本技术涉及测试治具技术领域，具体公开了一种探针卡。该探针卡包括PCB基板、MLO基板、固定框和卡头组件，MLO基板设于PCB基板上；固定框设于PCB基板上，且围设于MLO基板外，卡头组件可拆卸连接于固定框上；其中，卡头组件包括探针本体，...

本发明提供一种橡胶测试插座及其制备方法和应用，所述橡胶测试插座包括上屏蔽层和下屏蔽层，所述上屏蔽层和下屏蔽层设置在上绝缘层和下绝缘层之间，并且与接地用导电部直接连接，进而有效提高了接地用导电部

本发明提供了一种橡胶测试插座及其制备方法和应用，所述橡胶测试插座包括依次层叠的端面结构和本体结构；所述端面结构包括具有孔洞结构的聚酰亚胺膜层和填充于所述孔洞结构中的端面导电柱；所述本体结构从左向右包括交替排列的聚合物

本实用新型涉及半导体芯片测试技术领域，尤其涉及一种芯片测试定位装置及测试插座，该芯片测试定位装置包括外壳、第一固定板、第二固定板、探针和销钉，第二固定板固定于第一固定板底部，外壳罩设在第一固定板和第二固定板外且与第一固定板固定连接，探针...

本实用新型属于半导体测试技术领域，公开了芯片封装测试机构

本实用新型属于半导体测试设备技术领域，公开了芯片测试装置

本实用新型属于半导体技术领域，公开了芯片三温测试装置，包括料仓组件、收料盘组件、测温组件和取料组件；料仓组件包括并列设置的上料机构、不合格分料机构和下料机构；收料盘组件可转动地设置于工作台上，具有位于料仓组件上方的工作状态，以及转动避让...

本发明属于CP测试技术领域，公开了一种探针测试台、制备方法及CP测试装置，该探针测试台通过相互一一对应连通的GND PAD与PAD，重塑了芯片电信号的回流路径，具体而言，就是芯片的电信号经过设置在MLO上的PAD后经回流至LGP部件上的...

一种针对224Gbps超高速率同轴测试插座，包括由金属制成的测试插座本体以及测试插座盖板，测试插座本体上开设有安装孔，安装孔内设置有与其配合的第一聚合物定位件，第一聚合物定位件上开设有第一插孔以及第二插孔，第一插孔以及第二插孔内分别插设...

本发明提供一种提高正性光刻胶的侧壁垂直度的方法和应用。所述方法包括以下步骤：(1)将基片进行预处理，而后在其表面涂覆正性光刻胶，得到前驱体材料；(2)将步骤(1)得到的前驱体材料在不同波长的光源下进行曝光，而后将曝光后的前驱体材料进行显...

本发明实施例公开了一种晶圆测试探针及其制备方法。探针包括探针主体，探针主体包括至少一层金属复合结构，金属复合结构包括第一金属层、中间导电层和第二金属层，中间导电层位于第一金属层和第二金属层形成的外壳内部，第一金属层的硬度和第二金属层的硬...

本发明提供一种3D

本发明提供一种用于钯和铜化学机械抛光的抛光液及其制备方法和使用方法。所述用于钯和铜化学机械抛光的抛光液按照重量百分比由以下组分组成：纳米金刚石0.5

本发明提供了一种探针及其制备方法与微电子探针卡，所述探针包括探针基体及所述探针基体上覆盖的导电金属层，所述导电金属层中的晶粒尺寸为5.5～6.5μm。本发明提供的探针的导电金属层中的晶粒尺寸较小，晶体致密性较高，导电性较强，大大提升了探...

本发明涉及测试治具技术领域，具体公开了一种高频探针卡，包括PCB板、固定组件和高频探针组件，固定组件设于PCB板上；高频探针组件包括第一测试探针和屏蔽探针，第一测试探针和屏蔽探针均设于固定组件上，第一测试探针的尾部能够抵接于PCB板的信...

本发明提供一种改善光刻胶图案失真的方法。所述方法包括以下步骤：（1）将基片进行预处理，而后在其表面涂覆正性光刻胶，得到第一材料；（2）将步骤（1）得到的第一材料依次进行不同间隙下的分段软烘步骤，而后进行曝光处理，得到第二材料；（3）将步...

本发明属于芯片测试领域。本发明提供了一种复合基板及其制造方法与用途，所述复合基板的底部端面设置有以最大间距排布的底部电子连接，其顶部端面设置有以最小间距排布的顶部电子连接，其中，底部端面属于陶瓷基板线路结构，顶部端面属于高分子树脂基板线...

本发明提供了一种陶瓷基板及其制备方法和用途，所述制备方法包括以下步骤：将陶瓷粉末成型制备生瓷片，并在生瓷片上打孔；将打孔后的生瓷片表面印刷感光银浆，采用紫外光进行曝光，再经显影后得到表面覆盖电路图形的生瓷片；将显影后的生瓷片进行叠层压合...

本发明提供一种PCB板微型化焊盘划伤和脱落的修复方法，所述修复方法包括依次进行的背面沉铜、正面光刻、正面电镀、正面去胶和背面刻蚀；所述正面为PCB板上设置焊盘的一侧表面。本发明提供的修复方法特别适用于微型化焊盘的修复，精确控制了焊盘的修...

本发明公开了一种多层复合式探针及其制作方法，该制作方法包括以下步骤：S1：提供陶瓷基片作为载体，在陶瓷基片上真空沉积一层种子层，并在种子层上电镀第一牺牲层；S2：在第一牺牲层上电镀第一金属层；S3：在第一牺牲层上避开第一金属层的其他区域...