二极管的制备方法包括以下步骤：
[0015]在阴极上沉积富勒烯衍生物层以及在所述富勒烯衍生物层上沉积二氧化铈层，形成电子传输层；所述富勒烯衍生物层的材料包括[6,6]-苯基-C61-丁酸异甲酯和/或[6,6]-苯基-C61-丁酸；
[0016]在所述二氧化铈层上沉积发光层以及在所述发光层上沉积所述阳极。
[0017]本专利技术提供的发光二极管的制备方法，通过沉积二氧化铈层和富勒烯衍生物层形成电子传输层，方法简单，操作简便，易于量产。本专利技术方法在二氧化铈层上沉积富勒烯衍生物层，或在富勒烯衍生物层上沉积二氧化铈层，降低了电子注入势垒，减少了接触电阻，促进电子从阴极注入电子传输层，提高了发光二极管中的电子传输效率，从而提升了发光二极管的发光效率。
附图说明
[0018]图1为本专利技术实施例提供的一种发光二极管的结构示意图；
[0019]图2为本专利技术实施例提供的一种发光二极管的结构示意图；
[0020]图3为本专利技术实施例提供的一种发光二极管的制备方法的流程图；
[0021]图4为本专利技术实施例提供的一种发光二极管的制备方法的流程图。
具体实施方式
[0022]为了使本专利技术要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0023]一种发光二极管，包括：相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的发光层，设置在所述阴极和所述发光层之间的电子传输层，所述电子传输层包括：二氧化铈层和富勒烯衍生物层，所述富勒烯衍生物层设置于所述二氧化铈层背离所述发光层的表面；
[0024]其中，所述富勒烯衍生物层的材料包括[6,6]-苯基-C61-丁酸异甲酯和/或[6,6]-苯基-C61-丁酸。
[0025]具体地，如图1所示，所述电子传输层包括：二氧化铈层和富勒烯衍生物层，所述富勒烯衍生物层设置于所述二氧化铈层背离所述发光层的表面，所述富勒烯衍生物层的材料包括[6,6]-苯基-C61-丁酸异甲酯和/或[6,6]-苯基-C61-丁酸。
[0026]二氧化铈(CeO2)是一种禁带宽度为2.6-3.4eV的直接带隙宽禁带半导体材料，是一种廉价的轻稀土氧化物。由于CeO2具有较高的导带位置(2.8eV)，其与阴极之间具有较大的势垒，不利于电子注入，因而，单独采用二氧化铈层为电子传输层的发光二极管具有低电子注入效率的缺陷，发光效率较低。
[0027]富勒烯衍生物具有富勒烯的共轭笼状碳分子结构，具有优异的电子容纳能力，电
子迁移性能高富勒烯衍生物。不同于单独以二氧化铈层或富勒烯衍生物层为电子传输层的方案，本专利技术实施例在二氧化铈层的表面引入富勒烯衍生物层，PCBA的导带位置(4.3eV)低于CeO2(2.8eV)，且PCBA的导带位置与CeO2的费米能级位置接近，当CeO2层与富勒烯衍生物层间有很好的电接触时，富勒烯衍生物层的能级可被拉平，电子由阴极通过富勒烯衍生物层能更好地传输到CeO2的导带，降低了电子注入势垒，减少了接触电阻，促进电子从阴极注入电子传输层。
[0028]所述发光二极管中，所述富勒烯衍生物层的材料为[6,6]-苯基-C61-丁酸异甲酯和/或[6,6]-苯基-C61-丁酸。在一些实施例中，所述富勒烯衍生物层的材料优选为[6,6]-苯基-C61-丁酸(PCBA)。PCBA为PCBM在碱性条件下水解形成的产物，PCBA可通过羧基与二氧化铈层界面的一个或两个铈原子发生双齿键合，使得富勒烯衍生物层与二氧化铈层之间的界面结合得更为紧密，可进一步提升所述电子传输层的电子注入效率。
[0029]作为一种实施方式，所述电子传输层为二氧化铈层和富勒烯衍生物层，所述富勒烯衍生物层设置于所述二氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，包括：相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的发光层，设置在所述阴极和所述发光层之间的电子传输层，其特征在于，所述电子传输层包括：二氧化铈层和富勒烯衍生物层，所述富勒烯衍生物层设置于所述二氧化铈层背离所述发光层的表面；其中，所述富勒烯衍生物层的材料包括[6,6]-苯基-C61-丁酸异甲酯和/或[6,6]-苯基-C61-丁酸。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述电子传输层为二氧化铈层和富勒烯衍生物层，所述富勒烯衍生物层设置于所述二氧化铈层背离所述发光层的表面。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述二氧化铈层的厚度为30-50纳米；和/或所述富勒烯衍生物层的厚度为10-30纳米。4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述富勒烯衍生物层的材料为[6,6]-苯基-C61-丁酸。5.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：获取基片，所述基片包括：阳极和设置在所述阳极上的发光层；在所述发光层上沉积二氧化铈层以及在所述二氧化铈层上沉积富勒烯衍生物层，形成电子传输层；所述富勒烯衍生物层的材料包括[6,6]-苯基-C61-丁酸异甲酯和/或[6,6]-苯基-C61-丁酸；在所述富勒烯衍生物层上沉积阴极；或，所述发光二极管的制备方法包括以下步骤：在阴极上沉积富勒烯衍生物层以及在所述富勒烯衍生物层上沉积二氧化铈层，形成电子传输层；所述富勒烯衍生物层的材料包括[6,6]-苯基-C61-丁酸异甲酯和/或[6,6]-苯基-C61-丁酸；在所述二氧化铈层上沉积发光层以及在所述发光层上沉积所述阳极。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述发光层上沉积二氧化铈层以及在所述二氧化铈层上沉积富勒烯衍生物层的步骤包括：获取二氧化铈溶液，将所述二氧化铈溶液采用旋涂法...

【专利技术属性】
技术研发人员：何斯纳，吴龙佳，吴劲衡，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：