一种安装有充电电池的机器人，该机器人被设计成：当对该充电电池充电时，根据充电量的增加执行预定动作。这种机器人允许根据其动作识别充电状态，同时提供某些娱乐性。

对必须恒压充电的锂离子电池等２次电池进行充电时，在规定状态下检测２次电池的电压和充电电流等，根据该检测状态控制进行充电的电压、其充电时间或充电中止时间、或充电电路的连接状态等，能将２次电池良好地充电到满充电或接近满充电的状态，同时能良好...

当获得二次电池单元Ｅ１的输出电压时，只有ＳＷ１和ＳＷ２导通。结果是，电容器Ｃ１被二次电池单元Ｅ１充电。利用时间段ＡＴ的延迟，ＳＷ１和ＳＷ２断开。ＳＷ４和ＳＷ５导通。电容器Ｃ１的电荷移到Ｃ２。重复进行这些操作，直到Ｃ２的电位基本上等于二次...

当安装ＳＱ电池组（１）时，电池组类型判断凹槽（１３１）设置在ＳＱ电池组（１）的与电池组类型判断开关（２１４）相对应的位置处。这个凹槽（１３１）的存在防止判断开关（２１４）被电池组（１）的底部压下。由于开关（２１４）未被压下，充电时所安装...

本发明涉及作成为可以进行对载波进行整流得到的电源和外部电源之间的无缝隙地切换的半导体集成电路器件。具有非接触卡功能和非接触读写功能的半导体集成电路，具备：对所接收到的载波进行整流的整流器１３１；由整流器１３１的输出电压得到规定的电压的串...

本发明公开了一种充放电装置和用于向充放电装置供电的方法。当安装ＳＱ电池组（１）时，电池组类型判断凹槽（１３１）设置在ＳＱ电池组（１）的与电池组类型判断开关（２１４）相对应的位置处。这个凹槽（１３１）的存在防止判断开关（２１４）被电池组（...

用单个晶体管制成的电子开关可以避免电池过量充电或过量放电。电池的正极接正接线端子，负极接地，并通过晶体管接负接线端子，电池的端电压等于高于检测电压时，检测电路的输出通过电阻器和正温度系数电阻器组成的串联电路提供给晶体管基极，并提供给比较...

本发明涉及一种用于关节机构的一旋转轴承装置，一关节装置，一布线装置，和机器人装置，这些装置便便于布线，通过在一关节中心处使用的旋转轴的外圆周的一部分内沿轴向形成一凹槽，以及将预先两端连接有连接器的电缆沿轴向放置在凹槽内，使得该装置外观具...

一种能减少制造时间并避免由加热引起的性能变坏的制造半导体激光器的方法和用于该方法的安装板及支撑板。通过将激光器基片、辅助固定件和散热片层叠并将它们彼此粘接来形成半导体激光器。激光器基片具有在晶态衬底的同一面上形成ｐ端电极和ｎ端电极的结构...

公开了一种在结晶的氮化物半导体衬底上生长氮化物半导体的工艺，此工艺如下进行，即借助于对衬底进行加热，并在衬底温度超过１２００℃之前开始将源气体馈送到衬底表面上，从而开始在衬底上生长氮化物半导体。在衬底温度已经达到３００℃之后，并在已经开...

本发明提供一种发光元件的安装方法。在本方法中使用输送开口夹从托盘取出半导体激光元件输送并放置在合位台上。再用图像检测器观测半导体激光元件的隆起部的位置和方位，并测定相对于合位台上的基准线和基准点半导体激光元件的Ｘ、Ｙ方向的位置偏差以和Ｘ...

本发明建议能在通过把电源电压施加在输出晶体管的集电极与发射极之间和半导体激光器的串联电路上来控制半导体激光器功率的半导体激光器的激光功率的控制方法中能减少输出晶体管中的电功率消耗的方法。本发明通过把可变电源电压加在输出晶体管（Ｑｂ）和半...

一种发射两个相互不同波长的半导体激光器件，包括： 第一激光源，发射第一波长的激光束； 第二激光源，距第一激光源预定距离设置，并发射第二波长的激光束；以及 包括预定厚度透光板的象散校正板，设置象散校正板与第一激光源和第二...

本发明提供了一种氮化物半导体、半导体器件及其制造方法。该半导体在表面具有大的低缺陷区。而且，氮化物半导体的制造方法包括采用横向生长技术的层形成步骤，其中可以容易地减少表面缺陷。在衬底上，形成条纹状图案的籽晶部分，缓冲层夹在其间。接着，在...

构造了一种氮化物半导体器件，使得器件的设计和制造具有高可靠性和灵活性。该氮化物半导体器件包括形成在蓝宝石衬底（１０）上且每个均在其一侧表面上具有掩模（１２）的籽晶部分（１１）、以及通过横向生长法形成在蓝宝石衬底（１０）和籽晶部分（１１）...

一种氮化物半导体激光器，具有平坦劈开端面，并且可以抑制操作期间所产生的激光器端面的破坏，从而延长使用寿命，并且包括在活性层与覆盖层之间提供的压力集中抑制层。

ＡｌＧａＩｎＰ激光装置（２４）和ＡｌＧａＡｓ激光装置（２６）布置成使相应的带（２８，３０）相互平行。在当从激光主发射侧（０１１）（２２ｃ）观察时，ＡｌＧａＩｎＰ激光装置（２４）布置在相对于基板的中心线的（０１１）平面（２２ｂ）侧而ＡｌＧ...

提供一种多光束半导体激光器，能够发射具有均匀光输出能级的各条激光束并能够轻易对齐。该多光束半导体激光器（４０）是ＧａＮ为基的多光束半导体激光器，设置有能够发射具有相同波长的激光束的四个激光条（４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃ和４２Ｄ）。各激光振荡...

一种半导体集成装置，包括：　　　　一由金属材料和陶瓷材料中的一种制成的底部元件，在该底部元件上设置有一个衬底，该衬底具有安装于其上的至少包括半导体激光器、光电探测器和棱镜的光学器件；　　　　一由树脂材料或者玻璃材料中的一种制成的壳体，该...

本发明提供了一种氮化物半导体、半导体器件及其制造方法。该半导体在表面具有大的低缺陷区。而且，氮化物半导体的制造方法包括采用横向生长技术的层形成步骤，其中可以容易地减少表面缺陷。在衬底上，形成籽晶部分，及该籽晶部分的表面上具有多个开口部分...