本发明揭示了一种铝镓氮势垒层厚度测量结构及测量方法，所述测量结构包括：衬底；位于衬底上的异质结，异质结包括氮化镓沟道层和铝镓氮势垒层，所述氮化镓沟道层与铝镓氮势垒层的界面处形成有二维电子气；位于异质结上的第一金属层，所述第一金属层与二维...

本发明揭示了一种负载牵引测试夹具及去嵌方法，所述测试夹具为包括输入夹具和输出夹具的TRL校准件，TRL校准件包括直通校准件、开路校准件和延时校准件。本发明通过匹配的测试夹具和去嵌方法，有效地分离了夹具的测试参数和被测器件的参数，得到的被...

本发明公开了一种基于GaAs HBT工艺的功率放大器偏置电路，包括温度补偿单元、标准电流镜偏置单元和多阶温度系数电压单元，所述标准电流镜偏置单元包括复制电路单元和输出电路单元，所述复制电路单元和所述输出电路单元内分别设置有第一HBT管H...

本发明揭示了一种倾斜场板的制造方法、HEMT器件及其制造方法，所述制造方法包括：在钝化层结构上刻蚀形成凹槽，所述钝化层结构至少包括第一钝化层；在凹槽中生长第三钝化层；在钝化层结构及部分第三钝化层表面形成掩膜；通过腐蚀液对第三钝化层进行湿...

本发明揭示了一种倾斜场板的制造方法、HEMT器件及其制造方法，所述制造方法包括：在第一钝化层上形成光刻胶掩膜；通过曝光显影工艺，在光刻胶掩膜上形成梯形结构；在光刻胶掩膜的梯形结构中填充第二钝化层；去除光刻胶掩膜；在第一钝化层及第二钝化层...

本发明公开了一种GaN功率器件静态参数的自动测试系统及其测试方法，包括依次串联连接的测试板、测试仪器、串口和上位机，测试仪器接收串口传输的信号，并根据接收的信号信息提供给测试板对应的电压、电流；同时对测试板的输出电压、电流信号进行测量，...

本发明公开了一种用于芯片模拟参数校准的装置及其测试方法，包括用于对待校准芯片进行校准的测试机，所述测试机包括用于获取待校准芯片模拟参数的测试单元、数据处理单元和通信端口A，所述数据处理单元与测试单元、通信端口A连接。本发明通过两次测量结...

本发明公开了一种通过AD转换结果进行选择的测试开发方法和装置，包括用于对待测试芯片进行测试的测试机，所述测试机包括用于为待测试芯片供电的电压提供单元、测量单元和数据处理单元，所述测试单元与数据处理单元连接；所述电压提供单元与待测试芯片的...

本实用新型揭示了一种级联电路及级联器件，所述级联电路包括：低压增强型器件及高压耗尽型器件，所述低压增强型器件和高压耗尽型器件分别包括栅极、源极及漏极，且所述低压耗尽型器件的漏极与高压耗尽型器件的源极电性连接，作为级联电路的中间电极，低压...

本实用新型揭示了一种基于栅极保护的半导体电路及半导体器件，所述半导体电路包括集成设置的增强型功率器件及增强型器件，所述增强型功率器件包括第一栅极、第一源极及第一漏极，增强型器件包括第二栅极、第二源极及第二漏极，且所述第一栅极与第二源极电...

本实用新型揭示了一种级联器件，所述级联器件包括衬底、位于衬底上的外延结构、位于外延结构上的若干钝化层及若干电极，所述外延结构包括位于衬底上的沟道层及位于沟道层上的势垒层，所述外延结构上设有增强区域及耗尽区域，所述电极包括位于外延结构上的...

本发明揭示了一种基于栅极保护的级联电路及级联器件，所述级联电路包括高压耗尽型器件、低压增强型器件及低压耗尽型器件，所述高压耗尽型器件包括第一栅极、第一源极及第一漏极，低压增强型器件包括第二栅极、第二源极及第二漏极，低压耗尽型器件包括第三...

本发明公开了一种MIM电容的等效电路、MIM电容等效电路的参数获取方法。所述等效电路包括：第一电容；第一电阻；第一电感、第二电感及第二电阻，第一电容的第一端与等效电路的第一端电连接，第二端与第一电感的第一端电连接，第一电感的第二端与第一...

本发明实施例公开了一种基于Angelov模型的GaN晶体管建模方法及其装置，通过获取向GaN晶体管的漏极施加的漏极电压、向GaN晶体管的栅极施加的栅极电压、以及各漏极电压下与不同栅极电压一一对应的电流测量值；根据漏极电压、栅极电压和所述...

本实用新型公开了一种Doherty功率放大器，该Doherty功率放大器包括：相互连接的信号输入端、信号输出端、功分器、主功率放大器、辅功率放大器、阻抗变换模块和相位补偿器；其中，阻抗变换模块包括第一耦合电感、第二耦合电感、串联电容和并...

本发明揭示了一种基于栅极保护的半导体电路及半导体器件，所述半导体电路包括集成设置的增强型功率器件及增强型器件，所述增强型功率器件包括第一栅极、第一源极及第一漏极，增强型器件包括第二栅极、第二源极及第二漏极，且所述第一栅极与第二源极电性连...

本发明揭示了一种级联电路及级联器件，所述级联电路包括：低压增强型器件及高压耗尽型器件，所述低压增强型器件和高压耗尽型器件分别包括栅极、源极及漏极，且所述低压耗尽型器件的漏极与高压耗尽型器件的源极电性连接，作为级联电路的中间电极，低压增强...

本发明揭示了一种级联器件，所述级联器件包括衬底、位于衬底上的外延结构、位于外延结构上的若干钝化层及若干电极，所述外延结构包括位于衬底上的沟道层及位于沟道层上的势垒层，所述外延结构上设有增强区域及耗尽区域，所述电极包括位于外延结构上的源极...

本发明公开了一种晶圆级重新布线层结构及其制作方法，包括晶圆，晶圆表面设有若干导电焊盘；晶圆钝化层，形成于晶圆表面；若干第一开孔，形成于晶圆钝化层中，根据导电焊盘电路设计，并暴露出导电焊盘；第一有机化合物绝缘层，形成于晶圆钝化层表面，并覆...

本发明公开了一种芯片倒装封装中间结构及倒装封装方法，先根据待倒装芯片上凸块的布局在封装基板的芯片倒装焊接面的最上层设计绿油斑点的位置和尺寸；根据设计生产制造封装基板，并铺设绿油斑点；再将晶圆根据要求研磨到预设的厚度并切割成单颗晶体；将单...