四川三三零半导体有限公司专利技术

四川三三零半导体有限公司共有21项专利

  • 本技术公开了一种电机驱动的微波三销钉,包括波导腔体和销钉,所述销钉的底端穿入波导腔体的顶板在波腔体内部上下活动,还包括滑台机构、传动机构、驱动机构和限位座,所述销钉的顶端位于所述滑台机构的内部,所述传动机构的两端分别与顶板和限位座连接,...
  • 本技术涉及密封窗技术领域,公开了一种实现波导变换的波导密封窗,包括上法兰和下法兰;上法兰的底面与下法兰的顶面连接,上法兰的中部和下法兰的中部均开设有波导变换窗口,波导变换窗口的侧壁在竖直方向上的截面为阶梯状,下法兰的顶面上开设有安装槽,...
  • 本技术涉及半导体冷却技术领域,公开了一种实现多水路控制的半导体设备冷却系统,一种实现多水路控制的半导体设备冷却系统,包括分水器、集水器、若干根水管和若干个水冷头;分水器包括总进水接头和若干个分出水接头,集水器包括总出水接头和若干个分进水...
  • 本申请涉及微波短路器技术领域,公开了一种电动微波滑动短路器,包括波导壳体、短路活塞和电动执行机构;短路活塞设置在波导壳体之中;电动执行机构安装在波导壳体之上,电动执行机构的驱动端与短路活塞连接,用于带动短路活塞沿波导壳体的轴向活动。本申...
  • 一种微波下馈式MPCVD系统的托盘升降结构,涉及高真空机械结构技术领域,解决下馈式MPCVD腔体环境中现有的机械结构难以在腔体内升降的技术问题,包括钼托盘和紫铜托盘,所述钼托盘底部固设有支撑管,所述支撑管贯穿所述紫铜托盘的中心后向下延伸...
  • 本实用新型公开了一种适用于硅片精密清洗的清洗架,涉及半导体精密洗技术领域,解决现有的超声法清洗硅片时无法分类且清洗效果差的技术问题,一种适用于硅片精密清洗的清洗架,包括托盘和支架,所述托盘中部开设有第一通孔,所述托盘顶部开设有多个凹槽,...
  • 本实用新型涉及微波等离子体反应器技术领域,具体是一种适用于MPCVD的TM
  • 本实用新型涉及气体抽空结构技术领域,具体是一种用于MPCVD的气体抽空结构,用于解决现有技术中反应器高温气体不能及时流出,使反应器内的温度升高,以及工艺气体不能有效的流过钼托盘,从而降低了金刚石膜及单晶金刚石的生长效率的问题。本实用新型...
  • 本实用新型涉及制取金刚石膜的技术领域,具体是一种大面积紧凑型微波等离子体化学气相沉积装置,用于解决现有技术中微波的传输路线不够合理,从而使得等离子体的放电尺度小,单位时间的金刚石晶体产量低的问题。本实用新型包括工艺配气单元、磁控管微波发...
  • 本实用新型涉及密封窗技术领域,具体是波导密封窗,用于解决现有技术中波导密封窗具有容易发生变形或破裂以及结构复杂、生产难度大的问题。本实用新型包括相互连接的上法兰和下法兰,所述上法兰的底面开有安装槽,所述安装槽内从上到下依次安装有相互接触...
  • 本实用新型涉及连接器技术领域,具体是高电压同轴连接器,用于解决现有技术中连接器不方便连接,锁紧性能不够好,自身连接部分向外凸出,使用时很容易刮伤或碰伤工作人员的问题。本实用新型包括公头和母头,所述母头包括外绝缘子,所述外绝缘子的上部外表...
  • 本实用新型涉及波导激励腔技术领域,具体是径向磁控管波导激励腔,用于解决现有技术中磁控管天线与矩形波导的输出端口正交,从而导致微波源整体高度高体积大,且空间利用率变低的问题。本实用新型包括从上到下相互连接的激励腔体和底部盖板,所述激励腔体...
  • 本实用新型涉及微波短路器技术领域,具体是一种具有扼流结构的微波滑动短路器,用于解决现有技术中短路活塞在波导壳体内滑动具有较大滑动阻力和接触电阻的问题。本实用新型包括波导壳体,所述波导壳体的一端连接有封闭板,所述波导壳体内安装有丝杠,所述...
  • 本实用新型涉及微波模式转换器技术领域,具体是一种大功率TE‑TEM微波模式转换器,用于解决现有技术中TE‑TEM模式转换器功率容量不足,制造难度大的问题。本实用新型包括中心波导、微波馈入波导、微波滑动断路器、同轴输出、同轴短路面和同轴内...
  • 本发明涉及微波短路器技术领域,具体是一种具有扼流结构的微波滑动短路器,用于解决现有技术中短路活塞在波导壳体内滑动具有较大滑动阻力和接触电阻的问题。本发明包括波导壳体,所述波导壳体的一端连接有封闭板,所述波导壳体内安装有丝杠,所述丝杠的一...
  • 本发明涉及微波模式转换器技术领域,具体是一种大功率TE‑TEM微波模式转换器,用于解决现有技术中TE‑TEM模式转换器功率容量不足,制造难度大的问题。本发明包括中心波导、微波馈入波导、微波滑动断路器、同轴输出、同轴短路面和同轴内导体,所...
  • 本发明涉及微波等离子体反应器技术领域,具体是一种适用于MPCVD的TM022模式微波等离子体反应器,用于解决现有技术反应器中在钼托盘上不能产生扁平等离子体,从而降低了金刚石晶体或镀膜生长效率的问题。本发明包括反应腔体和同轴馈入,所述反应...
  • 本实用新型涉及MPCVD设备冷却技术领域,公开了一种用于MPCVD的三层芯管水冷却装置,包括纵向设置的排气管,还包括排气管外顺次嵌套半径逐渐增大的进水管、出水管,排气管的上端设有基板,基板内靠近排气管的一侧设有集水腔,基板内远离排气管的...
  • 本实用新型涉及MPCVD设备技术领域,具体是一种用于MPCVD的张紧装置,用于解决现有技术中不能及时的测量和调节MPCVD设备中连杆张紧力的问题。本实用新型包括反应腔体、波导腔体和连杆,所述连杆上还安装有位于波导腔体下方的张紧装置,所述...
  • 本发明涉及MPCVD设备技术领域,具体是一种用于MPCVD的张紧装置,用于解决现有技术中不能及时的测量和调节MPCVD设备中连杆张紧力的问题。本发明包括反应腔体、波导腔体和连杆,所述连杆上还安装有位于波导腔体下方的张紧装置,所述张紧装置...