本发明公开了一种降噪电路、电源电路、读出电路和检测电路，涉及MEMS接口电路领域，用以降低MEMS传感器接口电路的低频噪声。电源电路包括电荷泵电路以及降噪电路，降噪电路包括参考噪声抑制电路和电荷泵噪声抑制电路。参考噪声抑制电路的输入端用...

本发明公开了一种三轴MEMS加速度计，涉及惯性传感器领域，用以改善多轴加速度计温度漂移差、闭环量程较低的问题。本发明包括逐层设计的基板、绝缘层、电极层和结构层；结构层包括X轴结构层、Y轴结构层和Z轴结构层；Z轴结构层包括中空的Z轴敏感质...

本发明公开了一种Z轴MEMS闭环加速度计组件和加速度计，涉及微机械MEMS加速度计技术领域。本发明的Z轴MEMS闭环加速度计采用闭环设计，结构包括基板、电极层和可动结构层，通过可动结构层中的检测质量块的对称设计和制造质量差，将质量大者同...

本发明公开了一种用于电容式MEMS传感器的CV检测电路和方法，涉及传感器领域，用于提升CV检测电路的测量精度。CV检测电路的电容阵列电路的检测电极用于与电容式MEMS传感器的敏感检测结构相连，并连接到放大器电路；放大器电路、解调电路和滤...

本发明公开了一种基于神经网络的温度补偿方法和系统，本发明的方法包括步骤S1，对m个MEMS加速度计进行实验数据采集；其中，m为大于等于2的正整数；步骤S2，对步骤S1采集的每一个MEMS加速度计的实验数据进行预处理；步骤S3，采用预处理...

本发明公开了一种低噪声MEMS加速度计，本发明的加速度计由结构层和衬底层组成，结构层包括质量块、梁、梳齿组和铆点；其中铆点均固定在衬底上，梳齿组及与之相连的铆点分布在质量块的内部；所述梁一端与质量块连接且梁的另一端与铆点连接，梁及与之相...

本发明公开了一种分时复用三轴加速度计及其控制方法，本发明包括X、Y、Z三个轴向的敏感结构、电容/数字转换前端电路、ΔΣ调制器后级电路、高压驱动反馈电路和比例积分控制电路；其中，X、Y、Z三个轴向的敏感结构的上下极板均接入2相时钟信号。本...

本发明公开了一种电容到数字量直接转换的前端电路，该前端电路包括加速度计敏感结构、基准电压Vref、2相非交叠的时钟控制信号Φ1和时钟控制信号Φ2、运算放大器和开关组件；通过时钟控制信号Φ1控制开关组件，利用施加在敏感结构上的基准电压作用...

本发明公开了一种基于PD控制的延迟锁相环及其控制方法，本发明的延迟锁相环包括锁相输出时钟上升沿检测模块、参考时钟上升沿检测模块、误差计数模块、PD控制模块、可变模分频模块和初始化模块；本发明利用引入的高速时钟和PD控制模块，来取代器件延...

本实用新型公开了一种基于零位校正的微机械MEMS加速度计，包括：基片，基片上设有氧化层，若干个锚点通过氧化层固定在基片上，氧化层上设有敏感器件层，敏感器件层包括：差动电容检测结构、加速度计闭环反馈电极结构、若干个悬臂梁、零位校正结构、敏...

本实用新型公开了一种基于刚度补偿的高性能MEMS闭环加速度计，包括：关于加速度计中心对称的上半部分和下半部分，上半部分和下半部分均包括：基片，锚点固定在基片上，基片上设有绝缘层，绝缘层上设有敏感器件层，敏感器件层包括：敏感质量块、支撑梁...

本实用新型公开了一种三明治式微加速度计，所述微加速度计包括：从上到下的：上电极结构层、上键合接触区、中间电极结构层、下键合接触区、下电极结构层；上电极结构层设有与中间电极结构层键合的上键合接触区；下电极结构层设有与中间电极结构层键合的下...

本实用新型公开了一种音叉式结构MEMS陀螺仪，包括：第一框架、第二框架、第三框架、第四框架、第一梁、第二梁、第三梁、第四梁、第五梁、第六梁、第七梁、第八梁、第九梁、第十梁、第十一梁、第十二梁、第十三梁、第十四梁、第一梳齿电极、第二梳齿电...

本实用新型公开了一种闭环锁相驱动电路结构，所述电路结构包括：MEMS陀螺仪表头、电容检测电路C2V、第一解调器、PID控制电路、第二调制器、状态切换电路SW、模拟移相电路ASP、高压驱动电路HVD、逻辑可编程存储器OTP&LGC、比较器...

本发明公开了一种基于零位校正的MEMS加速度计，包括：基片，基片上设有氧化层，若干个锚点通过氧化层固定在基片上，氧化层上设有敏感器件层，敏感器件层包括：差动电容检测结构、加速度计闭环反馈电极结构、若干个悬臂梁、零位校正结构、敏感质量块、...

本发明公开了一种高信噪比的三明治式微加速度计，所述微加速度计包括：从上到下的：上电极结构层、上键合接触区、中间电极结构层、下键合接触区、下电极结构层；上电极结构层设有与中间电极结构层键合的上键合接触区；下电极结构层设有与中间电极结构层键...

本发明公开了一种基于刚度补偿的MEMS闭环加速度计，包括：关于加速度计中心对称的上半部分和下半部分，上半部分和下半部分均包括：基片，锚点固定在基片上，基片上设有绝缘层，绝缘层上设有敏感器件层，敏感器件层包括：敏感质量块、支撑梁、力反馈梳...

本发明公开了一种MEMS陀螺仪，包括：第一框架、第二框架、第三框架、第四框架、第一梁、第二梁、第三梁、第四梁、第五梁、第六梁、第七梁、第八梁、第九梁、第十梁、第十一梁、第十二梁、第十三梁、第十四梁、第一梳齿电极、第二梳齿电极、第三梳齿电...

本发明公开了一种基于MEMS陀螺仪的闭环锁相驱动电路结构，所述电路结构包括：MEMS陀螺仪表头、电容检测电路C2V、第一解调器、PID控制电路、第二调制器、状态切换电路SW、模拟移相电路ASP、高压驱动电路HVD、逻辑可编程存储器OTP...

本实用新型公开了一种电压切换电路，所述切换电路包括：高电平选择电路、开关控制电路、第一PMOS开关、第二PMOS开关和逻辑判断电路；所述切换电路的引脚包括：VPP、VDD、PRGM、VPRG和SLG；将OTP编程引脚编程/非编程电压的切...