一种改善光刻胶图案失真的方法技术

本发明专利技术提供一种改善光刻胶图案失真的方法。所述方法包括以下步骤：（1）将基片进行预处理，而后在其表面涂覆正性光刻胶，得到第一材料；（2）将步骤（1）得到的第一材料依次进行不同间隙下的分段软烘步骤，而后进行曝光处理，得到第二材料；（3）将步骤（2）得到的第二材料依次进行不同间隙下的分段烘烤步骤，而后进行显影处理。本发明专利技术利用不同间隙的热量传导效果不同，同时真空吸附能够达到更好的加热烘烤效果，进而实现改善光刻胶图案失真的目的。进而实现改善光刻胶图案失真的目的。进而实现改善光刻胶图案失真的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种改善光刻胶图案失真的方法


[0001]本专利技术属于光刻胶材料
，具体涉及一种改善光刻胶图案失真的方法。

技术介绍

[0002]截止到目前为止，半导体技术得到快速发展，光刻图案也越发的复杂多样，同时对于光刻胶的要求也越来也高。随着半导体技术节点的不断缩小，光刻胶的解析度逐渐减小，但是对光刻图案的保真效果要求也随之增加。然而，在日常光刻作业过程中，时常会发生光刻图案失真异常的情况，轻则导致产品返工处理，影响产品的生产进度和质量；重则导致产品报废，造成经济损失。因此，光刻图案失真异常需要进一步得到改善，实现光刻图案稳定的技术效果。
[0003]现有技术公开了光刻图案转移过程属于综合过程，除了要考虑光刻胶本身存在的问题以外，作业过程、作业方法以及作业环境均需要全面考量。其中，造成光刻胶图案失真异常的原因之一是涂覆后的光刻胶烘烤不充分导致的。
[0004]由于光刻胶本身是以液体形式进行储存，同时为了便于旋转涂布，在其使用过程中，需要在产品表面形成一层固态保护薄膜。通常情况下，在光刻胶由液态转向固态的过程中，一般采用加热烘烤的方式使光刻胶里面的溶剂成分挥发，进而形成光刻胶薄膜，但是溶剂挥发不完全可能会导致后续处理过程中光刻胶的感光度以及耐蚀性发生变化。同时，在显影过程中，具有溶剂残留的光刻胶，更容易吸收水分膨胀，进一步导致光刻图案失真。
[0005]因此，在本领域中，亟需开发一种改善光刻胶图案失真的方法，进而提升产品质量。

