发光二极管制造技术

本发明专利技术属于显示技术领域，尤其涉及一种发光二极管。本发明专利技术提供的发光二极管，包括相对设置的阴极和阳极，设置在阴极和阳极之间的发光层，阳极包括依次层叠设置的钼源层、银金属层和氧化钨层，且所述氧化钨层设置在背离所述发光层的一面。解决了现有阳极由于厚度过薄导致的薄膜形貌不连续均匀、漏流以及金属氧化等问题，且具有较高的光线透射率，其导电性、稳定性和发光效率得到进一步提升。性和发光效率得到进一步提升。性和发光效率得到进一步提升。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管


[0001]本专利技术属于显示领域，尤其涉及一种发光二极管。

技术介绍

[0002]量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)与有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode，OLED)是近几年来热门的固态照明技术，具备低成本、重量轻、响应速度快以及色彩饱和度高等优点，拥有广阔的发展前景，已成为新一代LED照明的重要研究方向之一。
[0003]由于AR头戴式设备、搭载于汽车挡风玻璃上的导航设备以及实时医学影像设备等新技术的需求，透明电极的研究成为了近年来显示器件的研究重点。为了提高透明度，减低金属电极的厚度是常用的方法，然而，金属电极过薄会带来一系列问题，例如薄膜形貌不连续均匀、漏流以及金属氧化等，影响器件的稳定性和发光性能。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的在于提供一种发光二极管，以提供一种稳定性好、发光性能优异的发光二极管。
[0005]为实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案如下：
[0006]一种发光二极管，包括相对设置的阴极和阳极，设置在所述阴极和所述阳极之间的发光层，所述阳极包括依次层叠设置的钼源层、银金属层和氧化钨层，且所述氧化钨层设置在背离所述发光层的一面。
[0007]本专利技术提供的发光二极管，其阳极包括依次层叠设置的钼源层、银金属层和氧化钨层，且所述钼源层设置在所述空穴传输层和/或所述空穴注入层背离所述发光层的表面。一方面，将钼源层、氧化钨层与银金属层复合，有效解决了现有透明电极由于厚度过薄导致的薄膜形貌不连续均匀、漏流以及金属氧化等问题；另一方面，钼源层具有一定的空穴注入作用，将氧化钨层设置在背离发光层的一面，使得钼源层朝向发光层，促进空穴注入发光层，提高空穴与电子在发光层的复合效率，从而提升所述发光二极管的发光效率；又一方面，将钼源层、银金属层和氧化钨层依次设置，氧化钨具有高折射系数，可使得进入氧化钨层的光线聚拢，有效抑制银金属层表面等离子体的辐射损失以及整体发光的外耦合损失，同时，由于含钼材料具有高反射率，对反射到钼源层界面上的反射光线具有抗反射作用，减少光能损失，确保所述发光二极管具有较高的光线透射率，使得所述发光二极管的发光效率得到进一步提升。
附图说明
[0008]图1为本专利技术实施例的发光二极管中的钼源层和所述氧化钨层间的作用原理简图；
[0009]图2为本专利技术一种实施方式中提供的量子点发光二极管的薄层结构示意图；
[0010]图3为本专利技术一种实施方式中提供的有机发光二极管的薄层结构示意图。
具体实施方式
[0011]为了使本专利技术要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0012]一种发光二极管，包括相对设置的阴极和阳极，设置在所述阴极和所述阳极之间的发光层，所述阳极包括依次层叠设置的钼源层、银金属层和氧化钨层，且所述氧化钨层设置在背离所述发光层的一面。
[0013]本专利技术实施例提供的发光二极管，其阳极包括依次层叠设置的钼源层、银金属层和氧化钨层，且所述钼源层设置在所述空穴传输层和/或所述空穴注入层背离所述发光层的表面。一方面，将钼源层、氧化钨层与银金属层复合，有效解决了现有透明电极由于厚度过薄导致的薄膜形貌不连续均匀、漏流以及金属氧化等问题；另一方面，钼源层具有一定的空穴注入作用，将氧化钨层设置在背离发光层的一面，使得钼源层朝向发光层，促进空穴注入发光层，提高空穴与电子在发光层的复合效率，从而提升所述发光二极管的发光效率；又一方面，将钼源层、银金属层和氧化钨层依次设置，氧化钨具有高折射系数，可使得进入氧化钨层的光线聚拢，有效抑制银金属层表面等离子体的辐射损失以及整体发光的外耦合损失，同时，由于含钼材料具有高反射率，对反射到钼源层界面上的反射光线具有抗反射作用，减少光能损失，确保所述发光二极管具有较高的光线透射率，使得所述发光二极管的发光效率得到进一步提升。
