一种基于Angelov模型的GaN晶体管建模方法及其装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种基于Angelov模型的GaN晶体管建模方法及其装置，通过获取向GaN晶体管的漏极施加的漏极电压、向GaN晶体管的栅极施加的栅极电压、以及各漏极电压下与不同栅极电压一一对应的电流测量值；根据漏极电压、栅极电压和所述电流测量值，获取各漏极电压下的实际跨导曲线；基于GaN晶体管的Angelov模型，获取各漏极电压下的拟合跨导曲线；根据各漏极电压下的实际跨导曲线与拟合跨导曲线的差值，建立表格基模型；根据GaN晶体管的Anglov模型与表格基模型，建立GaN晶体管的仿真模型。本发明专利技术实施例能够提高电路设计的效率和准确性。

【技术实现步骤摘要】
一种基于Angelov模型的GaN晶体管建模方法及其装置
本专利技术实施例涉及有源器件建模
，尤其涉及一种基于Angelov模型的GaN晶体管的建模方法及其装置。
技术介绍
微波毫米波功率半导体器件是雷达、航天、无线通讯等系统中的核心电子器件，在人民的日常生活、国防建设中起着举足轻重的作用。GaN基半导体器件由于其高击穿电压、高的饱和迁移速度、耐高温等特性，在近几年得到了广泛的应用及研究。随着GaN技术的发展，GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)广泛的应用于电路设计之中。目前，为了提高电路的设计精度以及效率，器件模型的研究成为必不可少的环节，尤其是在应用具有高频、高功率特性的GaNHEMT时，如何建立具有高准确性、高效率的模型成为当前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
针对上述存在问题，本专利技术实施例提供一种基于Angelov模型的GaN晶体管的建模方法及其装置，以达到建立具有高准确性、高效率的GaN晶体管模型的目的。第一方面，本专利技术实施例提供了一种基于Angelov模型的GaN晶体管的建模方法，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于Angelov模型的GaN晶体管建模方法，其特征在于，包括：/n获取向GaN晶体管的漏极施加的漏极电压、向所述GaN晶体管的栅极施加的栅极电压、以及各所述漏极电压下与不同所述栅极电压一一对应的电流测量值；/n根据所述漏极电压、所述栅极电压和所述电流测量值，获取各所述漏极电压下的实际跨导曲线；/n基于所述GaN晶体管的Angelov模型，获取各所述漏极电压下的拟合跨导曲线；/n根据各所述漏极电压下的所述实际跨导曲线与所述拟合跨导曲线的差值，建立表格基模型；/n根据所述GaN晶体管的Anglov模型与所述表格基模型，建立GaN晶体管的仿真模型。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于Angelov模型的GaN晶体管建模方法，其特征在于，包括：
获取向GaN晶体管的漏极施加的漏极电压、向所述GaN晶体管的栅极施加的栅极电压、以及各所述漏极电压下与不同所述栅极电压一一对应的电流测量值；
根据所述漏极电压、所述栅极电压和所述电流测量值，获取各所述漏极电压下的实际跨导曲线；
基于所述GaN晶体管的Angelov模型，获取各所述漏极电压下的拟合跨导曲线；
根据各所述漏极电压下的所述实际跨导曲线与所述拟合跨导曲线的差值，建立表格基模型；
根据所述GaN晶体管的Anglov模型与所述表格基模型，建立GaN晶体管的仿真模型。


2.根据权利要求1所述的建模方法，其特征在于，基于所述GaN晶体管的Angelov模型，获取各所述漏极电压下的拟合跨导曲线，包括：
基于Angelov模型的初始参数，建立所述GaN晶体管的初始Angelov模型；
获取所述GaN晶体管的初始Angelov模型在各所述漏极电压下的初始拟合跨导曲线；
判断所述初始拟合跨导曲线与所述实际跨导曲线的匹配度是否在预设匹配度范围内；
若是，则将所述初始拟合跨导曲线确定为所述拟合跨导曲线，以及将所述初始Angelov模型确定为所述GaN晶体管的Angelov模型。


3.根据权利要求2所述的建模方法，其特征在于，还包括：
当所述初始拟合跨导曲线与所述实际跨导曲线的匹配度未在预设匹配度范围内时，优化所述GaN晶体管的Angelov模型的初始参数，获取所述GaN晶体管的Angelov模型的优化参数；
根据所述GaN晶体管的Angelov模型的优化参数，建立所述GaN晶体管的优化Angelov模型；
获取所述GaN晶体管的优化Angelov模型在各所述漏极电压下的优化拟合跨导曲线；
判断所述优化拟合跨导曲线与所述实际跨导曲线的匹配度是否在预设匹配度范围内；
若是，则将所述优化拟合跨导曲线确定为所述拟合跨导曲线，以及将所述优化Angelov模型确定为所述GaN晶体管的Angelov模型；
若否，则返回执行优化所述GaN晶体管的Angelov模型的初始参数的步骤，直至所述优化拟合跨导曲线与所述实际跨导曲线的匹配度在预设匹配度范围内。


4.根据权利要求3所述的建模方法，其特征在于，所述优化参数的参数值为A，所述初始参数的参数值为B；其中，0.5B≤A≤2B。


5.根据权利要求1～4任一项所述的建模方法，其特征在于，根据各所述漏极电压下的所述实际跨导曲线与所述拟合跨导曲线的差值，建立表格基模型，包括：
根据各所述漏极电压下的所述实际跨导曲线与所述拟合跨导曲线的差值，获取各偏置电压下的跨导差值；其中，所述偏置电压为所述栅极电压与所述漏极电压之差；
对同一所述漏极电压下不同栅极电压对应的跨导误差进行积分，获取所述GaN晶体管的直流补偿值；
根据所述直流补偿值，建立与各所述偏置电压对应的表格基模型。


6.根据权利要求1～4任一项所述的建模方法，其特征在于，所述GaN晶体管的仿真模型包括所述GaN晶体管的Angelov模型和所述表格基模型，且所述表格基模型基于各所述漏极电压下的所述实际跨导曲线与所述拟合跨导曲线的差值提供补偿电流至所述GaN晶体管的Angelov模型。


7.一种基于Angelov模型的GaN晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐瑜，
申请(专利权)人：苏州英嘉通半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32