技术实现思路

[0006]针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种改善光刻胶图案失真的方法。本专利技术利用不同间隙的热量传导效果不同，同时真空吸附能够达到更好的加热烘烤效果，进而实现改善光刻胶图案失真的目的。
[0007]为达到此专利技术目的，本专利技术采用以下技术方案：第一方面，本专利技术提供一种改善光刻胶图案失真的方法，所述方法包括以下步骤：（1）将基片进行预处理，而后在其表面涂覆正性光刻胶，得到第一材料；（2）将步骤（1）得到的第一材料依次进行不同间隙下的分段软烘步骤，而后进行曝光处理，得到第二材料；（3）将步骤（2）得到的第二材料依次进行不同间隙下的分段烘烤步骤，而后进行显影处理。
[0008]本专利技术采用不同间隙下的分段软烘方式与曝光后的不同间隙下的分段烘烤方式相结合，提高光刻胶内溶剂的挥发量，实现光刻图案失真的改善。本专利技术改善的光刻胶图案失真异常，提高了光刻合格率，图案失真异常率由改善前的80%
‑
90%，降低至改善后的＜0.5%，提升了产品质量，也避免了因为图案失真异常导致的返工以及产品报废问题，相应降
低了光刻胶的使用成本。
[0009]优选地，步骤（1）中所述基片包括硅基片或陶瓷基片中的至少一种。
[0010]优选地，步骤（1）中所述预处理包括去除基片表面的杂质和油渍处理。
[0011]优选地，步骤（1）中所述涂覆包括旋涂。
[0012]优选地，步骤（1）中所述涂覆的转速为1350rpm/min，时间为50s。
[0013]优选地，步骤（1）中所述第一材料中正性光刻胶的厚度为30μm。
[0014]优选地，步骤（2）中所述不同间隙下的分段软烘步骤具体包括以下过程：在真空情况下，首先在间隙为1mm时烘烤90
‑
100s（例如可以为90s、92s、95s、98s、100s等），其次在间隙为0.5mm时烘烤90
‑
100s（例如可以为90s、92s、95s、98s、100s等），最后在接触的情况下烘烤400
‑
420s（例如可以为400s、405s、410s、415s、420s等）。
[0015]在本专利技术中，采用步骤（2）中所述不同间隙下的分段软烘步骤，具有降低光刻胶表面固化速度，有利于光刻胶内溶剂挥发，提升光刻胶在显影液中的抗蚀性，缩短烘烤时间，提高光刻胶的稳定性的效果。
[0016]优选地，所述真空情况的真空度为
‑
0.85bar。
[0017]优选地，所述间隙指的是晶圆与加热板的距离。
[0018]优选地，所述烘烤的温度为120
‑
125℃，例如可以为120℃、121℃、122℃、123℃、124℃、125℃等。
[0019]优选地，步骤（3）中所述不同间隙下的分段烘烤步骤具体包括以下过程：在真空情况下，首先在间隙为1mm时烘烤15
‑
20s（例如可以为15s、16s、17s、18s、19s、20s等），其次在间隙为0.5mm时烘烤15
‑
20s（例如可以为15s、16s、17s、18s、19s、20s等），最后在接触的情况下烘烤40
‑
50s（例如可以为40s、42s、45s、48s、50s等）。
[0020]在本专利技术中，采用步骤（3）中所述不同间隙下的分段烘烤步骤，具有降低光刻胶表面固化速度，有利于光刻胶内溶剂挥发，提升光刻胶在显影液中的抗蚀性，缩短烘烤时间，提高光刻胶的稳定性的效果。
[0021]优选地，所述真空情况的真空度为
‑
0.85bar。
[0022]优选地，所述间隙指的是晶圆与加热板的距离。
[0023]优选地，所述烘烤的温度为100℃
‑
105℃，例如可以为100℃、101℃、102℃、103℃、104℃、105℃等。
[0024]相对于现有技术，本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供了一种改善光刻胶图案失真的方法，其采用不同间隙下的分段软烘方式与曝光后的不同间隙下的分段烘烤方式相结合，提高光刻胶内溶剂的挥发量，实现光刻图案失真的改善。本专利技术改善的光刻胶图案失真异常，提高了光刻合格率，图案失真异常率由改善前的80%
‑
90%，降低至改善后的＜0.5%，提升了产品质量，也避免了因为图案失真异常导致的返工以及产品报废问题，相应降低了光刻胶的使用成本。
附图说明
[0025]图1为实施例1提供的光刻胶的图案；图2为对比例1提供的光刻胶的图案。
具体实施方式
[0026]下面通过结合附图和具体实施方式来进一步说明本专利技术的技术方案。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本专利技术，不应视为对本专利技术的具体限制。
实施例1
[0027]本实施例提供了一种改善光刻胶图案失真的方法，所述方法包括以下步骤：（1）将基片进行去除基片表面的杂质和油渍处理，而后在其表面旋涂正性光刻胶，旋涂的转速为1350rpm/min，时间为50s，得到第一材料，其中第一材料中正性光刻胶的厚度为30μm；（2）在真空度为
‑
0.85bar和温度为122℃情况下，将步骤（1）得到的第一材料首先在晶圆与加热板的距离为1mm时烘烤95s，其次在晶圆与加热板的距离为0.5mm时烘烤95s，最后在接触的情况下烘烤410s，而后在波长为365nm的紫外光下进行软接触曝光处理，光源的能量为400mj本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善光刻胶图案失真的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：（1）将基片进行预处理，而后在其表面涂覆正性光刻胶，得到第一材料；（2）将步骤（1）得到的第一材料依次进行不同间隙下的分段软烘步骤，而后进行曝光处理，得到第二材料；（3）将步骤（2）得到的第二材料依次进行不同间隙下的分段烘烤步骤，而后进行显影处理。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（1）中所述基片包括硅基片或陶瓷基片中的至少一种；步骤（1）中所述预处理包括去除基片表面的杂质和油渍处理；步骤（1）中所述涂覆包括旋涂；步骤（1）中所述涂覆的转速为1350rpm/min，时间为50s；步骤（1）中所述第一材料中正性光刻胶的厚度为30μm。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（2）中所述不同间隙下的分段软烘步骤具体包括以下过程：在真空情况下，首先在间隙为1mm时烘烤90
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100s，其次在间隙为0.5mm时烘烤90
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100s，最后在接触的情况下烘烤400
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【专利技术属性】
技术研发人员：张宜山，石磊，施元军，殷岚勇，
申请(专利权)人：苏州晶晟微纳半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：