一种用于MPCVD的三层芯管水冷却装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及MPCVD设备冷却技术领域，公开了一种用于MPCVD的三层芯管水冷却装置，包括纵向设置的排气管，还包括排气管外顺次嵌套半径逐渐增大的进水管、出水管，排气管的上端设有基板，基板内靠近排气管的一侧设有集水腔，基板内远离排气管的一侧水平设有热交换腔，热交换腔水平方向的端部与集水腔水平方向的端部对应连通，进水管独立与热交换腔的中部连通，出水管独立与集水腔的中部连通，排气管独立与基板上方连通。本实用新型专利技术解决了现有MPCVD反应装置结构复杂，不易安装，晶体冷却效果不佳的问题。

A three-layer core tube water cooling device for MPCVD

【技术实现步骤摘要】
一种用于MPCVD的三层芯管水冷却装置
本技术涉及MPCVD设备冷却
，特别涉及一种用于MPCVD的三层芯管水冷却装置。
技术介绍
MPCVD(微波等离子体化学气相沉积)法是合成高质量金刚石最具潜力的方法之一。MPCVD反设备是通过将微波发生器产生的微波，经波导传输系统进入反应设备的腔内(反应腔)，往反应腔中通入甲烷和氢气的混合气体，在微波的激励下，在反应腔内产生辉光放电，使反应气体的分子离化，产生等离子体，在基板台沉积得到金刚石膜。基板台的温度均匀性影响金刚石膜的生长，基板台冷却均匀有利于保持基板台的温度均匀性，进而得到质量好的金刚石膜。在现有的冷却技术中，多采用冷却液进水管、出水管、出气管分别安装的方式，从而造成结构复杂、在MPCVD反应腔体有限的空间内安装困难，同时，冷却水和晶体生长基座热交换不均匀、不充分，造成基座冷热不均，达不到预期的冷却效果，影响晶体生长的质量的问题。综上所述，我们急需设计一种用于MPCVD的三层芯管水冷却装置解决以上问题。
技术实现思路
基于以上问题，本技术提供了一种用于MPC本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于MPCVD的三层芯管水冷却装置，包括纵向设置的排气管(9)，其特征在于，所述排气管(9)外顺次嵌套半径逐渐增大的进水管(8)、出水管(1)，所述排气管(9)的上端设有基板(12)，所述基板(12)内靠近排气管(9)的一侧设有集水腔(10)，所述基板(12)内远离排气管(9)的一侧水平设有热交换腔(11)，所述热交换腔(11)水平方向的端部与集水腔(10)水平方向的端部对应连通，所述进水管(8)独立与热交换腔(11)的中部连通，所述出水管(1)独立与集水腔(10)的中部连通，所述排气管(9)独立与基板(12)上方连通。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于MPCVD的三层芯管水冷却装置，包括纵向设置的排气管(9)，其特征在于，所述排气管(9)外顺次嵌套半径逐渐增大的进水管(8)、出水管(1)，所述排气管(9)的上端设有基板(12)，所述基板(12)内靠近排气管(9)的一侧设有集水腔(10)，所述基板(12)内远离排气管(9)的一侧水平设有热交换腔(11)，所述热交换腔(11)水平方向的端部与集水腔(10)水平方向的端部对应连通，所述进水管(8)独立与热交换腔(11)的中部连通，所述出水管(1)独立与集水腔(10)的中部连通，所述排气管(9)独立与基板(12)上方连通。


2.根据权利要求1所述的一种用于MPCVD的三层芯管水冷却装置，其特征在于，所述基板(12)包括呈凹形状的紫铜热交换盘(6)，且紫铜热交换盘(6)的凹形槽朝向排气管(9)，所述紫铜热交换盘(6)的凹形槽下端部设有与其密闭配合的集水盘(4)，所述紫铜热交换盘(6)的凹形槽底部设有圆形槽口(601)，所述紫铜热交换盘(6)的槽口(601)内侧沿其圆周方向设有多个导流槽(602)，所述紫铜热交换盘(6)凹形槽的底侧设有挡水板(5)，所述挡水板(5)的口径大于紫铜热交换盘(6)的槽口(601)口径，且挡水板(5)的口径小于多个导流槽(602)外侧所形成面的口径。


3.根据权利要求2所述的一种用于MPCVD的三层芯管水冷却装置，其特征在于，所述挡水板(5)与紫铜热交换盘(6)的槽口(601)、导流槽(602)之间形成热交换...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁博，刘虎，陈实，
申请(专利权)人：四川三三零半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51