本发明揭示了一种芯片版图的设计规则检查方法、系统及存储介质，所述方法包括：在版图设计软件中生成版图文件，所述版图文件中包括若干栅极金属；采用判断函数遍历所有栅极金属，判断栅极金属的断栅情况及断栅种类，所述判断函数包括主判断函数和限制函数...

本实用新型揭示了一种具有高阈值电压的增强型功率晶体管，所述增强型功率晶体管包括：衬底；位于衬底上的异质结，异质结包括沟道层和势垒层；钝化层结构，位于异质结上方，所述异质结及钝化层结构中沿第一方向形成有第一源极区域、第一栅极区域、漏极区域...

本实用新型揭示了一种基于背栅控制的增强型器件，所述增强型器件包括：衬底；位于衬底上的异质结，异质结包括沟道层及势垒层，沟道层中形成有二维电子气；位于异质结上的介质层；源极、漏极及栅极，所述源极和漏极位于势垒层及部分沟道层中，栅极位于源极...

本实用新型揭示了一种具有阵列场板的HEMT器件，所述HEMT器件包括：衬底；位于衬底上的异质结，异质结包括沟道层和势垒层；钝化层结构，位于异质结上方，所述异质结及钝化层结构中沿第一方向形成有栅极区域、源极区域和漏极区域，栅极区域位于源极...

本实用新型揭示了一种Cascode封装结构，所述封装结构包括：引线框架、基板、HEMT芯片、MOSFET芯片、及若干引线。本实用新型中的HEMT芯片直接封装在引线框架上，而MOSFET芯片通过基板间接封装在引线框架上，基板上隔离槽的设置...

本发明揭示了一种场板型半导体器件的电容拟合方法，所述电容拟合方法包括：S1、基于第一函数Q(x)和第二函数Q'(x)对无场板作用下和有场板作用下的电荷量进行拟合；S2、基于第一函数Q(x)和/或第二函数Q'(x)对电容Cgd、Cgs、C...

本实用新型揭示了一种封装基板及封装结构，所述基板包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上用于封装芯片及塑封体，所述第二表面上包括中间区域及外围区域，所述中间区域上封装有多个间隔分布的散热焊盘，外围区域上封装有若干引脚。本实用新型中通...

本发明揭示了一种具有高阈值电压的增强型功率晶体管及其制备方法，所述增强型功率晶体管包括：衬底；位于衬底上的异质结，异质结包括沟道层和势垒层；钝化层结构，位于异质结上方，所述异质结及钝化层结构中沿第一方向形成有第一源极区域、第一栅极区域、...

本发明揭示了一种基于原子层刻蚀的表面处理方法及半导体器件，所述表面处理方法包括：采用氯化气体对半导体外延结构表面部分区域进行氯化反应，形成氯化层；采用轰击气体轰击氯化层进行刻蚀反应，去除氯化层；采用表面处理气体修复半导体外延结构表面的损...

本发明揭示了一种基于背栅控制的增强型器件及其制备方法，所述增强型器件包括：衬底；位于衬底上的异质结，异质结包括沟道层及势垒层，沟道层中形成有二维电子气；位于异质结上的介质层；源极、漏极及栅极，所述源极和漏极位于势垒层及部分沟道层中，栅极...

本发明揭示了一种具有阵列场板的HEMT器件及其制备方法，所述HEMT器件包括：衬底；位于衬底上的异质结，异质结包括沟道层和势垒层；钝化层结构，位于异质结上方，所述异质结及钝化层结构中沿第一方向形成有栅极区域、源极区域和漏极区域，栅极区域...

本发明揭示了一种漏电流测量结构及测量方法，所述测量结构包括外延结构及位于外延结构上的若干钝化层、位于外延结构上的金属接触层及位于外延结构和/或钝化层上的若干金属层，所述外延结构中形成有二维电子气，所述金属接触层与二维电子气电性连接，所述...

本发明揭示了一种钝化层测量结构及测量方法，所述测量结构包括外延结构及位于外延结构上且交错分布的若干金属层及若干钝化层，每两个金属层层叠部分及之间的钝化层形成一平行板电容器，且不同的平行板电容器中钝化层的厚度不同。本发明测量结构中的金属层...

本实用新型揭示了一种基于功率管芯的装配结构，所述装配结构包括金属散热架、安装于金属散热架上的金属散热块、及安装金属散热块上的管壳和PCB板，所述金属散热块与金属散热架导热连接，所述管壳与金属散热块导热连接，所述管壳与PCB板电性连接。本...

本发明揭示了一种Doherty功率放大器，所述Doherty功率放大器包括输入单元、前级管芯、级间单元、后级管芯及输出单元，后级管芯包括载波放大器管芯及峰值放大器管芯；所述输入单元包括第一输入匹配电路；所述级间单元包括第一输出匹配电路、...

本实用新型揭示了一种铝镓氮势垒层厚度测量结构，包括：衬底；位于衬底上的异质结，异质结包括氮化镓沟道层和铝镓氮势垒层，氮化镓沟道层与铝镓氮势垒层的界面处形成有二维电子气；位于异质结上的第一金属层，第一金属层与二维电子气电气连接；位于第一金...

本实用新型揭示了一种基板及封装结构，所述基板包括基材、位于基材上的金属层、及覆盖金属层上的阻焊层，所述阻焊层上形成有若干对位标记，所述对位标记用于在基板上封装芯片时对芯片进行对位。本实用新型通过在基板上形成对位标记，从而提高了芯片对位的...

本发明揭示了一种功率放大器，所述功率放大器包括级联设置的输入电路、第一功率管芯、级间电路、第二功率管芯及输出电路。本发明的功率放大器可以在较宽的频带内折中实现带宽、增益和输出功率的指标，同时有效降低成本；本发明的功率放大器与MMIC功率...

本实用新型揭示了一种封装基板及封装结构，所述基板包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上包括用于封装芯片的封装区域，封装区域外围安装有若干垫片，且垫片沿着封装区域的轴线对称分布。本实用新型结构简单，通过在基板上安装垫片，从而解决了基...

本实用新型揭示了一种基板及封装结构，所述基板包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上包括用于封装芯片的封装区域、及位于封装区域外围的留白区域，所述留白区域上设有若干用于识别基板正反面及进料方向的标记结构。本实用新型通过在基板上表面的...