光子晶体及其制备方法和发光二极管技术

本发明专利技术属于发光材料技术领域，具体涉及一种光子晶体及其制备方法和发光二极管。所述光子晶体包括本体结构及多个量子点，所述本体结构由稀土发光材料构成，所述多个量子点分散在所述本体结构的内部，所述量子点能够吸收稀土发光材料产生的部分发射光，所述量子点与所述稀土发光材料形成复合物。该光子晶体具有很好的稳定性和发光性能，在显示和发光领域具有很好的应用。好的应用。好的应用。

【技术实现步骤摘要】
光子晶体及其制备方法和发光二极管


[0001]本专利技术属于发光材料
，具体涉及一种光子晶体及其制备方法和发光二极管。

技术介绍

[0002]光子晶体(Photonic Crystal，PC)是一种具有显著的光子带隙(Photonic Band-Gap，PBG)特性的周期性电介质结构，它是由两种或两种以上不同的折射率的介质通过周期性排列形成的一种微结构。光子带隙又可称为光子禁带，是满足特定条件且不能在光子晶体中传输的光子能量范围(类似于半导体材料中的电子禁带的概念)。通过光子晶体结构的特点，人们可以有目的性选择某一个波段的光波通过该结构而禁止其他波段的光波通过，因此光子晶体在光子学器件尤其是光通信领域具有潜在的应用价值。在调控荧光材料发光的研究方面，光子晶体也已经取得了长足的进步：如可以实现调制荧光材料的激发光谱、发射光谱、发射光波的频率、传播方向、辐射及非辐射速率，以及增强某些荧光材料的荧光强度。
[0003]半导体量子点(Quantum Dot，QD)作为一种新型纳米材料，随着其合成和性能方面的研究日益深入，越来越受到重视。量本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光子晶体，其特征在于，包括本体结构及多个量子点，所述本体结构由稀土发光材料构成，所述多个量子点分散在所述本体结构的内部，所述量子点能够吸收稀土发光材料产生的部分发射光，所述量子点与所述稀土发光材料形成复合物。2.如权利要求1所述的光子晶体，其特征在于，所述本体结构为反蛋白石结构；和/或，所述量子点表面包覆有二氧化硅层。3.如权利要求2所述的光子晶体，其特征在于，所述本体结构中有直径为200-500nm的微腔，所述微腔的侧壁由所述稀土发光材料和分散在所述稀土发光材料中的量子点构成；和/或所述本体结构是厚度为1-10μm的膜；和/或，所述二氧化硅层的厚度为0.5-1nm；和/或，所述二氧化硅层表面连接有硅烷偶联剂，其中，所述硅烷偶联剂中的硅烷氧基与所述二氧化硅层相结合，所述硅烷偶联剂中的有机官能基与所述稀土发光材料相结合；和/或，所述量子点表面结合有含巯基的配体，且所述含巯基的配体位于所述量子点和所述二氧化硅层之间。4.如权利要求1所述的光子晶体，其特征在于，所述光子晶体的光子带隙能够部分抑制由所述光子晶体内部的所述稀土发光材料产生的且不由所述量子点吸收的发射光。5.如权利要求1所述的光子晶体，其特征在于，所述稀土发光材料的摩尔量与所述量子点的质量之比为(1-4)mol：(50-100)mg。6.如权利要求1-5任一项所述的光子晶体，其特征在于，所述稀土发光材料选自稀土离子掺杂的无机纳米材料；和/或，所述稀土发光材料中的稀土离子选自Ce
3+
、Ce
4+
、Pr
3+
、Pr
4+
、Pr
5+
、Nd
3+
、Sm
2+
、Sm
3+
、Eu
2+
、Eu
3+
、Gd
3+
、Tb
3+
、Tb
4+
、...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶炜浩，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：