[0014]在本申请说明书中，“背离”在词义解释上类似于“远离”。例如，“氧化钨层设置在背离所述发光层的一面”指的是阳极中的氧化钨层不与发光层相接触，当发光二极管仅由阳极、发光层和阴极依次层叠形成时，阳极中的钼源层与发光层直接接触，阳极中的氧化钨层设置在阳极远离发光层的表面。
[0015]作为一种实施方式，所述发光二极管还包括：设置在所述阳极和所述发光层之间的空穴功能层，所述钼源层设置在所述空穴功能层背离所述发光层的表面。钼源层具有一定的空穴注入作用，将钼源层设置在空穴功能层背离发光层的表面，使得钼源层更好地与空穴功能层之间形成导电接触，整体上增强所述发光二极管的导电性，提升所述发光二极管的发光效率。
[0016]其中，空穴功能层包括空穴传输层和空穴功能层。在一些实施例中，空穴功能层包括空穴传输层，钼源层设置在空穴传输层背离发光层的表面。在一些实施例中，空穴功能层包括空穴注入层，钼源层设置在空穴注入层背离发光层的表面。在一些实施例中，空穴功能层包括空穴传输层和空穴注入层，空穴传输层靠近发光层设置，钼源层设置在空穴注入层背离发光层的表面。
[0017]作为一种实施方式，所述钼源层的厚度为1-8nm，所述银金属层的厚度小于或等于15nm，所述氧化钨层的厚度为30-60nm。通过调节钼源层的厚度为1-8nm，可缩短出光光路以聚光；通过调节银金属层厚度在15nm以下，确保电极具有良好的光透射率和透明度；通过调节氧化钨层的厚度为30-60nm，可促进出射光聚拢以及防止银金属层被快速氧化，提高银金属层的使用寿命。
[0018]具体地，所述银金属层为所述阳极的主要组成部分。不同于现有透明电极，本专利技术实施例通过将金属层的厚度从现有的60-120nm减小至15nm以下并通过与钼源层、氧化钨层复合，不仅提高了电极透明度，有效解决了现有透明由于厚度过薄导致的薄膜形貌不连续均匀、漏流以及金属氧化等问题，还提升了器件的发光效率。不同于铝、铜、金等常用的金属电极材料，银兼具低消光系数和高导电率的特点，且与所述钼源层和所述氧化钨层之间具有较高的结合强度，结构稳定，可作为一种透明电极应用于AR头戴式设备、搭载于汽车挡风玻璃上的导航设备以及实时医学影像设备等
作为一种实施方式，所述银金属层的厚度小于或等于15nm，保证所述阳极具有较高的光线透射率和良好的透明度。
[0019]具体地，所述钼源层指的是一类含有钼原子的有机物或无机物的薄膜材料层，其具有一定的空穴注入作用和较高的光反射率。在所述发光二极管中，将钼源层设置在所述空穴传输层和/或所述空穴注入层背离所述发光层的表面，使得钼源层更好地与空穴传输层和/或空穴注入层之间形成导电接触，整体上增强所述发光二极管的导电性，提升所述发光二极管的发光效率。作为一种实施方式，所述含钼材料选自磷钼酸(PMA)、氧化钼、钼酸铵、乙酰丙酮钼和过氧钼酸中的至少一种，在一些实施例中，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，包括相对设置的阴极和阳极，设置在所述阴极和所述阳极之间的发光层，其特征在于，所述阳极包括依次层叠设置的钼源层、银金属层和氧化钨层，且所述氧化钨层设置在背离所述发光层的一面。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：设置在所述阳极和所述发光层之间的空穴功能层，所述钼源层设置在所述空穴功能层背离所述发光层的表面。3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述空穴功能层包括空穴传输层，所述钼源层设置在所述空穴传输层背离所述发光层的表面；或，所述空穴功能层包括空穴注入层，所述钼源层设置在所述空穴注入层背离所述发光层的表面；或，所述空穴功能层包括空穴传输层和空穴注入层，所述空穴传输层靠近所述发光层设置，所述钼源层设置在所述空穴注入层背离所述发光层的表面。4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述钼源层的材料包括磷钼酸、氧化钼、钼酸铵、乙酰丙酮钼和过氧钼酸中的至少一种。5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述钼源层的厚度为1-8nm；和/或所述银金属层的厚度小于或等于15nm；和/或所述氧化钨层的厚度为30-80nm。6.根据权利要求1至5中任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二级光还包括：电子功能层，所述电子功能层设置于所述阴极与所述发光层之间。7.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：张天朔，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：