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本发明实施例公开了一种基于Angelov模型的GaN晶体管建模方法及其装置，通过获取向GaN晶体管的漏极施加的漏极电压、向GaN晶体管的栅极施加的栅极电压、以及各漏极电压下与不同栅极电压一一对应的电流测量值；根据漏极电压、栅极电压和所述电流...
该专利属于苏州英嘉通半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州英嘉通半导体有限公司授权不得商用。

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