量子点光电探测器及其制备方法技术

本发明专利技术属于光电探测器技术领域，尤其涉及一种量子点光电探测器，包括相对设置的N型半导体层和P型半导体层，以及设置在所述N型半导体层和所述P型半导体层之间的量子点层，所述P型半导体层包括复合金属氧化物，所述复合金属氧化物的分子式为A

【技术实现步骤摘要】
量子点光电探测器及其制备方法


[0001]本专利技术属于光电探测器
，尤其涉及一种量子点光电探测器及其制备方法。

技术介绍

[0002]将光信号转换为电信号仍然是亟待解决的尖端技术，在现实生活中的应用也非常广泛，如视频成像、光通信、生物医学成像、夜间拍照、运动检测等。光电探测器是这些常见应用中最基础的电子器件，光电探测器的作用是把光学信号转化成电学信号，相当于是一种能量信号的转换器，它最终输出的是电信号。一般光电系统除了可以将光信号转化成电信号外，还可以根据不同的需求对电信号进行针对性的处理，并使之存储后应用于各个领域，如：军用领域中的红外侦查、空中预警，在民用领域中的火灾报警、天气预报、森林防火等。然而大多数传统的光电器件是基于简单的半导体或半导体异质结构，这些半导体通常吸收光谱的范围很窄；并且，电子散射平均自由程又很短，导致光电探测器灵敏差，并应用范围及其有限。
[0003]量子点是指激子在三维空间方向上均被束缚住的半导体纳米材料，粒径一般在1-100nm。由于“量子限域”效应的存在，随着量子点尺寸进一步减小，连续的能带结构变本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点光电探测器，其特征在于，包括相对设置的N型半导体层和P型半导体层，以及设置在所述N型半导体层和所述P型半导体层之间的量子点层，所述P型半导体层包括复合金属氧化物，所述复合金属氧化物的分子式为A
n-1
B
n
O
3n-3
，其中，A选自金属元素中的任意一种，B选自过渡金属元素中的任意一种，n≥3；所述N型半导体层包括钙钛矿材料。2.如权利要求1所述的量子点光电探测器，其特征在于，所述钙钛矿材料包括：钛酸锶、钛酸钙、钛酸镧、钛酸钡中的至少一种；和/或，所述N型半导体层还包括第五周期元素；和/或，所述A选自：Bi、Pb、Sr中的任意一种；和/或，所述B选自：Ti、Ta、Fe中的任意一种。3.如权利要求2所述的量子点光电探测器，其特征在于，所述N型半导体层中，所述第五周期元素与所述钙钛矿材料的质量比为1：(1000～10000)；和/或，所述第五周期元素选自：钇、锆、铌、钼、锝、钌中的至少一种。4.如权利要求1～3任一所述的量子点光电探测器，其特征在于，所述量子点层的厚度为30～60nm；和/或，所述N型半导体层的厚度为30～120nm；和/或，所述P型半导体层的厚度为60～100nm。5.如权利要求1任一所述的量子点光电探测器，其特征在于，所述量子点层由量子点材料构成，所述量子点材料包括II-IV族、II-VI族、II-V族、III-V族、III-VI族、IV-VI族、I-III-VI族、II-IV-VI族、II-IV-V族半导体化合物中的至少一种；或者所述量子点层由量子点材料构成，所述量子点材料包括II-IV族、II-VI族、II-V族、III-V族、III-VI族、IV-VI族、I-III-VI族、II-IV-VI族、II-IV-V族半导体化合物中至少两种组成的核壳结构半导体化合物。6.一种量子点光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底层上形成N型半导体层；获取量子点层与P型半导体层的复合膜，将所述复合膜中的量子点层设置在所述N型半导体层远离所述衬底层的另一侧表面，封装得到量子点光电探测器；其中，所述N型半导体层包括钙钛矿材料；所述P型半导体层包括分子式为A
n-1
B
n
O
3n-3
的复合金属氧化物，A选自金属元素中的任意一种，B选自过渡金属元素中的任意一种，n≥3。7.如权利要求6所述的量子点光电探测器的制备方法，其特征在于，获取...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓承雨，芦子哲，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：